华虹公司:华虹公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

本次股票发行后拟在科创板市场上市f ，该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点，投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素，审慎作出投资决定。

华虹半导体有限公司

HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED（香港中环夏悫道12号美国银行中心2212室）

首次公开发行人民币普通股（A 股）股票并在科创板上市招股说明书

联席保荐人（联席主承销商）中国（上海）自由贸易试验区商城路618号上海市广东路689号联席主承销商广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代北京市朝阳区建国门外大街1号国贸大厦

广场（二期）北座2座27层及28层

上海市黄浦区中山南路318号东方国际金融北京市西城区阜成门外大街29号1-9层广场2号楼24层华虹半导体有限公司招股说明书声明

中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对发行人注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。

根据《证券法》的规定，股票依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发行人自行负责；投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。

1-1-1华虹半导体有限公司招股说明书

本次发行概况

发行股票类型 人民币普通股（A 股）

本次公开发行的股票数量为407750000股，占发行后总股本发行股数

的23.76%。本次发行均为新股，不涉及股东公开发售股份根据《公司条例》第135条，公司本次发行的人民币普通股每股面值

（A 股）股票无面值

每股发行价格人民币52.00元发行日期2023年7月25日拟上市的交易所和板块上海证券交易所科创板

1715897031 股，其中：A 股 407750000 股，港股

发行后股份总数

1308147031股

联席保荐人（联席主承销商）国泰君安证券股份有限公司、海通证券股份有限公司

中信证券股份有限公司、中国国际金融股份有限公司、东方联席主承销商

证券承销保荐有限公司、国开证券股份有限公司招股说明书签署日期2023年7月31日

注：本次发行股数上限已经发行人董事会审议通过，本次发行前后股份总数均以2023年6月30日为基准计算，若未来行权导致股份总数发生变化，股份总数将相应调整。

1-1-2华虹半导体有限公司招股说明书

目录

声明....................................................1

本次发行概况................................................2

目录....................................................3

第一节释义.................................................8

一、一般释义................................................8

二、专业释义...............................................11

第二节概览................................................14

一、重大事项提示.............................................14

二、发行人及本次发行的中介机构基本情况..................................22

三、本次发行概况.............................................23

四、发行人报告期的主要财务数据和财务指标.................................28

五、发行人主营业务情况..........................................29

六、发行人符合科创板定位的相关情况....................................30

七、发行人选择的具体上市标准.......................................31

八、发行人公司治理特殊安排等重要事项...................................31

九、募集资金用途.............................................31

十、财务报告审计截止日后的主要经营情况..................................32

十一、其他对发行人有重大影响的事项....................................32

第三节风险因素..............................................33

一、与发行人相关的风险..........................................33

二、与行业相关的风险...........................................39

三、其他风险...............................................40

第四节发行人基本情况...........................................42

一、发行人基本情况............................................42

二、发行人设立情况和报告期内的股本及股东变化情况.............................42

三、发行人设立以来重要事件情况......................................47

四、发行人在其他证券市场上市或挂牌的情况.................................49

五、发行人股权结构............................................50

1-1-3华虹半导体有限公司招股说明书

六、发行人子公司、分公司及参股公司情况..................................50

七、持有发行人5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况........59

八、发行人股本情况............................................66

九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况..............................68

十、公司正在执行的股权激励及其他制度安排和执行情况...........................79

十一、公司员工及其社会保障情况......................................82

第五节业务与技术.............................................86

一、发行人主营业务情况..........................................86

二、行业基本情况.............................................99

三、发行人的行业地位及竞争优劣势....................................114

四、发行人主营业务经营情况.......................................122

五、与发行人业务相关的主要资产情况...................................126

六、发行人的业务许可资质........................................128

七、发行人的特许经营情况........................................129

八、发行人的技术与研发情况.......................................129

九、发行人生产经营中涉及的主要环境污染物、主要处理设施及处理能力....................................................138

十、发行人境外生产经营情况.......................................138

第六节财务会计信息与管理层分析.....................................139

一、财务报表..............................................139

二、注册会计师审计意见.........................................143

三、关键审计事项............................................143

四、财务报表的编制基础及合并财务报表范围................................144

五、报告期内采用的主要会计政策和会计估计................................145

七、主要税种税率、享受的主要税收优惠政策................................159

八、主要财务指标............................................162

九、经营成果分析............................................163

十、资产质量分析............................................184

十一、偿债能力与流动性分析.......................................200

十二、持续经营能力分析.........................................212

1-1-4华虹半导体有限公司招股说明书

十三、资本性支出情况分析........................................214

十四、重大资产重组...........................................214

十五、重要承诺及或有事项........................................215

十六、资产负债表日后事项........................................215

十七、境内外信息披露差异........................................215

十八、盈利预测报告...........................................216

十九、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况............................216

第七节募集资金运用与未来发展规划....................................217

一、募集资金投资项目概况........................................217

二、募集资金运用情况..........................................218

三、募投项目必要性与可行性分析.....................................222

四、未来发展规划............................................224

第八节公司治理与独立性.........................................228

一、公司治理存在的缺陷及改进情况....................................228

二、注册地的公司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的

主要差异................................................229

三、公司内部控制制度情况........................................233

四、报告期内违法违规及受处罚、监管措施、纪律处分或自律监管措施情况....................................................233

五、境内外信息披露差异情况.......................................234

六、公司资金的占用与担保情况......................................234

七、公司独立经营情况..........................................234

八、同业竞争..............................................236

九、关联（连）方和关联（连）关系....................................241

十、关联（连）交易情况.........................................244

第九节投资者保护............................................253

一、本次发行前滚存利润分配安排.....................................253

二、公司本次发行后的股利分配政策、决策程序及监督机制.....................253

三、特别表决权股份、协议控制的特殊安排.................................256

第十节其他重要事项...........................................257

1-1-5华虹半导体有限公司招股说明书

一、重大合同..............................................257

二、公司对外担保情况..........................................259

三、重大诉讼或仲裁事项.........................................259

第十一节声明..............................................260

一、发行人全体董事、高级管理人员声明..................................260

二、发行人控股股东、实际控制人声明...................................264

三、保荐人（主承销商）声明.......................................266

三、保荐人（主承销商）声明.......................................267

三、保荐人（主承销商）声明（一）....................................268

三、保荐人（主承销商）声明（二）....................................269

四、发行人律师声明...........................................270

五、会计师事务所声明..........................................271

六、联席主承销商声明..........................................272

六、联席主承销商声明..........................................273

六、联席主承销商声明..........................................274

六、联席主承销商声明..........................................275

第十二节附件..............................................276

附录..................................................277

附表一：房屋建筑物情况.........................................277

附表二：租赁房产情况..........................................277

附表三：土地使用权情况.........................................278

附表四：主要专利情况..........................................279

附表五：主要商标情况..........................................301

附表六：集成电路布图设计专有权情况...................................304

附表七：承诺事项............................................305

附表八：落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投

票机制建立情况.............................................329

附表九：股东大会、董事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全及运行

情况说明................................................330

附表十：审核委员会及其他专门委员会的设置情况说明............................335

1-1-6华虹半导体有限公司招股说明书

附表十一：募集资金具体运用情况.....................................336

附表十二：子公司、参股公司简要情况...................................336

1-1-7华虹半导体有限公司招股说明书

第一节释义

一、一般释义

华虹半导体、发行人、

指 Hua Hong Semiconductor Limited（华虹半导体有限公司）

公司、本公司

华虹 NEC 指 上海华虹 NEC 电子有限公司

华虹集团指上海华虹（集团）有限公司

华虹国际 指 Shanghai Hua Hong International Inc.（上海华虹国际公司）

NEC 指 NEC Corporation（日本电气株式会社）

Newport 指 Newport Fab LLC上海联和指上海联和投资有限公司

联和国际 指 Sino-Alliance International Ltd

Wisdom Power Technology Limited. Sino-Alliance

Wisdom Power 指

International Ltd 全资子公司

Xinxin （Hongkong） Capital Co. Limited（鑫芯（香港）鑫芯香港指投资有限公司）

张江集团指上海张江（集团）有限公司Shanghai Zhangjiang International Corporation（上海张江国际张江国际指有限公司）

Zhangjiang GU KE 指 Zhangjiang GU KE Company Limited大基金指国家集成电路产业投资基金股份有限公司

仪电集团指上海仪电（集团）有限公司

上海国盛指上海国盛（集团）有限公司上海国际指上海国际集团有限公司上海贝岭指上海贝岭股份有限公司上海华虹宏力指上海华虹宏力半导体制造有限公司

华虹无锡指华虹半导体（无锡）有限公司

无锡置业指华宏置业（无锡）有限公司

华虹半导体制造（无锡）有限公司，华虹半导体的控股子公华虹制造指司，募投项目华虹制造（无锡）项目的实施主体力鸿科技 指 Global Synergy Technology Limited（力鸿科技有限公司）

Grace Cayman 指 Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

HHGrace USA 指 HHGrace Semiconductor USA Inc

HHGrace Japan 指 HHGrace Semiconductor Japan Co. Ltd.华虹科技指上海华虹科技发展有限公司华虹投资指上海华虹投资发展有限公司

1-1-8华虹半导体有限公司招股说明书

华虹置业指上海华虹置业有限公司华锦物业指上海华锦物业管理有限公司上海华力微电子有限公司和上海华力集成电路制造有限公上海华力指司上海集成指上海集成电路研发中心有限公司华力微指上海华力微电子有限公司华力集指上海华力集成电路制造有限公司台积电指台湾积体电路制造股份有限公司

格罗方德 指 Global Foundries Inc.联华电子指联华电子股份有限公司中芯国际指中芯国际集成电路制造有限公司世界先进指世界先进积体电路股份有限公司

高塔半导体 指 Tower Semiconductor Ltd.晶合集成指合肥晶合集成电路股份有限公司

英飞凌 指 Infineon Technologies AG

德州仪器 指 Texas Instruments Incorporated华润微指华润微电子有限公司贸易条款，卖方于其营业处所或其他指定地（即工场、工厂、EXW 指仓库等）交由买方处置时，即属卖方交货完成贸易条款，卖方将货物放置于指定装运港由买方指定的船舶FOB 指上即为交货

贸易条款，成本、保险费加运费，在装运港当货物越过船舷CIF 指时卖方即完成交货

贸易条款，卖方于其营业处所或其他指定地，将货物交付买FCA 指方指定的运送人或其他人即为卖方完成交货

贸易条款，卖方在指定的目的地将货物交给买方处置，不办DDU 指 理进口手续，也不从交货的运输工具上将货物卸下，即完成交货

贸易条款，卖方在指定目的地，将已经办妥进口通关手续仍DDP 指 放置在到达的运送工具上准备卸载的货物交由买方处置时，即属于卖方交货

保荐人、联席保荐人指国泰君安证券股份有限公司、海通证券股份有限公司

国泰君安证券、国泰君指国泰君安证券股份有限公司安海通证券指海通证券股份有限公司

发行人律师、通力指上海市通力律师事务所

发行人会计师、安永指安永华明会计师事务所（特殊普通合伙）

《公司法》指《中华人民共和国公司法》

《证券法》指《中华人民共和国证券法》

1-1-9华虹半导体有限公司招股说明书

《注册办法》指《首次公开发行股票注册管理办法》

《审核规则》指《上海证券交易所股票发行上市审核规则》

《科创板上市规则》指《上海证券交易所科创板股票上市规则》

《联交所上市规则》指《香港联合交易所有限公司证券上市规则》，包括其附录《上市规则》指《科创板上市规则》和/或《联交所上市规则》《国务院办公厅转发证监会关于开展创新企业境内发行股《若干意见》指票或存托凭证试点若干意见的通知》（国办发[2018]21号）《试点创新企业境内发行股票或存托凭证并上市监管工作《实施办法》指实施办法》（中国证券监督管理委员会公告[2023]12号）

中国香港《公司条例》（香港法例第622章）（自2014年《公司条例》指3月3日起）及其不时修订，或者根据上下文指中国香港旧《公司条例》（香港法例第32章）发行人制定及不时修订的《华虹半导体有限公司之组织章程《公司章程》指细则》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《组织章程细则》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）组织章程细则》《审核委员会的职权范 发行人本次 A 股发行上市后适用的《审核委员会的职权范指围》围》《薪酬委员会的职权范 发行人本次 A 股发行上市后适用的《薪酬委员会的职权范指围》围》《提名委员会的职权范 发行人本次 A 股发行上市后适用的《提名委员会的职权范指围》围》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《股东大会议事规则》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）股东大会议事规则》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《董事会议事规则》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）董事会议事规则》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《对外担保管理制度》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）对外担保管理制度》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《对外投资管理制度》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）对外投资管理制度》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《关连（联）交易管理指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）关连制度》（联）交易管理制度》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《募集资金管理制度》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）募集资金管理制度》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《投资者关系管理制指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）投资度》者关系管理制度》发行人本次 A 股发行上市后适用的《HUA HONG《信息披露管理制度》 指 SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）信息披露管理制度》

1-1-10华虹半导体有限公司招股说明书招股说明书、本招股说 《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）指明书股票并在科创板上市招股说明书》上海市国资委指上海市国有资产监督管理委员会中国证监会指中国证券监督管理委员会香港联交所指香港联合交易所有限公司香港证监会指香港证券及期货事务监察委员会上交所指上海证券交易所科创板指上海证券交易所科创板在中国境内证券交易所上市的以人民币认购和进行交易的

A 股股票、A 股 指普通股股票港股指在香港联交所上市的以港币认购和进行交易的普通股股票

如无特别指明，指人民币元、人民币千元、人民币万元、人元、千元、万元、亿元指民币亿元

最近三年、报告期指2020年度、2021年度、2022年度

二、专业释义

晶圆指制造半导体芯片的衬底（也叫基片）。由于是圆形晶体材晶圆指料，所以称为晶圆。按照直径进行分类，主要包括4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格

Integrated Circuit 的简称，也称集成电路，是一种微型电子部件。

采用半导体制造工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容IC、集成电路 指 和电感等元件及它们之间的连接导线全部制作在一小块半导体芯

片如硅片或介质基片上，然后焊接封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的电子器件

制造半导体芯片时，将电路印制在硅晶圆上所使用的图形母版，光掩模版指是根据芯片设计公司设计的电路版图转换成芯片制造的图形，又被称掩模、掩模版、光罩

“封装、测试”的简称；“封装”指为芯片安装外壳，起到安放、封测指固定、密封、保护芯片等作用；“测试”指检测封装前后的芯片电性是否可正常运作与符合设计规格

也称作特征尺寸，通常为半导体芯片制造过程中，最小晶体管通线宽指道长度的尺寸

Integrated Device Manufacturer，指垂直整合制造工厂，是集芯片IDM 指 设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合元件制造商，属于半导体行业的一种业务模式

泛指芯片设计公司，指没有芯片制造业务、只专注于芯片设计与Fabless 指 销售的一种业务模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与销售，一般将生产、测试、封装等环节外包

泛指晶圆代工模式，专门负责芯片制造，不负责芯片设计，可同Foundry 指

时为多家芯片设计公司或 IDM 公司提供代工服务

传递和处理离散信号，以二进制为原理，实现数字信号逻辑运算逻辑电路指和操作的电路射频指高频交流变化电磁波的信号处理电路

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor），互补金属CMOS 指氧化物半导体。CMOS 的制造技术原理主要是利用共存着带 N（带

1-1-11华虹半导体有限公司招股说明书

-电）和 P（带+电）级的半导体

CIS 指 CMOS Image Sensor，CMOS 图像传感器Bipolar-CMOS-DMOS 的简称，一种结合了双极型、CMOS 和BCD 指 DMOS 的单片 IC 制造工艺。相对于传统的双极功率工艺，BCD为一种单芯片功率集成电路技术

DMOS 是双重扩散 MOSFET（Double Diffused MOSFET）的缩写。

DMOS 主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管DMOS 指 VD MOSFET（verticaldouble-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 LD MOSFET（lateral double-diffusedMOSFET）完成所有工艺步骤后测试合格的芯片的数量与整片晶圆上的有效

良率指芯片的比值。晶圆良率越高，同一片晶圆上产出的好芯片数量越多，芯片单位成本越低NVM/非易失性存 Non-volatile memory，非易失性存储器，它涵盖了所有在掉电后指储器仍能保持其内容的存储组件

是一种非易失性存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存Flash/闪存 指储器

嵌入式 指 将 IP 模块或工艺模块集成至芯片或基础工艺的简称

Embedded non-volatile memory，缩写为 eNVM，用于满足各种嵌嵌入式非易失性存 入式系统应用程序的小型芯片，eNVM 被广泛应用于需要存储代指

储器 码程序、客户数据或其他重要信息的芯片，如智能卡芯片、MCU等独立式非易失性

指 Standalone non-volatile NOR flash memory，标准 NOR 型闪存芯片NOR 存储器

e-Flash 指 嵌入式闪存

电源管理芯片（Power Management Integrated Circuits， PMIC），电源管理芯片指是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片

LCD 指 Liquid Crystal Display 的简称，指液晶显示屏Micro controller Unit 的简称，指微控制单元，又称单片微型计算机或者单片机，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并将MCU 指 内存、计数器、USB、A/D 转换、UART、PLC、DMA 等周边接口，甚至 LCD 驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor MOSFET），一种电压控制器件，是以金属层的栅极隔着氧化层利用电场的效MOSFET 指

应来控制半导体的场效应晶体管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路，MOSFET 依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N 型”与“P 型”两种极性

一种新型中低压 MOSFET 技术，这种技术利用电荷补偿原理改变SGT 指 了 MOSFET 内部电场的形态，同时获得极低的导通电阻和栅漏电

容（Cgd），有效降低了系统的导通损耗和开关损耗

Super Junction，超级结，一种新型高压 MOSFET 制造工艺，是利用平行的 PN 结来提供横向耗尽区承受耐压，因而可以在很浓的SJ 指

N EPI 上形成 MOSFET，所以可以在承受高耐压的同时，得到极低的导通电阻，与其他晶体管拓扑结构相比，它在按面积计算的

1-1-12华虹半导体有限公司招股说明书

导通电阻方面具有明显的优势，相应地降低损耗，价格更加低廉，用于切换更高电压和电流的应用

绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优IGBT 指 点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高等特点

“Universal Serial Bus”的缩写，即通用串行总线，是一个外部总USB 指线标准，用于规范电脑与外部设备的连接和通讯“Electrically Erasable Programmable read only memory”的缩写，EEPROM 指 即带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片

“Micro Electromechanical System”的缩写，即微机电系统，是指MEMS 指 尺寸在几毫米乃至更小的装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统不同于集成电路，分立器件就是具有单一功能的电路基本元件，分立器件指

常见的分立器件有晶体管、二极管、电阻、电容、电感等

分立器件板块的一个分支，主要用于电力设备的电能变换和控制功率器件指

电路方面大功率的电子器件，如 MOSFET、SJ 和 IGBT功率芯片 指 通常由功率器件、电源管理和驱动电路集成的 IC功率半导体指功率器件与功率芯片的统称

半导体 IP（Intellectual Property），一般指在集成电路设计中，经IP 指

过验证的、可重复使用且具备特定功能的集成电路模块

IC Insights & IBS

& Yole

Development & IHS指知名的半导体行业研究机构

Markit &

WSTS & Gartner&

TrendForce

12英寸晶圆数量换算为约当8英寸晶圆：将12英寸晶圆数目乘

约当8英寸指

以2.25

nm 指 纳米，长度的度量单位，1nm 等于 10 的负 9 次方米μm 指 微米，长度的度量单位，1μm 等于 10 的负 6 次方米本招股说明书中部分合计数与各加数直接相加之和在尾数上存在差异，这些差异是由于四舍五入造成的。

1-1-13华虹半导体有限公司招股说明书

第二节概览

本概览仅对招股说明书全文做扼要提示。投资者作出投资决策前，应认真阅读招股说明书全文。

一、重大事项提示

（一）风险提示

公司提醒投资者关注“风险因素”中的下列风险，并认真阅读本招股说明书

“第三节风险因素”中的全部内容。

1、未能紧跟工艺节点、工艺平台等技术迭代的风险

半导体行业是资本、人才及技术密集性行业，从晶圆制造工艺到下游产品需求等技术更新的迭代速度较快。公司以先进特色工艺领域作为自身战略发展方向，包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频

等特色工艺平台。随着汽车电子、工业控制、新能源等领域的快速发展和市场需求，如嵌入式/独立式存储平台中的 MCU 产品、逻辑及射频平台中的逻辑类产品均已出现向更先进工艺节点的拓展需求，而电源管理平台中应用的 BCD 工艺以及 IGBT 等功率器件领域亦已出现向更高电压水平等性能拓展的技术需求，公司需不断结合代工产品及市场需求，升级自身的技术水平和研发能力，以保持足够的技术竞争力。报告期内，公司研发费用分别为73930.73万元、51642.14万元和107667.18万元，与行业龙头相比仅处于中等规模。

未来，如果受到硬件限制、研发投入不足或技术人才流失等影响，发行人可能无法在相关技术及工艺领域紧跟技术迭代，亦或大量研发投入未能获得理想效果及适应需求变化，则可能难以保持其在相关市场的竞争地位，从而对公司后续长期技术发展、经营及财务状况产生不利影响。

2、宏观经济波动和行业周期性的风险

受到全球宏观经济的波动、行业景气度、产能周期性等因素影响，半导体行业存在一定的周期性。2020年受疫情爆发影响全球经济走弱，2022年一二季度受到疫情反弹、地缘冲突等影响，智能手机需求走弱，未来全球经济的走势会影响到半导体行业景气度的变化。因此，半导体行业的发展与宏观经济整体发展密

1-1-14华虹半导体有限公司招股说明书切相关。同时，半导体行业晶圆制造环节的产能扩充呈现周期性变化特征，通常下游需求变化速度较快，而上游产能的增减则需要更长的时间。因此，半导体行业供应端产能增长无法完美匹配半导体行业需求端的变化，导致行业会出现供需关系周期性的变化，也会带来行业价格和利润率的变化。报告期各期，公司在消费电子领域的收入分别为410113.51万元、670625.64万元和1075329.63万元，占主营业务收入的比例分别为61.77%、63.73%和64.52%，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，消费电子等下游市场需求的波动和低迷亦会导致半导体产品的需求下降，进而影响半导体晶圆代工企业的盈利能力。宏观经济环境以及下游市场的整体波动可能对公司的经营业绩造成一定的影响。

3、与国际龙头企业存在差距的风险

目前全球晶圆代工技术已发展至较高水平，以台积电为代表的国际龙头企业已实现 5nm 及以下工艺节点量产，联华电子、格罗方德等企业亦已将工艺节点推进至14nm及以下水平，而发行人目前工艺节点尚处于55nm的成熟制程范围，与国际龙头企业及先进工艺节点存在较大差距。随着晶圆代工下游产业技术需求的不断提升，先进制造工艺已成为晶圆代工的核心竞争力，凭借先进工艺竞争力及全面的工艺平台覆盖，根据 IC Insights 的报告，2021 年台积电占有全球晶圆代工市场约50%的市场份额。与其相比，发行人在产线数量、营业收入存在较大差距，因此在工艺平台覆盖、代工产品种类上亦会受到影响，这对公司争夺先进工艺节点下的高端晶圆代工市场、提升规模经济效应、产品议价能力及市场竞争力带来不利影响。

同时，受地缘政治等因素影响，该等差距可能在中短期内无法消除，如发行人无法持续进行工艺进步与技术创新，导致与国际主流厂商差距扩大，可能进一步造成发行人在更为激烈的竞争环境下现有市场份额逐步减少，无法满足现有和未来潜在客户的需求，从而对发行人持续经营造成不利影响。

4、公司现行的治理结构与中国境内设立的 A 股上市公司存在差异的风险

公司为一家根据香港《公司条例》设立的公司。根据《若干意见》的规定，试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范等事项可适用境外注册地公司法

等法律法规规定。公司的公司治理制度需遵守香港《公司条例》和《组织章程细

1-1-15华虹半导体有限公司招股说明书则》的规定，与目前适用于注册在中国境内的一般境内 A 股上市公司的公司治理模式在利润分配机制、重大事项决策程序、剩余财产分配等方面存在一定差异。

上述差异的具体内容详见本招股说明书“第八节公司治理与独立性”之“二、注册地的公司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的主要差异”。

5、公司 A 股公众股东通过诉讼方式寻求保护自身权利存在不确定性的风险

公司的 A 股公众股东可以依据《证券法》《中华人民共和国民事诉讼法》

《中华人民共和国涉外民事关系法律适用法》等法律法规及相关的司法解释，向中国境内具有管辖权的人民法院提起民事诉讼来维护其权益，追究相关责任人的法律责任。

由于公司注册地在中国香港，受香港法院管辖，若 A 股公众股东拟于香港法院对公司提起诉讼，须提供能够得到香港法院认可且具有法律效力的证明文件，加之内地与香港在审理依据、诉讼程序等司法制度方面不尽相同，因此 A 股公众股东通过诉讼方式寻求保护自身权利存在不确定性，且可能需要承担额外的成本。根据《关于内地与香港特别行政区法院相互认可和执行当事人协议管辖的民商事案件判决的安排》（2008年8月1日生效），对于内地人民法院和香港法院在具有书面管辖协议的民商事案件中作出的须支付款项的具有执行力的终审判决，当事人可以向相关法院申请认可和执行，但是根据该安排提起诉讼的结果及可执行性面临一定的不确定性。

6、公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的合规与监管风险

公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的立法机关、政府部门或

其他监管机构可能不时发布、更新法律法规或规范性文件，公司于美国、日本、开曼群岛、中国内地及香港地区均设有子公司，需要同时接受境内外监管机构的监督与管理，遵守各相关司法管辖区的适用法律法规。如被监管机构认定为未能完全遵守相关规定，则公司可能面临被处罚或被采取监管措施，从而可能引致业务发展和经营业绩的不利影响。

7、国际贸易摩擦的风险

公司使用的主要生产设备和原材料有较大部分向境外供应商采购。公司坚持国际化运营，自觉遵守国际间有关出口管制的原则，自成立以来始终合规运营，

1-1-16华虹半导体有限公司招股说明书

依法开展生产经营活动。但未来不排除相关国家出口管制政策进行调整的可能，从而导致公司面临设备、原材料供应发生变动等风险，导致公司生产受到一定的限制，进而对公司的业务和经营产生不利影响。

8、依赖境内运营子公司股利分配的风险

公司的资金需求包括向公司股东支付股利及其他现金分配、支付公司在中国

境外可能发生的任何债务本息，以及支付公司的相关运营成本与费用。公司是一家控股型公司，实际生产运营实体位于中国境内，境内运营子公司向发行人进行股利分配是满足公司的资金需求的重要方式之一。

根据《公司法》的规定，中国公司必须在弥补亏损和提取法定公积金后方可向股东分配税后利润，故如果境内运营子公司存在未弥补亏损，则无法向上层股东进行股利分配。此外，即使在境内运营子公司根据中国法律、法规和规范性文件规定存在可分配利润的情况下，发行人从境内运营子公司获得股利分配还可能受到中国外汇相关法律、法规或监管政策的限制，从而导致该等境内运营子公司无法向发行人分配股利。

如发生上述境内运营子公司无法分配股利的情况，则发行人的资金需求可能无法得到满足，进而影响发行人向债权人的债务偿还，以及其他运营成本与费用的正常开支，对发行人的持续经营产生不利影响，发行人向投资人分配股利的能力也将受到较大负面影响。

9、公司作出的承诺在实际履行时的相关风险

对于本次发行 A 股股票并在科创板上市，公司就稳定股价、履行信息披露义务等事宜作出了一系列重要承诺。其中，稳定股价承诺的具体措施包括回购公司股票。鉴于公司为一家注册在香港并在香港联交所上市的红筹企业，在执行股票回购等稳定股价措施时可能涉及资金跨境流动，须遵守中国外汇管理的相关规定。因此，任何现有和未来的外汇管制措施有可能限制公司通过回购等方式履行稳定股价的承诺。

10、境外持续信息披露监管与境内可能存在差异的风险

本次发行上市后，公司将根据《科创板上市规则》及其他适用法律法规在中国境内履行持续信息披露义务，同时仍将根据《联交所上市规则》及其他适用法

1-1-17华虹半导体有限公司招股说明书

律法规在境外市场履行持续信息披露义务。境内外持续信息披露在定期报告、临时公告等若干方面存在一定的差异。投资者可能因为信息披露的差异而影响投资决策，从而可能面临一定的投资风险。同时，根据公司注册地及境外上市地法律法规的要求，公司的注册文件及信息披露文件等存在以英文书就的情况，因此境内投资者可能面临阅读和理解困难。

11、募投项目无法顺利实施的风险

发行人本次发行拟募集资金180亿元，其中华虹制造（无锡）项目拟使用募集资金125亿元，占拟募集资金总额的比例为69.44%。8英寸厂优化升级项目、特色工艺技术创新研发项目和补充流动资金拟使用募集资金分别为20亿元、25

亿元和10亿元，占拟募集资金总额的比例分别为11.11%、13.89%和5.56%。

华虹制造（无锡）项目的实施主体为华虹制造，发行人已经对本次募投项目进行了充分的分析和论证，但该可行性分析是基于当前市场环境、发行人现有业务状况和未来发展战略等因素形成的，若前述因素发生重大变化，比如未来实施主体的股权结构因各种原因发生变更，可能导致对实施主体的公司治理和经营管理造成不利影响；华虹制造（无锡）项目预计总投资额为67亿美元，其中40.2亿美元将由该项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金，剩余26.8亿美元将以债务融资方式筹集。而发行人持有华虹制造51%股权，需要以增资方式向华虹制造投入20.5亿美元，发行人出资来源为本次发行的募集资金和自有资金。如发行人本次发行的募集资金不足，或自有资金和实施主体的其他股东的资金未能及时到位，或相关银行未能及时提供贷款资金，可能导致项目资金无法及时到位。

对于其他三个募投项目，如本次发行募集资金不足，也可能导致项目资金无法及时到位。

结合上述情况，本次募投项目可能存在无法顺利实施的风险。

（二）发行人股份登记及股东名册管理

公司本次拟于上海证券交易所科创板发行并上市的 A 股股票由中国结算上

海分公司负责办理登记、存管与结算。公司已在香港联交所上市，不涉及在境内登记与存管的本次公开发行前已发行的股票。中国结算上海分公司出具的证券登

1-1-18华虹半导体有限公司招股说明书

记记录可以证明 A 股股东的股东身份，登记于中国结算上海分公司电子簿记系统内的持有人有权行使《组织章程细则》赋予公司股东的全部合法权利。A 股股东如需取得具有法律效力的证券持有及变动记录证明，应当按照中国境内相关业务规定申请办理。

公司根据相关法律法规于中国境内建立并存放股东名册（以下简称“A 股股东名册”），该 A 股股东名册是 A 股股东持有公司 A 股股票的合法证明。公司现有且存放于中国香港的股东名册（以下简称“港股股东名册”）记载公司港

股股票的信息，不会载入本次发行的 A 股股票的信息。A 股股东名册与港股股东名册将共同记载本次发行后公司全部已发行股份的信息。

（三）发行人股票无面值并以人民币为股票交易币种在上海证券交易所科创板进行交易

根据《若干意见》的规定，试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范等事项可适用境外注册地公司法等法律法规规定。公司作为一家注册于中国香港并在香港联交所上市的红筹企业，根据《公司条例》的规定，香港注册公司的面值制度自2014年3月3日起被全面取消，因此公司股份无面值。公司本次发行的股票拟于上交所上市，根据中国结算关于股票登记结算的相关规定，人民币普

通股（A股）股票以人民币结算。公司本次发行的股票无面值，以人民币为股票交易币种在上交所交易。

（四）关于同业竞争

截至2022年12月31日，除本公司及其直接或间接控制的子公司以外，华虹集团控制的其他企业中，华力微与发行人存在同业竞争。发行人和华力微在历史沿革、资产、人员、商标商号等方面相互独立，双方在总体定位和工艺路线方面存在显著差异；在不同工艺节点的重合工艺平台，工艺节点是衡量代工能力的关键因素，双方不具有替代性、竞争性和利益冲突，不存在同业竞争；但在重合工艺节点的重合工艺平台，双方存在同业竞争，但不存在利益输送或相互让渡商业机会等情形，也不构成重大不利影响的同业竞争。具体详见本招股说明书“第八节公司治理与独立性”之“八、同业竞争”。

1-1-19华虹半导体有限公司招股说明书

（五）财务报告审计截止日后主要财务信息和经营情况

1、财务报告审计截止日后主要经营状况

公司财务报告审计截止日为2022年12月31日。财务报告审计基准日至本招股说明书签署日，公司的整体经营环境未发生重大变化，公司经营状况良好，公司主营业务的经营模式、主营业务的采购模式及采购价格、主要产品的生产、

销售模式及价格、主要客户及供应商的构成、主要经营管理层及核心技术人员、

税收政策以及其他可能影响投资者判断的重大事项等方面均未发生重大变化，亦未发生其他可能影响投资者判断的重大事项。

2、2023年1-3月合并财务报表的主要财务数据

安永华明对公司2023年3月31日的资产负债表、2023年1-3月的利润表、

现金流量表以及相关财务报表附注进行了审阅，并出具了安永华明（2023）专字第 60985153_B06 号《审阅报告》。经审阅，公司财务报告审计截止日后主要财务信息如下：

（1）合并资产负债表主要数据

单位：万元项目2023年3月31日2022年12月31日变动幅度

资产合计4943625.984787661.433.26%

负债合计1888103.352033597.98-7.15%

所有者权益合计3055522.632754063.4610.95%

截至2023年3月31日，公司资产合计为4943625.98万元，较2022年末增长3.26%，总体保持稳定；公司负债合计为1888103.35万元，较2022年末下降7.15%，主要系支付资本性开支及上年度计提的年终奖金所致；期末所有者权益为3055522.63万元，较2022年末增长10.95%。

（2）合并利润表主要数据

单位：万元

项目2023年1-3月2022年1-3月变动幅度

营业收入437430.04380717.8014.90%

营业利润90258.3161550.2446.64%

利润总额90296.4959078.8552.84%

1-1-20华虹半导体有限公司招股说明书

项目2023年1-3月2022年1-3月变动幅度

净利润96645.7063627.3551.89%

归属于母公司所有者的净利润104422.8264164.6462.74%扣除非经常性损益后归属于母

100130.5559272.2368.93%

公司所有者的净利润

2023年1-3月，公司营业收入为437430.04万元，较2022年同期增长14.90%，

主要原因系生产经营规模持续增长；扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的

净利润为100130.55万元，较2022年同期增长68.93%主要原因系收入规模和毛利率同比均有所增长。

（3）合并现金流量表主要数据

单位：万元

项目2023年1-3月2022年1-3月变动幅度

经营活动产生的现金流量净额101219.24126992.02-20.29%

投资活动产生的现金流量净额-148926.00-76258.70-95.29%

筹资活动产生的现金流量净额180532.521544.5111588.66%

现金及现金等价物净增加额125494.6350601.17148.01%

2023年1-3月经营活动产生的现金流量净额为101219.24万元，同比下降

20.29%，主要系材料和维护等支出增加所致。

（4）非经常性损益的主要项目和金额

单位：万元

非经常性损益明细2023年1-3月2022年1-3月非流动资产处置损益，包括已计提资产减值准-7.2827.29备的冲销部分计入当期损益的政府补助（与正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定7566.0312669.46额或定量持续享受的政府补助除外）

除上述各项之外的其他营业外收入和支出38.18-2471.40

其他符合非经常性损益定义的损益项目1.50227.56

所得税影响数-183.68242.68

少数股东权益影响数（税后）-3122.47-5803.18

非经常性损益金额4292.274892.41

3、2023年1-6月业绩预计情况

1-1-21华虹半导体有限公司招股说明书

基于报告期后的经营状况，公司预计2023年1-6月的营业收入区间约85.00亿元至87.20亿元，同比增长7.19%至9.96%；预计可实现的归属于母公司所有者的净利润区间约12.50亿元至17.50亿元，同比增长3.91%至45.47%；预计可实现扣除非经常性损益后的归属于母公司所有者权益的净利润区间约11.50亿元

至16.50亿元，同比增长2.93%至47.69%。

二、发行人及本次发行的中介机构基本情况

（一）发行人基本情况中文名称华虹半导体有限公司公司成立日期2005年1月21日

英文名称 HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED

张素心、唐均君、孙国栋、已发行股份总1308147031股（截至公司董事王靖、叶峻、张祖同、王桂数2023年6月30日）

壎、叶龙蜚香港中环夏悫道12号美主要生产经营地中国上海张江高科技园区注册地址国银行中心2212室址哈雷路288号直接控股股东华虹国际实际控制人上海市国资委在其他交易场所

计算机、通信和其他电

行业分类 （申请）挂牌或上 1347.HK（香港联交所）

子设备制造业（C39）市的情况

（二）本次发行的有关中介机构国泰君安证券股份有限国泰君安证券股份有限公

保荐人公司、海通证券股份有主承销商

司、海通证券股份有限公司限公司

中信证券股份有限公司、中

国国际金融股份有限公司、发行人律师上海市通力律师事务所联席主承销商东方证券承销保荐有限公

司、国开证券股份有限公司安永华明会计师事务所保荐人（主承销审计机构上海市锦天城律师事务所（特殊普通合伙）商）律师

截至2022年12月31日，国泰君安持有发行人10000股股份；国泰君安的实际控发行人与本次发制人上海国际间接持有发

行有关的保荐人、行人4.88%股权。

承销机构、证券服截至2022年12月31日，务机构及其负责海通证券的重要关联方上保荐人（主承天职国际会计师事务所人、高级管理人海国盛间接持有发行人

销商）会计师（特殊普通合伙）

员、经办人员之间4.88%股权。

存在的直接或间按照上海证券交易所的相

接的股权关系或关规定，保荐人安排子公司其他利益关系国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司参与本次发行战略配售，获配股数分别为

1-1-22华虹半导体有限公司招股说明书

8155000股，获配股数对应

金额分别为424060000.00元，最终跟投比例分别为

2.00%。国泰君安证裕投资

有限公司和海通创新证券投资有限公司获得本次配售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起24个月。

除前述情形之外，发行人与本次发行有关的保荐人、承

销机构、证券服务机构及其

负责人、高级管理人员、经办人员之间均不存在其他直接或间接的股权关系或其他权益关系。

（三）本次发行其他有关机构中国证券登记结算有限股票登记机构收款银行招商银行上海分行责任公司上海分公司其他与本次发行有关的机构无

三、本次发行概况

（一）本次发行的基本情况本次发行的基本情况

股票种类 人民币普通股（A 股）根据《公司条例》第 135 条，公司本次发行的人民币普通股（A每股面值

股）股票无面值占发行后总股本

发行股数407750000股23.76%比例占发行后总股本

其中：发行新股数量407750000股23.76%比例占发行后总股本股东公开发售股份数量无无比例

1715897031 股，其中：A 股 407750000 股，港股 1308147031

发行后总股本股

每股发行价格52.00元34.71倍（发行价格除以每股收益，每股收益按2022年经审计的发行市盈率扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司股东的净利润除以发行后总股本计算）1.96元（按202215.17元（按照2022年12年度经审计的扣月31日经审计的归属于除非经常性损益发行前每股净资产母公司所有者的净资产除发行前每股收益前后孰低的归属以本次发行前的总股本计于母公司所有者

算）的净利润除以本次发行前总股本

1-1-23华虹半导体有限公司招股说明书

计算）1.50元（按202223.76元（按照2022年年度经审计的扣

12月31日经审计的归属除非经常性损益

于母公司所有者净资产加前后孰低的归属发行后每股净资产发行后每股收益上本次发行募集资金净额于母公司所有者之和除以本次发行后总股的净利润除以本本计算）次发行后总股本

计算）

发行市净率2.19倍（按发行价格除以发行后每股净资产计算）

本次发行将采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合

发行方式 条件的投资者询价配售和网上向持有上海市场非限售 A 股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式

符合资格的参与战略配售的投资者、网下投资者及已于上交所开立账户并符合条件的自然人、法人、其他机构投资者（中国法律、发行对象法规及监管文件禁止购买者除外）或符合中国证监会、上交所相关资格规定的其他目标认购人承销方式余额包销

募集资金总额2120300.00万元

募集资金净额2092067.70万元

华虹制造（无锡）项目

8英寸厂优化升级项目

募集资金投资项目特色工艺技术创新研发项目补充流动资金

保荐承销费用26058.60万元

审计、验资费用822.65万元

律师费用636.00万元发行费用用于本次发行的信息

590.00万元

披露费用

发行手续费用及其他125.05万元

注：本次发行各项费用均为含增值税金额。

保荐人子公司国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有

限公司参与本次发行战略配售，获配股数分别为8155000股，获保荐人相关子公司拟参配股数对应金额分别为424060000.00元，最终跟投比例分别为与战略配售情况2.00%。国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司获得本次配售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起24个月。

本次发行上市的重要日期刊登初步询价公告日期2023年7月18日初步询价日期2023年7月20日刊登发行公告日期2023年7月24日

1-1-24华虹半导体有限公司招股说明书

申购日期2023年7月25日缴款日期2023年7月27日本次股票发行结束后公司将尽快申请在上海证券交易所科创板上股票上市日期市

（二）本次发行的战略配售情况

1、本次战略配售的总体安排

发行人本次公开发行股票的数量为40775.0000万股普通股，占发行人发行后总股本的比例为23.76%。其中，初始战略配售数量为20387.5000万股，占本次发行总数量的50.00%。本次发行最终战略配售数量为20387.5000万股，占本次发行总数量的50.00%，因最终战略配售股数与初始战略配售股数数量相同，本次发行战略配售数量未向网下发行进行回拨。

本次参与战略配售的投资者由保荐人相关子公司跟投（跟投机构为国泰君安证裕投资有限公司、海通创新证券投资有限公司）和其他参与战略配售的投资者组成，其他参与战略配售的投资者的类型为：与发行人经营业务具有战略合作关系或长期合作愿景的大型企业或其下属企业；具有长期投资意愿的大型保险公司

或其下属企业、国家级大型投资基金或其下属企业。本次战略配售最终结果如下：

获配股数序获配股数占本次初限售期

投资者名称类型获配金额（元）号（股）始发行数（月）量的比例国家集成电路产业投资基

14833424911.85%2513380948.0012

金二期股份有限公司具有长期投中国国有企业结构调整基资意愿的大

2230769235.66%1199999996.0012

金二期股份有限公司型保险公司中国保险投资基金（有限或其下属企

3134615383.30%699999976.0012

合伙）业、国家级大中国互联网投资基金（有型投资基金

438461530.94%199999956.0012限合伙）或其下属企浙江制造基金合伙企业业

538461530.94%199999956.0012（有限合伙）

6国新投资有限公司230769235.66%1199999996.0012

与发行人经上海国际集团资产管理有

7营业务具有96153842.36%499999968.0012

限公司战略合作关无锡市创新投资集团有限

8系或长期合76923071.89%399999964.0012

公司作愿景的大

上海科技创业投资（集团）

9型企业或其48076921.18%249999984.0012

有限公司下属企业

10上海浦东科创集团有限公48076921.18%249999984.0012

1-1-25华虹半导体有限公司招股说明书

获配股数序获配股数占本次初限售期

投资者名称类型获配金额（元）号（股）始发行数（月）量的比例司

11建投投资有限责任公司38461530.94%199999956.0012

上海国盛（集团）有限公

1238461530.94%199999956.0012

司上海国投资本管理有限公

1338461530.94%199999956.0012

司无锡产业发展集团有限公

1438461530.94%199999956.0012

司成都高新投资集团有限公

1538461530.94%199999956.0012

司重庆渝富资本运营集团有

1638461530.94%199999956.0012

限公司

17阿布达比投资局38461530.94%199999956.0012

深圳安鹏创投基金企业

1821153840.52%109999968.0012（有限合伙）

19浙江金控投资有限公司19230760.47%99999952.0012

上海汽车集团股份有限公

2019230760.47%99999952.0012

司

21聚辰半导体股份有限公司19230760.47%99999952.0012

上海澜起红利企业管理合

2219230760.47%99999952.0012

伙企业（有限合伙）

盛美半导体设备（上海）

2319230760.47%99999952.0012

股份有限公司

中微半导体设备（上海）

2419230760.47%99999952.0012

股份有限公司上海张江科技创业投资有

2515384610.38%79999972.0012

限公司上海国盛产业赋能私募投26资基金合伙企业（有限合9615380.24%49999976.0012伙）

安集微电子科技（上海）

279615380.24%49999976.0012

股份有限公司上海硅产业集团股份有限

289615380.24%49999976.0012

公司国泰君安证裕投资有限公

2981550002.00%424060000.0024

司保荐人相关海通创新证券投资有限公子公司

3081550002.00%424060000.0024

司

合计20387500050.00%10601500000.00

发行人在《香港上市规则》项下的关连人士国家集成电路产业投资基金二期

股份有限公司于2023年6月28日与发行人及保荐人（主承销商）签署了股份认

1-1-26华虹半导体有限公司招股说明书购协议，将作为参与战略配售的投资者以不超过30亿元参与本次发行上市的战略配售。上述事项已经2023年7月14日召开的发行人股东大会审议通过。

2、保荐人相关子公司跟投

（1）跟投主体本次发行的保荐人相关子公司按照《上海证券交易所首次公开发行证券发行与承销业务实施细则》（上证发〔2023〕33号）的相关规定参与本次发行的战略配售，投资主体为国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司。

（2）跟投规模本次发行国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司的获配

股数分别为8155000股，获配股数对应金额分别为424060000.00元，最终跟投比例分别为2.00%。

3、其他参与战略配售的投资者拟参与战略配售情况

其他参与战略配售的投资者的选择系在考虑投资者资质以及市场情况后综合确定，为与发行人经营业务具有战略合作关系或长期合作愿景的大型企业或其下属企业；具有长期投资意愿的大型保险公司或其下属企业、国家级大型投资基

金或其下属企业。具体名单参见本节之“三、本次发行概况”之“（二）本次发行的战略配售情况”之“1、本次战略配售的总体安排”。

其他参与战略配售的投资者承诺获得本次配售的股票限售期为自发行人首

次公开发行并上市之日起12个月。限售期届满后，参与战略配售的投资者对获配股份的减持适用中国证监会和上交所关于股份减持的有关规定。

4、配售条件

参与战略配售的投资者已与发行人签署战略配售协议，参与战略配售的投资者不得参加本次发行初步询价（但证券投资基金管理人管理的公募基金、社保基金、养老金、年金基金除外），并承诺按照发行人和联席主承销商确定的发行价格认购其承诺认购的股票数量，并在规定时间内足额缴付认购资金。

2023年7月18日公布的《华虹半导体有限公司首次公开发行股票并在科创板上市发行安排及初步询价公告》（以下简称“《发行安排及初步询价公告》”）

1-1-27华虹半导体有限公司招股说明书

已披露战略配售方式、战略配售股票数量上限、参与战略配售的投资者选取标准等。

2023年7月20日前，参与战略配售的投资者已向联席主承销商足额缴纳认购资金。联席主承销商在确定发行价格后根据本次发行定价情况确定各投资者最终配售金额、配售数量并通知参与战略配售的投资者，如参与战略配售的投资者获配金额低于其预缴的金额，联席主承销商将及时退回差额。

2023年7月24日公布的《华虹半导体有限公司首次公开发行股票并在科创板上市发行公告》（以下简称“《发行公告》”）已披露参与战略配售的投资者

名称、战略配售回拨、获配股票数量以及限售期安排等。

2023年7月27日公布的《华虹半导体有限公司首次公开发行股票并在科创板上市网下初步配售结果及网上中签结果公告》（以下简称“《网下初步配售结果及网上中签结果公告》”）已披露最终获配的参与战略配售的投资者名称、股票数量以及限售期安排等。

5、限售期限

国泰君安证裕投资有限公司和海通创新证券投资有限公司承诺获得本次配售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起24个月。

其他参与战略配售的投资者承诺获得本次配售的股票限售期限为自发行人本次公开发行并上市之日起12个月。

限售期届满后，参与战略配售的投资者对获配股份的减持适用中国证监会和上交所关于股份减持的有关规定。

四、发行人报告期的主要财务数据和财务指标

2022.12.31/2021.12.31/2020.12.31/

项目

2022年度2021年度2020年度

资产总额（万元）4787661.433833790.972857640.15归属于母公司所有者权益（万

1984479.371708137.661530223.83

元）

资产负债率（合并）42.48%41.90%27.60%

营业收入（万元）1678571.801062967.75673702.63

净利润（万元）272545.62146313.144680.50

1-1-28华虹半导体有限公司招股说明书

2022.12.31/2021.12.31/2020.12.31/

项目

2022年度2021年度2020年度

归属于母公司所有者的净利

300861.26165999.7450545.75润（万元）扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润（万257034.11108322.2918106.19元）

基本每股收益（元）2.311.280.39

稀释每股收益（元）2.291.260.39

加权平均净资产收益率16.30%10.27%3.38%扣除非经常性损益后的加权

13.93%6.70%1.21%

平均净资产收益率经营活动产生的现金流量净

552429.34390548.51243612.02额（万元）

现金分红（万元）---

研发投入占营业收入的比例6.41%4.86%10.97%

注：上述财务指标的计算方法详见本招股说明书“第六节财务会计信息与管理层分析”

之“八、主要财务指标”的注释。

五、发行人主营业务情况

华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色 IC+功率器件”的战略目标，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

报告期内，发行人向客户提供多工艺平台的晶圆代工服务。发行人按照工艺平台分类的主营业务收入构成情况如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

功率器件522589.9931.36%360062.7434.22%244108.2536.77%嵌入式非

易失性存520497.6331.23%296253.0528.15%231059.4234.80%储器模拟与电

301314.1118.08%161360.0515.33%93614.8814.10%

源管理逻辑与射

182306.6610.94%175691.7616.70%85963.1912.95%

频独立式非

易失性存138583.398.31%57398.195.45%8222.571.24%储器

1-1-29华虹半导体有限公司招股说明书

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

其他1383.230.08%1577.800.15%929.320.14%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%多年来，公司积极参与全球竞争，吸引并服务了众多境内外知名客户，在全球半导体产业竞争中占据了重要位置。根据 IC Insights 发布的 2021 年度全球晶圆代工企业排名中，华虹半导体位居第六位，中国大陆第二位。公司在报告期内的业务增长均高于同行标杆企业或全球行业平均，同时，公司也是全球领先、中国大陆排名第一的特色工艺晶圆代工企业。

发行人生产经营所需的原材料主要包括硅片、化学品、气体、靶材等，并根据市场预测与产能情况规划晶圆产品的生产计划，并按客户实际订单需求进行投产。发行人采用直销模式开展销售业务，与客户直接沟通并形成符合客户需求的解决方案，最终达成与客户签订订单。

有关发行人主营业务情况详见本招股说明书“第五节业务与技术”之“（一）公司的主营业务及主营产品情况”、“三、发行人的行业地位及竞争优劣势”和“四、发行人主营业务经营情况”。

六、发行人符合科创板定位的相关情况

（一）发行人符合行业领域要求

√新一代信息技术公司主要从事半导体晶圆代工业务，根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），□高端装备公司所处行业为计算机、通信和其他电子□新材料 设备制造业（C39）。根据《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行□新能源规定》，公司所处行业为第四条（一）中□节能环保所规定的“新一代信息技术领域”之“半导公司所属体和集成电路”。

行业领域□生物医药根据国家统计局《战略性新兴产业分类

（2018）》（国家统计局令第23号），公司所处行业为战略性新兴产业分类中的“新型电子元器件及设备制造”（分类代□符合科创板定位的其他领域码：1.2.1）、“集成电路制造”（分类代码：1.2.4）及“电力电子基础元器件制造”（分类代码：6.5.2）。

1-1-30华虹半导体有限公司招股说明书

（二）发行人符合科创属性相关指标要求科创属性评价标准一是否符合指标情况最近三年累计研发投入占最近

三年累计营业收入比例≥5%，或公司最近三年累计研发投入233240.05√是□否

最近三年累计研发投入金额≥万元，满足≥6000万元的要求

6000万元

发行人2022年末研发人员为1195人，占研发人员占当年员工总数的比

√是□否总人数的比例为17.68%，满足≥10%的例≥10%要求

应用于公司主营业务的发明专截至报告期末，发行人拥有与主营业务√是□否利（含国防专利）≥5项相关的主要发明专利4141项最近三年营业收入复合增长率

2022年营业收入为1678571.80万元，满

≥20%，或最近一年营业收入金√是□否足最近一年≥3亿元的要求

额≥3亿

七、发行人选择的具体上市标准

根据《科创板上市规则》《若干意见》及《关于创新试点红筹企业在境内上市相关安排的公告》（中国证券监督管理委员会公告〔2020〕26号），发行人作为已在境外上市的红筹企业选择的具体上市标准为：“市值200亿元人民币以上，且拥有自主研发、国际领先技术，科技创新能力较强，同行业竞争中处于相对优势地位”。

公司2022年8月8日向上交所首次提交科创板全套申报文件，截至2022年

8月7日，按2022年8月5日的港元对人民币汇率中间价折算，公司前120个

交易日内平均市值超过200亿元人民币，满足招股说明书（申报稿）中明确选择的具体上市标准。

八、发行人公司治理特殊安排等重要事项

发行人为一家设立于香港并在香港联交所上市的红筹企业，治理模式与适用中国法律、法规和规范性文件的一般 A 股上市公司的公司治理模式存在一定差异，具体详见本招股说明书“第八节公司治理与独立性”之“二、注册地的公司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的主要差异”。

九、募集资金用途

本次发行的募集资金扣除发行费用后的净额计划投入以下项目：

1-1-31华虹半导体有限公司招股说明书

单位：亿元序号项目名称拟使用募集资金金额拟使用募集资金比例

1华虹制造（无锡）项目125.0069.44%

28英寸厂优化升级项目20.0011.11%

3特色工艺技术创新研发项目25.0013.89%

4补充流动资金10.005.56%

合计180.00100.00%

十、财务报告审计截止日后的主要经营情况

审计截止日至本招股说明书签署日期间，公司生产经营情况正常，产业政策、业务模式、原材料采购、产品销售、主要客户及供应商等方面均未发生重大变化。

十一、其他对发行人有重大影响的事项

截至本招股说明书签署日，发行人不存在其他有重大影响的事项。

1-1-32华虹半导体有限公司招股说明书

第三节风险因素

投资者在评价发行人此次公开发行股票时，除本招股说明书提供的其他各项资料外，应特别考虑下述各项风险因素。以下风险因素可能直接或间接对发行人及本次发行产生重大不利影响。发行人提请投资者仔细阅读本节全文。

一、与发行人相关的风险

（一）技术风险

1、未能紧跟工艺节点、工艺平台等技术迭代的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“1、未能紧跟工艺节点、工艺平台等技术迭代的风险”。

2、技术人才流失或无法获得相应人才的风险

随着半导体行业技术的不断进步，对技术人才的专业性、经验要求和管理能力的要求也不断提升，已形成较高的技术门槛。同时，行业中的人才竞争及流动也日益激烈，截至2022年12月31日，公司共有研发人员1195人，但累计通过股权激励计划授出的股份激励无法覆盖所有研发人员和重要技术人员，如果公司的薪酬体系、激励措施和保护措施无法为自身吸引到相匹配的技术与管理人才，则可能面临人才的流失并使公司激烈的行业竞争格局中处于不利境地，从而影响公司的持续发展。

3、知识产权保护与技术泄密的风险

在半导体行业的发展与竞争中，相应的知识产权保护体系至关重要，也是获取竞争优势与长期发展的关键要素。截至2022年12月31日，公司拥有境内、外主要发明专利4100余项及大量工艺技术积累，由于技术保护措施存在一定的局限性，在人员流动、上下游业务交流的过程中，公司的核心技术和重要研发成果仍面临一定的泄密风险，从而对公司在技术方面的竞争优势产生不利影响。

1-1-33华虹半导体有限公司招股说明书

（二）经营风险

1、与国际龙头企业存在差距的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“3、与国际龙头企业存在差距的风险”。

2、募投项目短期影响经营业绩或未来无法达到预期收益的风险

公司本次募集资金拟投资项目实施后公司固定资产规模将大幅增加，而募投项目投资回收期较长，因此在短期内募投项目新增折旧和摊销或将对发行人经营业绩产生一定的影响；同时如果市场环境发生重大不利变化，公司募集资金投资项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，公司则可能面临无法按既定计划实现预期收益的风险。

3、消费电子行业需求下降的风险

报告期各期，公司在消费电子领域的收入分别为410113.51万元、670625.64万元和1075329.63万元，占主营业务收入比例分别为61.77%、63.73%和64.52%，整体呈上升趋势；但在包括通讯产品和计算机在内的广义消费电子领域，公司的收入分别为522567.47万元、848295.80万元和1293562.45万元，占主营业务收入比例分别为78.71%、80.61%和77.61%，受手机市场需求下滑的影响，2022年在广义消费电子领域的收入占比有所下降。

近年以来半导体行业需求整体放缓，产能紧张状态有所缓解，并呈现出结构化特征，消费电子市场总体需求走弱。2022年第四季度，受消费电子市场总体需求走弱，发行人在消费电子领域收入有所下降，如未来消费电子行业需求继续大幅下降，或出现公司无法快速准确地适应市场需求的变化，新产品市场开拓不及预期，客户开拓不利或重要客户合作关系发生变化等不确定因素使公司市场竞争力发生变化，导致公司消费类产品出现售价下降、销售量降低等不利情形，公司消费电子领域业绩则将面临更多不确定性，会给公司消费电子领域带来收入下降的风险。

1-1-34华虹半导体有限公司招股说明书

4、募投项目无法顺利实施的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“11、募投项目无法顺利实施的风险”。

（三）法律风险

1、公司现行的治理结构与中国境内设立的 A 股上市公司存在差异的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“4、公司现行的治理结构与中国境内设立的 A 股上市公司存在差异的风险”。

2、公司 A 股公众股东通过诉讼方式寻求保护自身权利存在不确定性的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“5、公司 A 股公众股东通过诉讼方式寻求保护自身权利存在不确定性的风险”。

3、公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的合规与监管风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“6、公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的合规与监管风险”。

4、知识产权的风险

知识产权是公司在半导体行业内保持自身竞争力的关键，主要包括专利、集成电路布图设计、商业秘密等。若公司在运用相关技术进行生产经营时，未能充分认识到可能侵犯第三方申请在先的知识产权，或其他公司未经授权而擅自使用或侵犯公司的知识产权，则可能产生知识产权侵权的纠纷，对公司业务造成不利影响。

同时，获得第三方公司知识产权许可或引入相关技术授权是行业惯例。存在相关知识产权许可或技术授权到期后，因第三方公司原因或因其他因素无法继续使用或续期的风险。此外，基于2018年11月与上海集成及华力微分别签订的技术许可及技术开发协议，公司于报告期内快速完成了华虹无锡项目的建设及量产

1-1-35华虹半导体有限公司招股说明书工作。虽然公司已逐步完成自身相应特色工艺平台的优化升级，但如果相关授权发生变化，则可能对公司的部分技术使用产生影响。

未来，如果发生上述风险情形，将对公司的生产经营产生不利影响。同时，公司需采取法律手段维护自身权益，可能耗费一定的人力、物力、财力。

5、环境保护的风险

公司在生产经营中会产生废水、废气和固体废物（含危险废物），同时公司生产厂房需遵守国家及各地的环境保护法律法规。未来如果公司由于环保设施运行故障等原因发生环境污染事件，可能将受到相关部门的行政处罚，并对公司的生产经营产生不利影响。同时，如果国家或各地出台更为严格的环保要求，公司需投入相应资金对现有环保设施进行升级改造。

6、安全生产的风险

公司生产所需的部分原材料存在一定危险性，对于操作人员的技术及操作工艺流程要求较高。公司未来如果生产设备出现故障，或者危险材料和设备使用不当，可能导致火灾、爆炸、危险物泄漏等意外事故，公司将面临员工伤亡、财产损失、甚至产线停工等风险，并可能造成客户流失或受到相关部门的行政处罚，将对公司的生产经营产生不利影响。

7、诉讼仲裁风险

公司所处的晶圆代工行业是带动半导体产业联动的关键环节，且公司经营规模较大，客户、供应商数量众多。在未来的业务发展过程中，公司不能排除因知识产权、合同履行等事项，与客户、供应商或其他第三方发生诉讼或仲裁，从而耗费公司的人力、物力以及分散管理精力，并承担败诉后果的风险，可能会对公司的生产经营造成不利影响。

（四）财务风险

1、经营业绩下滑风险

报告期内，公司营业收入分别为673702.63万元、1062967.75万元和

1678571.80万元，归属于母公司股东的净利润分别为50545.75万元、165999.74

万元和300861.26万元。

1-1-36华虹半导体有限公司招股说明书

受经济增速放缓、消费信心等因素影响，2022年消费电子、通讯产品、计算机等终端应用产品市场出现短期波动，需求整体走弱。未来受市场规模变化、行业竞争加剧、产品更新换代等因素综合影响，下游市场需求可能发生波动，进而影响公司收入及盈利水平。如果公司未能及时应对上述市场变化，将面临经营业绩下滑的风险。

2、主营业务毛利率波动风险

报告期内，公司的主营业务毛利率分别为17.60%、27.59%和35.59%，公司毛利率呈上升趋势。如果未来半导体行业景气度下降、行业竞争加剧、原材料采购价格上涨，则可能导致公司产品单价的下降或单位成本的上升，主营业务毛利率存在下降的风险。

3、应收账款坏账风险

报告期各期末，公司应收账款账面余额分别为65150.52万元、98739.55万元和161166.52万元，应收账款账面余额占当期营业收入的比例分别为9.67%、

9.29%和9.60%。公司报告期内前五大应收账款账面余额占比分别为40.50%、

42.67%和36.80%，应收账款较为集中。未来若出现宏观经济环境不佳、行业景

气度下降、主要客户的经营情况发生不利变化，公司仍将面临应收账款无法收回导致的坏账损失风险。

4、存货减值风险

报告期各期末，公司存货账面价值分别为148317.95万元、347403.71万元和496424.87万元，占流动资产比例分别为16.21%、22.81%和23.17%，公司的存货占流动资产的比重逐年升高。由于下游市场需求存在一定的不确定性，未来存货价值仍然有减值的可能。

5、固定资产建设投资风险

晶圆代工行业属于典型的资本密集型行业，固定资产投资的需求较高、设备购置成本高，而公司近年紧抓行业发展机遇积极进行产能扩充，固定资产投资规模较大。截至2022年12月31日，公司固定资产的账面价值为1866371.19万元，占公司总资产的比例为38.98%；公司在建工程的账面价值为479067.70万元，占公司总资产的比例为10.01%。公司持续的产能扩充对后续资金投入提

1-1-37华虹半导体有限公司招股说明书

出了较高要求，公司的资金筹措能力面临较大的考验。同时，若公司未来收入规模的增长无法消化大额固定资产投资带来的新增折旧，公司将面临盈利能力下降的风险。

6、依赖境内运营子公司股利分配的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“7、公司注册地、上市地和生产经营地所在司法管辖区的合规与监管风险”。

7、税收优惠政策风险

公司子公司上海华虹宏力具备高新技术企业资格，在报告期内享受高新技术企业的15%企业所得税优惠税率，未来，如果上述税收优惠政策发生变化或者上述子公司不再符合相关资质，将对公司未来的所得税费用产生不利影响。

8、汇率波动的风险

报告期内，公司财务费用分别为-15674.05万元、-15046.81万元和81092.93万元，公司汇兑损益分别为10624.44万元、15421.32万元和-71775.26万元。

2022年美元较人民币整体呈升值趋势，华虹无锡为扩大产能，借入较多的美元借款，美元升值导致华虹无锡确认大额汇兑损失，公司2022年财务费用大幅增加。公司的销售、采购、债权及债务均存在以外币结算的情形，由于汇率受国内外政治、经济环境等众多因素的影响，若未来人民币兑外币汇率短期内呈现较大波动，公司将面临汇率波动的风险。

9、公司存在与累计未弥补亏损相关的风险

截至报告期期末，公司合并报表层面累计未弥补亏损金额为3956.61万元。

该等累计未弥补亏损主要来自于发行人起步期的亏损。晶圆代工行业普遍具有前期投入大且由于产能爬坡和工艺稳定需要一定的时间，销售收入的提升通常滞后于设备投入；加上发行人在建厂初期行业环境不成熟和研发投入较大的影响，导致发行人在起步期积累了较大金额的累计未弥补亏损。报告期内，公司分别实现归属母公司净利润50545.75万元、165999.74万元和300861.26万元，累计未弥补亏损得到持续弥补。如后续经营业绩受到宏观环境、行业周期等影响出现无法预计的下滑，造成累计未弥补亏损短期内无法得到完全弥补，可能会对公司后

1-1-38华虹半导体有限公司招股说明书

续资金状况、业务拓展、团队稳定和人才引进等产生不利影响，进而对公司经营产生一定的不利影响。

10、政府补助政策发生变化的风险

报告期各期，公司获得的扣税后计入损益的政府补助分别为40043.21万元、

69126.63万元和72750.65万元，占当期净利润比例分别为855.53%、47.25%和

26.69%，当期计入归母损益的政府补助金额分别为30301.17万元、57652.39万

元和40406.24万元，占当期归母净利润的比例分别为59.95%、34.73%和13.43%。

未来，若政府部门对公司的支持政策发生变化，公司能否继续获得政府补助以及获得政府补助的金额等存在不确定性，进而对公司盈利水平产生一定的影响。

（五）管理风险

报告期内，公司生产经营规模不断扩大，资产规模、员工人数持续增长，随着募集资金投资项目的实施，公司资产规模和人员规模也将进一步增长，对公司组织管理制度及管理体系提出更高的要求。因此，如果公司管理水平不能适应经营规模扩张的需要，管理制度及管理体系未能及时调整和完善，公司将面临较大的管理风险。

二、与行业相关的风险

（一）宏观经济波动和行业周期性的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“2、宏观经济波动和行业周期性的风险”。

（二）市场竞争加剧的风险

根据美国半导体行业协会（SIA）统计，目前全球半导体需求正处于高位，而半导体行业产能不足和芯片短缺已经波及多个行业。2021年全球半导体新建产线投资规模也将达到创纪录的1480亿美元，较2020年增长超过30%，并且预计2021年至2025年半导体制造行业投资规模平均为1560亿美元，较2016年至2020年的年均投资规模970亿美元大幅增长61%。现有市场参与者扩大产能及新投资者的进入，将可能使市场竞争加剧。

1-1-39华虹半导体有限公司招股说明书目前，公司产品的主要市场领域包括新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、消费电子等。如果公司不能准确把握行业发展规律、持续研发创新、改善经营管理，从而导致无法持续开发创新产品、提升产品质量、降低生产成本，则可能对公司的盈利能力造成不利影响。

（三）供应商集中度较高的风险

报告期内，发行人向前五大原材料供应商采购额合计分别为119668.62万元、

154402.11万元和180166.78万元，占原材料采购总额比例分别为45.08%、38.50%

和35.31%，供应商集中度较高。

尽管目前发行人所需采购的原材料供应相对充足，但若未来由于贸易摩擦、关税制度或其他不可抗力因素导致原材料供应商延迟交货、限制供应或提高价格，可能对发行人持续生产经营能力造成不利影响。

（四）国际贸易摩擦的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“7、国际贸易摩擦的风险”。

（五）产业政策变化风险

半导体产业是我国的战略支柱产业，近年来国家层面出台一系列支持政策。

在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体行业整体的设计能力、生产工艺、自主创新能力有了较大的提升。如未来上述产业政策出现不利变化，将对发行人的业务发展、人才引进、生产经营产生一定不利影响。

三、其他风险

（一）公司作出的承诺在实际履行时的相关风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“9、公司作出的承诺在实际履行时的相关风险”。

1-1-40华虹半导体有限公司招股说明书

（二）中国香港及中国大陆资本市场的特征存在差异带来的交易价格的风险香港联交所及上交所科创板具有不同的交易时间、交易特征（包括交易量及流动性）、交易及上市规则及投资者基础（包括不同级别的零售及机构参与）。

由于此类差异，公司 A 股股票与港股股票的交易价格可能并不相同。由于各个资本市场都有其特有情况，公司港股股票交易价格的波动可能会对 A 股股票的交易价格造成影响，反之亦然。公司股票价格波动不仅受公司经营及财务状况的影响，同时还可能受到宏观政策、经济形势、市场环境、投资者预期等多种因素的影响。提请投资者在购买公司股票前了解股票价格波动，充分认识投资风险，并作出审慎判断。

（三）境外持续信息披露监管与境内可能存在差异的风险

详见本招股说明书“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（一）风险提示”之“10、境外持续信息披露监管与境内可能存在差异的风险”。

1-1-41华虹半导体有限公司招股说明书

第四节发行人基本情况

一、发行人基本情况中文名称华虹半导体有限公司

英文名称 HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED

已发行股份总数1308147031股（截至2023年6月30日）

公司董事张素心、唐均君、孙国栋、王靖、叶峻、张祖同、王桂壎、叶龙蜚成立日期2005年1月21日注册地址香港中环夏悫道12号美国银行中心2212室主要生产经营地址中国上海张江高科技园区哈雷路288号邮政编码201210

联系电话86-21-38829909

传真号码86-21-50809999

互联网网址 www.huahonggrace.com

电子信箱 IR@hhgrace.com信息披露负责部门上市公司工作部

信息披露境内代表 Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）信息披露负责部门联

86-21-38829909

系电话

二、发行人设立情况和报告期内的股本及股东变化情况

（一）发行人的设立情况

2005年1月21日，发行人依据《公司条例》在中国香港公司注册处完成注册，取得公司注册证书。已发行股份数为1股，每股面值为0.01美元。

（二）发行人报告期内的股本及股东变化情况公司的股本变动原因主要系股权激励计划发行普通股。

1、法定股本的变动情况

2005年1月21日，发行人注册成立时的法定股本为15000000美元，包括

每股面值0.01美元的1500000000股普通股。

1-1-42华虹半导体有限公司招股说明书

在2014年3月3日现行《公司条例》生效前，香港注册公司的法定股本为其公司章程载明可发行的最高股本金额。于2014年3月3日生效的《公司条例》规定香港注册公司股份没有面值，法定股本的概念亦被取消。

2、已发行普通股的变动情况

报告期内，公司已发行普通股变动的具体情况如下：

（1）2020年

2020年度，公司已发行普通股变动概况如下：

事项普通股股份数（股）

2019年12月31日已发行普通股数1288819560

行使股票期权发行股数8995713

2020年12月31日已发行普通股数1297815273

2020年度，公司已发行普通股变动具体如下：

根据股票期权计划，公司发行普通股8995713股。截至2020年12月31日，公司已发行普通股1297815273股，公司的股权结构如下：

序号股东名称持股数量（股）持股比例（%）

1华虹国际347605650（注1）26.78

2鑫芯香港24239892518.68

3联和国际（注2）160545541（注3）12.37

4其他港股股东54726515742.17

合计1297815273100.00

注1：华虹国际实际持有347605650股，另有2795450股系华虹国际为张江集团托管，后文同。截至本招股说明书签署日，该等股权托管关系已完成解除，标的股票已划转至Zhangjiang GU KE。

注 2：联和国际的全资子公司 Wisdom Power、Panther Rock Limited、Fitzalan Holdings

Limited 亦直接持有发行人股份，持股数量分别为 28415606 股、5828846 股及 674902 股，持股比例分别为2.19%、0.45%及0.05%。

注3：含联和国际以托管方式持有的3084股股份，下同。

（2）2021年

2021年度，公司已发行普通股变动概况如下：

事项普通股股份数（股）

2020年12月31日已发行普通股数1297815273

1-1-43华虹半导体有限公司招股说明书

行使股票期权发行股数3376312

2021年12月31日已发行普通股数1301191585

2021年度，公司已发行普通股变动具体如下：

根据股票期权计划，公司发行普通股3376312股。截至2021年12月31日，公司已发行普通股1301191585股，公司的股权结构如下：

序号股东名称持股数量（股）持股比例（%）

1华虹国际34760565026.71

2鑫芯香港17870592513.73

3联和国际（注）16054554112.34

4其他港股股东61433446947.21

合计1301191585100.00

注：因 Panther Rock Limited 与 Fitzalan Holdings Limited 已于 2021 年 1 月 5 日出售其全

部 6503748 股股份。因此自 2021 年 1 月 5 日后，联和国际的全资子公司仅有 Wisdom Power仍直接持有发行人28415606股股份，下同。

（3）2022年

2022年，公司已发行普通股变动概况如下：

事项普通股股份数（股）

2021年12月31日已发行普通股数1301191585

行使股票期权发行股数5645155

2022年12月31日已发行普通股数1306836740

2022年，公司已发行普通股变动具体如下：

根据股票期权计划，公司发行普通股5645155股。截至2022年12月31日，公司已发行普通股1306836740股，公司的股权结构如下：

序号股东名称持股数量（股）持股比例（%）

1华虹国际34760565026.60

2鑫芯香港17870592513.67

3联和国际16054554112.29

4其他港股股东61997962447.44

合计1306836740100.00

1-1-44华虹半导体有限公司招股说明书

（三）发行人历史沿革中的股权托管情况

1、华虹国际为张江集团托管发行人2795450股股份

报告期内，华虹国际曾为张江集团托管发行人2795450股股份，具体形成原因及演变情况如下：

（1）股权托管的形成原因及演变情况

2005 年，华虹 NEC 拟重组后于境外上市，为实现将华虹 NEC 境内股东的

股权转移至境外，华虹 NEC 的股东进行了一系列股权转让。

华虹集团、华虹国际与张江集团、张江国际于2005年3月3日签订的《关于华虹半导体有限公司和上海华虹 NEC 电子有限公司境外信托契据》（以下简称“境外信托契据”）及华虹集团、华虹国际与张江集团于2005年3月3日签订

的《关于股权托管及划转的协议》（以下简称“股权托管及划转协议”），张江集团将华虹 NEC 0.49%股权（以下简称“华虹 NEC 权益”）委托华虹集团代管并划

转至华虹国际，并授权华虹国际根据境外股权转让协议将其持有的华虹 NEC 权益置换为发行人0.49%股权（对应发行人2795450股，以下简称“发行人权益”）；

股权置换后，由华虹国际根据协议约定代张江集团持有及管理发行人权益，并代表张江集团行使发行人权益项下的股东权利以及履行相应的股东义务；张江集团

根据协议约定保留发行人权益项下的处分权、收益权等股东权利，并承担相应义务。

国务院国有资产监督管理委员会于2005年2月4日出具国资产权[2005]150号《关于对上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权向境外划转及注入拟上市公司资产评估项目予以核准的批复》，核准华虹 NEC 中方股东股权向境外划转及注入拟上市公司项目的资产评估报告。

中华人民共和国商务部分别于2005年3月31日、2005年4月30日、2005年 7 月 28 日核发商合批[2005]178 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司向境外划转股权并在香港设立华虹半导体有限公司的批复》、商资批[2005]720 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司股权转让等事宜的批复》、商资批[2005]1540 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司转股的批复》，同意上述事宜。

1-1-45华虹半导体有限公司招股说明书

中华人民共和国国家发展和改革委员会于2005年5月8日核发发改外资[2005]730 号《国家发展改革委关于上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权全部转移境外并在香港上市项目核准的批复》，同意上述事宜。

（2）股权托管的解除过程

2022 年 5 月 9 日，华虹集团、华虹国际与张江集团、Zhangjiang GU KE 签

订了《关于<境外信托契据><关于股权托管及划转的协议>之解除协议》，约定解除境外信托契据、股权托管及划转协议，前述协议约定之股权托管相关安排同时终止，各方相互配合于该协议生效之日起 90 日内将标的股票划转至 ZhangjiangGU KE。

2022年5月17日，张江集团召开第三届董事会第三次会议并作出决议：“原则同意指定张江科投下属 Zhangjiang GU KE 作为承接主体，将华虹半导体股权无偿划转其持有”。2022 年 6 月 9 日，标的股票已划转至 Zhangjiang GU KE。

因此，上述标的股票托管关系已完成解除以及划转手续，华虹集团、华虹国际与张江集团之间不再存在任何股权托管相关的安排，华虹集团、华虹国际亦不再代张江集团持有及管理任何华虹半导体股票；华虹集团、华虹国际、张江集团、

Zhangjiang GU KE 各方之间不存在任何委托持股、信托持股或任何其他利益安排。

综上，发行人直接控股股东华虹国际所持股份目前为港股流通股，股份权属清晰，不存在纠纷。

2、联和国际代为托管发行人股份根据发行人、Grace Cayman 与联和国际于 2011 年 12 月 28 日签订的《EscrowDeed》，发行人收购 Grace Cayman 完成后发行额外 11，010，635 股股份，由联和国际托管，联和国际作为托管人在托管股份中没有任何实益权益，而只是为了被托管人的利益持有相应托管股份，并且如联和国际拟转让托管股份，需遵守适用的法律法规、托管协议并根据发行人章程获得相应授权；在联和国际作为托管

股份的登记股东期间，联和国际不得行使托管股份的表决权；若在托管期限内发行人进行分红，发行人有权扣留并预留托管股份所对应的分红。根据上述约定，托管人与被托管人构成香港法律项下的合同法律关系。

1-1-46华虹半导体有限公司招股说明书

2013年因联和国际解除托管时个别股东未交回解除相关托管股份的转让文件，故由联和国际代为托管3，645股发行人股份，2016年3月9日，联和国际已将其中的561股发行人股份转让给实际权益持有人。截至本招股说明书签署日，联和国际仍为相关股东（Chen Li 和 Lin，Fen—Hung）托管 3，084 股发行人股份。鉴于前述股东持有的股份无法在境内 A 股股票市场流通或者转换，被托管人不存在通过本次发行上市在境内 A 股股票市场获得不当利益的情形。

上述托管股份系因历史原因形成的，联和国际并非基于被托管人的委托而托管该等股份，而是因无法联系该等被托管人而被动继续托管该等股份，不属于《监管规则适用指引—关于申请首发上市企业股东信息披露》规定的需要清理的股份代持。若被托管人联系联和国际要求返还相关托管股份，其将会及时将相应股份转让给被托管人，其与被托管人之间不存在任何纠纷或者潜在纠纷。

三、发行人设立以来重要事件情况

（一）2005 年收购华虹 NEC

2005 年 3 月 3 日，华虹 NEC 相关股东、发行人签订股权转让相关协议，约

定华虹 NEC 当时全体注册于境内的股东分别将其持有的华虹 NEC 股权划转、转

让予相关境外主体，并由发行人向前述划转或转让完成后的华虹 NEC 全体股东发行股份购买其合计持有的华虹 NEC 100%股权。

国务院国有资产监督管理委员会于2005年2月4日出具国资产权[2005]150号《关于对上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权向境外划转及注入拟上市公司资产评估项目予以核准的批复》，核准华虹 NEC 中方股东股权向境外划转及注入拟上市公司项目的资产评估报告。

中华人民共和国商务部分别于2005年3月31日、2005年4月30日、2005年 7 月 28 日核发商合批[2005]178 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司向境外划转股权并在香港设立华虹半导体有限公司的批复》、商资批[2005]720 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司股权转让等事宜的批复》、商资批[2005]1540 号《商务部关于同意上海华虹 NEC 电子有限公司转股的批复》，同意上述事宜。

中华人民共和国国家发展和改革委员会于2005年5月8日核发发改外资

1-1-47华虹半导体有限公司招股说明书[2005]730 号《国家发展改革委关于上海华虹 NEC 电子有限公司中方股东股权全部转移境外并在香港上市项目核准的批复》同意上述事宜。

华虹国际、NEC、香港海华有限公司（以下简称“香港海华”）及 Newport

已于 2005 年 6 月 1 日被登记为发行人股东，华虹 NEC 之股权已于 2005 年 10 月

9日变更登记至发行人名下。

（二）2011年股份回购及合并

发行人于 2011 年回购了 Newport 持有的发行人 57050000 股普通股股份，并与联和国际控制的 Grace Cayman 进行了合并。发行人股东会已于 2011 年 7 月、

2011年9月审议通过前述事宜。2011年9月30日，发行人当时之间接控股股东

华虹集团、Grace Cayman 当时之间接控股股东上海联和共同向上海市国资委提交《关于上海华虹 NEC 电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司境外母公司合并工作情况的报告》，将前述回购事宜、合并方案、合并完成后相关股东的股权比例等事宜报告予上海市国资委。2011年11月28日，上海市国资委产权管理处出具了《说明》，确认已收阅相关工作报告。2011年12月16日，中华人民共和国国家发展和改革委员会下发《国家发展改革委关于香港华虹半导体有限公司与开曼宏力半导体制造有限公司合并项目核准的批复》（发改外资[2011]2982号）至上海市发展改革委，批复同意前述合并项目。

（三）2013 年 4 月联和国际将托管股份转让予 Grace Cayman 的合并前股东

在发行人与 Grace Cayman 合并完成后，联和国际持有对发行人本金为 6900万美元的可转换公司债券，联和国际未实施相关转股权利，相关转股权已于2012年 9 月 30 日失效。根据发行人、Grace Cayman 与联和国际于 2011 年 12 月 28日签订的《Escrow Deed》，联和国际将其持有的 11010635 股托管的普通股股份按照合并前原股东在Grace Cayman对应的持股比例转让予Grace Cayman的合并前股东（其中，已退出股东所应受让的股份由受让该等股东所持发行人股份的受让方承继）。因个别股东未交回解除托管的转让文件，联和国际仍为相关股东代为托管3645股股份。发行人已于2013年3月召开董事会，同意前述股份转让事宜。

1-1-48华虹半导体有限公司招股说明书

（四）2014年10月发行人在香港联交所首次公开发行股票并上市

发行人股东大会于2014年9月20日作出决议，同意发行人公开发行股票，同时批准董事行使发行人配发、发行及处置股份的一切权力（包括作出要约、订立协议、或授出将会或可能须配发及发行股份的证券的权力）。

发行人于2014年10月以11.25港币/股的价格公开发行合计228696000股股份；本次发行完成后，发行人已发行股份总数增至1033871656股。2014年

10月15日，发行人在香港联交所主板挂牌上市。

（五）2018年11月增资发行人于2018年1月3日与大基金签订《认购协议》，约定大基金（无论是通过其自身或是通过其指定人士）认购发行人242398925股股份，认购价为每股12.9002港元；发行人股东特别大会于2018年2月14日作出决议，同意前述股份认购事宜。大基金指定的主体鑫芯香港已于2018年11月7日完成前述股份认购。

华虹集团于2017年12月15日召开一届五十三次党委会，同意上述股份认购事宜；大基金已于2017年12月15日召开第二十次董事会审议通过上述股份认购事宜，并就前述事宜于2017年12月15日出具了《国家集成电路产业投资基金重大项目核准意见表》。

报告期内，公司不存在重大资产重组的情况。

四、发行人在其他证券市场上市或挂牌的情况

（一）公司股票于香港联交所上市情况

2014 年 10 月 15 日，公司于香港联交所主板挂牌上市，股票代码为“1347.HK”。

公司以每股11.25港币的价格公开发行合计228696000股股份，扣除包销费用及佣金以及全球发售所涉及的其他费用后募集资金合计为3.202亿美元。本次发行完成后，发行人已发行股份总数增至1033871656股。

（二）申报前120个交易日内的市值情况

发行人本次首次公开发行股票的申报时间为2022年8月，按照2022年8月5日的港元对人民币汇率中间价折算，公司申报前120个交易日内，平均市

1-1-49华虹半导体有限公司招股说明书

值为334.11亿元人民币。本招股说明书签署日前120个交易日内，公司平均市值大于200亿元人民币。

五、发行人股权结构

截至2022年12月31日，发行人股权结构如下：

100%

上海市国资委

100%100%100%

20.58%

仪电集团上海国盛上海国际51.59%上海联和大基金

11.69%18.36%18.36%100%

100%巽鑫（上海）投华虹集团资有限公司

100%100%

其他华虹国际联和国际鑫芯香港

47.44%26.60%12.29%13.67%

华虹半导体有限公司

100%100%100%100%100%22.22%

28.78%

HHGrace HHGrace

力鸿科技 Grace Cayman 上海华虹宏力 华虹无锡

USA Japan

100%100%

华虹制造无锡置业

六、发行人子公司、分公司及参股公司情况

截至本招股说明书签署日，发行人拥有8家子公司，无分公司，7家参股公司。

（一）子公司情况

1、上海华虹宏力

公司名称上海华虹宏力半导体制造有限公司

注册资本782857.78万元

实收资本782857.78万元法定代表人张素心成立日期2013年1月24日

统一社会信用代码 91310000057674532R

注册地/主要生产经营地中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

1-1-50华虹半导体有限公司招股说明书

集成电路产品有关的设计、开发、制造、测试、封装，销售经营范围集成电路产品及相关技术支持，销售自产产品。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）股东构成及控制情况发行人持股100%

在发行人业务板块中的定位生产及销售半导体产品，属于公司主营业务的组成部分上海华虹宏力最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产4886695.72

净资产2879618.40

营业收入1677837.62

净利润290520.79

注：上述财务数据为合并数据，均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

2、华虹无锡

公司名称华虹半导体（无锡）有限公司

注册资本253685.18万美元

实收资本253685.18万美元法定代表人张素心成立日期2017年10月10日

统一社会信用代码 91320214MA1R9H5T8X

注册地/主要生产经营地无锡市新吴区新洲路30号

集成电路产品的设计、开发、制造、测试、封装、销售及技经营范围术服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可展开经营活动）

华虹半导体持股22.22%、上海华虹宏力持股28.78%、大基金

股东构成及控制情况持股20.58%、无锡锡虹联芯投资有限公司持股20%、国家集

成电路产业投资基金二期股份有限公司持股8.42%

在发行人业务板块中的定位生产及销售半导体产品，属于公司主营业务的组成部分华虹无锡最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产3141854.59

净资产1570579.77

营业收入676591.99

1-1-51华虹半导体有限公司招股说明书

净利润-57787.04

注：上述财务数据为合并数据，均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

3、无锡置业

公司名称华宏置业（无锡）有限公司

注册资本3000.00万元

实收资本3000.00万元法定代表人周卫平成立日期2020年9月1日

统一社会信用代码 91320214MA22BL8941

注册地/主要生产经营地 无锡市新吴区和风路 26 号新发汇融广场 C 栋 339 室

许可项目：房地产开发经营；住宅室内装饰装修；各类工程建设活动（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：物经营范围

业管理；停车场服务；建筑材料销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）股东构成及控制情况华虹无锡持股100%

作为华虹无锡项目的配套保障，建设华虹无锡集成电路产业在发行人业务板块中的定位配套及人才用房

无锡置业最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产116983.40

净资产-1726.43

营业收入0.00

净利润-2305.87

注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

4、华虹制造

公司名称华虹半导体制造（无锡）有限公司

注册资本40.20亿美元实收资本0元法定代表人张素心成立日期2022年6月17日

1-1-52华虹半导体有限公司招股说明书

统一社会信用代码 91320214MABP7NAE9E

注册地/主要生产经营地无锡市新吴区新洲路30-1号

一般项目：集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路设计；集成经营范围电路芯片设计及服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）

上海华虹宏力持股29.10%、发行人持股21.90%、国家集成电

股东构成及控制情况路产业投资基金二期股份有限公司持股29.00%、无锡锡虹国

芯投资有限公司持股20.00%

新设子公司，为募投项目华虹制造（无锡）项目的实施主体，在发行人业务板块中的定位系公司主营业务的组成部分

注：新设子公司，尚未实际生产经营。

华虹制造最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产0.00

净资产0.00

营业收入0.00

净利润0.00

注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

5、Grace Cayman

公司名称 Grace Semiconductor Manufacturing Corporation已发行股份1股成立日期1999年10月5日

注册地/主要生产经营地开曼群岛

股东构成及控制情况发行人持股100%主营业务投资控股在发行人业务板块中的定位系公司投资平台

Grace Cayman 最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产51476.95

净资产48079.67

营业收入0.00

1-1-53华虹半导体有限公司招股说明书

净利润3.37

注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

6、力鸿科技

公司名称 Global Synergy Technology Limited公司编号870507已发行股份10000股成立日期2003年11月12日

注册地/主要生产经营地 1501 Capital Centre151 Gloucester RoadWan ChaiHong Kong

股东构成及控制情况发行人持股100%主营业务贸易在发行人业务板块中的定位作为公司的贸易平台

力鸿科技最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产32197.05

净资产3523.22

营业收入734.18

净利润-1644.32

注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

7、HHGrace Japan

公司名称 HHGrace Semiconductor Japan Co. Ltd.已发行股份200股成立日期2006年5月2日

注册地/主要生产经营地日本东京

股东构成及控制情况发行人持股100%主营业务半导体产品销售

在发行人业务板块中的定位与公司主营业务具有相关性，为公司提供相关销售支持HHGrace Japan 最近一年的主要财务数据如下：

1-1-54华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产337.01

净资产302.31

营业收入59.52

净利润2.75

注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

8、HHGrace USA

公司名称 HHGrace Semiconductor USAInc.已发行股份数10000股成立日期2005年10月20日

注册地/主要生产经营地美国加利福尼亚州

股东构成及控制情况发行人持股100%主营业务半导体产品销售

在发行人业务板块中的定位与公司主营业务具有相关性，为公司提供相关销售支持HHGrace USA 最近一年的主要财务数据如下：

单位：万元

项目2022年12月31日/2022年度

总资产1660.23

净资产1018.16

营业收入1168.53

净利润45.93

注：上述财务数据均已按照企业会计准则和本公司会计政策的规定编制并包含在本公司的合并财务报表中。该合并财务报表已由申报会计师进行审计并出具了标准无保留意见的“安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号”《审计报告》。

（二）参股公司情况

截至2022年12月31日，发行人存续的重要参股公司共2家。该等重要参股公司的选取标准为：发行人通过一级控股子公司间接持股比例超过10%的参股公司。此外，公司还有5家参股公司。

1、华虹科技

公司名称上海华虹科技发展有限公司

1-1-55华虹半导体有限公司招股说明书

统一社会信用代码913101155543416243

公司类型有限责任公司（外商投资企业与内资合资）法定代表人徐任重成立日期2010年5月10日注册资本54800万元人民币实收资本54800万元人民币

注册地/主要生产中国（上海）自由贸易试验区锦绣东路2777弄28号503室经营地股东持股比例

股东构成上海华虹宏力50.00%

华虹集团50.00%主营业务及其在发

行人业务板块中的科技开发及投资，与发行人主营业务无关定位

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（万元）138625.70

净资产（万元）75010.86最近一年的财务数

营业收入（万元）17682.66据

净利润（万元）5335.49

上述财务数据为合并数据，最近一审计情况年财务数据经大华会计师事务所（特殊普通合伙）上海分所审计

2、华虹投资

公司名称上海华虹投资发展有限公司统一社会信用代

91310000MA1H3CXX3T

码公司类型其他有限责任公司法定代表人王靖成立日期2020年11月25日注册资本48000万元人民币实收资本33600万元人民币

注册地/主要生产 中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路 888 号 A 楼 666经营地室股东持股比例

华虹集团60.00%股东构成

华力微20.00%

上海华虹宏力20.00%

1-1-56华虹半导体有限公司招股说明书

主营业务及其在

发行人业务板块产业链公司股权投资，与发行人主营业务无关中的定位

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（万元）70582.77

净资产（万元）64916.62最近一年的财务

营业收入（万元）571.70数据

净利润（万元）16617.69最近一年财务数据经大华会计师

审计情况事务所（特殊普通合伙）上海分所审计

3、其他参股公司

投资时控股方/第序号公司名称注册资本参股情况主营业务间一大股东

开发、设计、发行人通过一级全

上海华力加工、制造和

2207239.722016年资子公司上海华虹

1微电子有华虹集团销售集成电

8万元4月宏力间接持股

限公司路和相关产

6.34%

品发行人通过一级全上海矽睿

2014年资子公司上海华虹智能传感器

2科技股份170000万元上海联和

5月宏力间接持股系统

有限公司

0.62%

上海艾为发行人通过一级全集成电路芯电子技术2021年资子公司上海华虹

316600万元孙洪军片研发、设计

股份有限8月宏力间接持股和销售

公司0.11%发行人通过参股公

2011年产业园区租

4华虹置业38297万元司华虹科技间接持华虹科技

10月赁

股50%发行人通过参股公

2012年

5华锦物业550万元司华虹科技间接持华虹科技物业管理

6月

股50%

（三）报告期内注销事项

上海华杰芯片技术服务有限公司原为发行人控股子公司，发行人通过上海华虹宏力间接持有其100%股权，因处于停业状态，无实质性业务开展，已于2021年2月19日注销。

1-1-57华虹半导体有限公司招股说明书

（四）发行人与控股股东、实际控制人或董事、高级管理人员共同投资情况

1、共同投资公司的基本情况

发行人存在与间接控股股东华虹集团共同投资公司的情形，共同投资公司包括华虹科技、华力微、华虹投资、华虹置业、华锦物业，前述共同投资公司的具体情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分公司及参股公司情况”之“（二）参股公司情况”。

2、共同投资公司的背景、原因和必要性

华虹科技主要是通过华虹置业、华锦物业两家子公司开发华虹创新园并运营管理；华力微追求先进逻辑工艺晶圆代工，与华虹半导体是华虹集团基于半导体制造行业的不同技术发展路径所设立的不同业务板块；华虹投资为投资半导体产业链上下游公司成立。华虹半导体全资子公司上海华虹宏力基于自身战略发展需要，投资上述公司。

发行人对共同投资设立的公司均以货币出资，发行人与其他股东按持股比例履行出资义务，发行人对共同投资设立的公司出资价格公允，不存在损害发行人利益的情形。

3、发行人与共同投资公司的业务往来

报告期内，发行人与华虹科技、华力微、华虹置业、华锦物业存在业务往来，具体请详见本招股说明书之“第八节公司治理与独立性”之“十、关联（连）交易情况”。该等关联（连）交易均已按照《公司章程》《联交所上市规则》等有关规定履行了必要的程序，该等交易真实、合法合规，在商业角度具备必要性、合理性，定价公允，不存在损害发行人利益的行为。

报告期内，发行人与华虹投资不存在业务往来。

1-1-58华虹半导体有限公司招股说明书

七、持有发行人5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况

（一）控股股东、实际控制人基本情况

1、直接控股股东基本情况

截至2022年12月31日，直接控股股东华虹国际实际直接持有公司

347605650股股份，占公司股份总数的26.60%。华虹国际基本情况如下：

公司名称 Shanghai Hua Hong International Inc.成立日期2002年1月2日公司编号114899

注册地/主要生产经 The offices of CO Services Cayman Limited P.O. Box 10008 Airport

营地 Willow House Cricket Square Cayman Islands已发行股份数5万股股东构成及控制情

华虹集团持股100%况主营业务投资控股与公司主营业务的无关系

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（万元）4937543.96

净资产（万元）2773164.46最近一年的财务数

营业收入（万元）1678571.80据

净利润（万元）273029.14

上述财务数据为合并数据，最近一年的财务数据审计情况已经大华会计师事务所（特殊普通合伙）上海分所审计

2、间接控股股东基本情况

截至2022年12月31日，华虹集团直接持有华虹国际100%的股份，华虹集团通过华虹国际实际间接持有发行人347605650股股份，占发行人股份总数的

26.60%，系发行人的间接控股股东。华虹集团的基本情况如下：

公司名称上海华虹（集团）有限公司

注册资本1125655.37万元

实收资本1321423.10万元（注）成立日期1996年4月9日

统一社会信用代码 91310000132263312B

1-1-59华虹半导体有限公司招股说明书

注册地/主要生产经中国（上海）自由贸易试验区碧波路177号营地

组织开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产品，投资集成电路设计、制造、销售、应用及相关高科技产业，咨询服务，资产管经营范围理，自有房屋租赁，停车场（库）经营。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

上海市国有资产监督管理委员会持股51.59%，上海国际集团有限公股东构成及控制情

司持股18.36%，上海国盛（集团）有限公司持股18.36%，仪电集团况

持股11.69%

主营业务投资控股、资产经营与公司主营业务的无关系

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（万元）12229859.33

净资产（万元）6923026.94最近一年的财务数

据营业收入（万元）3160878.31

净利润（万元）-4782.74

上述财务数据为合并数据，最近一年财务数据未审计情况经审计

注：实收资本与注册资本的差异为相关国有资本经营预算已到位金额，相关增资的工商变更手续尚在办理过程中，本招股说明书所涉华虹集团的股权比例均以工商登记的注册资本口径计算。

3、公司实际控制人基本情况

截至2022年12月31日，上海市国资委直接持有华虹集团51.59%的股权，系发行人的实际控制人。

4、控股股东和实际控制人持有发行人股份权属限制情况

截至本招股说明书签署日，公司控股股东和实际控制人直接或间接持有的公司股份不存在质押或其他有争议的情况。

5、控股股东和实际控制人报告期内的刑事犯罪或重大违法行为

报告期内，控股股东、实际控制人不存在贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序的刑事犯罪，不存在欺诈发行、重大信息披露违法或者其他涉及国家安全、公共安全、生态安全、生产安全、公众健康安全等领域的重大违法行为。

1-1-60华虹半导体有限公司招股说明书

（二）其他持有发行人5%以上股份的主要股东

截至2022年12月31日，除华虹国际外，其他直接持有发行人5%以上股份的主要股东为：联和国际及其全资子公司 Wisdom Power、鑫芯香港。其基本情况如下：

1、联和国际及其全资子公司 Wisdom Power

截至2022年12月31日，联和国际直接持有、以托管方式持有以及通过全资子公司 Wisdom Power 间接持有合计发行人 188961147 股股份，占发行人股份总数的14.46%。

（1）基本情况

联和国际成立于1998年3月25日，基本情况如下：

公司名称 Sino-Alliance InternationalLtd公司编号80586已发行股份5万股

The offices of Vistra （Cayman） Limited P.O. Box 31119 Grand

注册地 Pavilion Hibiscus Way 802 West Bay Road Grand Cayman

KY1-1205 Cayman Islands成立日期1998年3月25日经营范围投资控股

股东上海联和持股100%

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（美元）851863279.55

净资产（美元）849388279.55最近一年的财务数据

营业收入（美元）0.00

净利润（美元）-25948527.99审计情况最近一年财务数据未经审计

Wisdom Power 成立于 2000 年 8 月 8 日，基本情况如下：

公司名称 Wisdom Power Technology Limited公司编号103014已发行股份100股

The offices of Vistra （Cayman） Limited P.O. Box 31119 Grand

注册地 Pavilion Hibiscus Way 802 West Bay Road Grand Cayman KY1-1205

Cayman Islands

1-1-61华虹半导体有限公司招股说明书

成立日期2000年8月8日

股东联和国际持股100%

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（美元）162577308.42

净资产（美元）144552078.42最近一年的财务数据

营业收入（美元）0.00

净利润（美元）-49260783.91审计情况最近一年财务数据未经审计

（2）股权结构

联和国际及其全资子公司 Wisdom Power 股权结构如下：

上海市国有资产监督管理委员会

100.00%

上海联和

100.00%

联和国际

100.00%

Wisdom Power

2、鑫芯香港

（1）基本情况

截至2022年12月31日，鑫芯香港直接持有发行人13.67%的股份。鑫芯香港的基本情况如下：

公司全称 Xinxin （Hongkong） Capital Co. Limited公司编号2196863已发行股份8000194065股

31/F. Tower Two Times Square 1 Matheson Street Causeway Bay

注册地

Hong Kong成立日期2015年1月27日主营业务投资控股

股东巽鑫（上海）投资有限公司持股100%

1-1-62华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年12月31日/2022年度

总资产（万元）1518839.31

净资产（万元）1515593.31最近一年的财务数据

营业收入（万元）25.79

净利润（万元）-214489.97审计情况最近一年财务数据未经审计

（2）股权结构

鑫芯香港股权结构如下：

大基金

100.00%巽鑫（上海）投资有限公司

100.00%

鑫芯香港

（三）发行人控股股东、实际控制人控制的其他企业情况

截至2022年12月31日，发行人直接控股股东华虹国际、间接控股股东华虹集团控制的除发行人外的一级子公司情况如下：

序号企业名称关联（连）关系主营业务网络系统设

Hua Hong International 直接控股股东华虹国际持股 计、服务；集

（Americas）Inc. 100% 成电路设计、销售上海华虹挚芯电子科技有限公间接控股股东华虹集团持股

2集成电路设计

司93.02%间接控股股东华虹集团持股产业链公司股

3华虹投资

60.00%权投资

开发、设计、

间接控股股东华虹集团持股加工、制造和

4华力微

53.79%销售集成电路

和相关产品

以电子产品、间接控股股东华虹集团持股半导体产品为

5上海华虹虹日电子有限公司

51.00%主的贸易业务

等间接控股股东华虹集团持股科技开发及投

6华虹科技

50.00%资

1-1-63华虹半导体有限公司招股说明书

集成电路相关领域内的技术

华虹集团子公司，华虹集团持有

7上海集成（注）开发、技术咨

其29.94%的股权

询、技术服务、技术转让轨道交通系统

上海华虹计通智能系统股份有华虹集团子公司，华虹集团持有

8集成、产品销

限公司其25.32%的股权售和提供服务

注：上海集成于2023年3月完成工商变更，不再属于华虹集团控制的公司。

根据上海市国资委网站列示的信息，截至本招股说明书签署日，除华虹集团外，上海市国资委监管的企业具体情况如下：

序号类别企业名称核心业务

1功能保障类上海国际集团有限公司金融控股、投资与资产经营管理

国有资本运营管理、投资与投资

2功能保障类上海国盛（集团）有限公司

管理、资产整合与处置

3功能保障类上海国有资本投资有限公司国有资本投资管理

机场运营与投资、机场相关配套

4功能保障类上海机场（集团）有限公司

服务

上海临港经济发展（集团）有限公园区投资、开发与运营，园区相

5功能保障类

司关配套服务，园区相关产业投资城市更新与区域投资开发、房地

6功能保障类上海地产（集团）有限公司

产开发经营路桥等基础设施投资建设与运营管理，水务、垃圾固废处理等

7功能保障类上海城投（集团）有限公司

设施投资与运营管理，房地产开发经营与资产管理

交通运输投资、运营与管理，体

8功能保障类上海久事（集团）有限公司育产业投资经营，资产经营管理（房地产、实业股权）轨道交通运营服务（运营管理、维护保障）、轨道交通投资建设

9功能保障类上海申通地铁集团有限公司

（含投融资、建设管理、沿线物业、设计咨询等）

旅游目的地开发经营、文化影视

10功能保障类上海申迪（集团）有限公司

旅游投资及配套服务

11功能保障类上海联和投资有限公司投资与投资服务

12功能保障类上海联合产权交易所有限公司资源与产权交易及相关服务

长江三角洲及沿江地区的投资

13功能保障类长三角投资（上海）有限公司

与投资服务、园区开发经营上海市现代农业投资发展集团有

14功能保障类-

限公司上海东方枢纽投资建设发展集团

15功能保障类-

有限公司

上海科技创业投资（集团）有限公科技、创业相关产业投资与投资

16功能保障类

司服务

1-1-64华虹半导体有限公司招股说明书

序号类别企业名称核心业务

中国太平洋保险（集团）股份有限商业保险（寿险、产险、养老健

17金融服务类公司康、资产管理等）

商业银行服务、综合金融服务18金融服务类上海浦东发展银行股份有限公司（信托、基金管理、融资租赁、国际投行、货币经纪）

商业银行服务、综合金融服务

19金融服务类上海银行股份有限公司（基金管理、国际投行）

商业银行服务、综合金融服务

20金融服务类上海农村商业银行股份有限公司（金融租赁等）资本市场金融服务（经纪交易、

21金融服务类国泰君安证券股份有限公司投资银行、资产管理、资本投资、资本中介等）资本市场金融服务（经纪交易、投资银行、资产管理、资本投资、

22金融服务类海通证券股份有限公司资本中介等）、综合金融服务（融资租赁、境外银行等）

汽车研发与制造、汽车服务与贸23市场竞争类上海汽车集团股份有限公司易（汽车销售、汽车物流、汽车金融、汽车信息及服务等）

能源装备制造及服务、通用装备

24市场竞争类上海电气集团股份有限公司制造及服务、专用装备制造及服

务精细化学品及基础化工原料制

造、高分子材料及轮胎橡塑制品

25市场竞争类上海华谊集团股份有限公司

制造、化工专业技术及生产性服务生物医药、实业投资与经营（基

26市场竞争类上海实业（集团）有限公司建环保、消费品）、资产经营管理（房地产、金融股权）

上海国际港务（集团）股份有限公港口作业（集装箱、散杂货装卸

27市场竞争类

司等）、港口投资、港口物流服务

电力、燃气为主的能源产品生产与供应，能源及相关服务业（能

28市场竞争类申能（集团）有限公司源创新与环保、电线电缆研发制造与服务、能源服务），金融企业投资管理

建筑工程、建材工业与设计咨

29市场竞争类上海建工集团股份有限公司询，房地产开发经营，基础设施

投资与经营

新一代信息技术产业，不动产、

30市场竞争类上海仪电（集团）有限公司

证券等资产管理

食品产业与供应链、城市食品保

31市场竞争类光明食品（集团）有限公司

障服务与资产经营管理

工程建设产业链综合服务、基础

32市场竞争类上海隧道工程股份有限公司设施投资与经营、房地产开发经

营建筑设计与建设工程全过程咨

33市场竞争类华东建筑集团股份有限公司

询服务、城市设计与开发建设

1-1-65华虹半导体有限公司招股说明书

序号类别企业名称核心业务

商业零售与商贸服务、消费金融

34市场竞争类百联集团有限公司

与证券

酒店管理及投资、旅行服务及相

35市场竞争类锦江国际（集团）有限公司

关运输服务

36市场竞争类东浩兰生（集团）有限公司人力资源、会展赛事、国际贸易

国际贸易及供应链服务、时尚产

37市场竞争类东方国际（集团）有限公司

业及相关服务、纺织品制造

38市场竞争类上海数据集团有限公司-

建设工程技术研究，检测检验，

39市场竞争类上海建科集团股份有限公司

技术服务，工程咨询

40市场竞争类上海投资咨询集团有限公司咨询服务

41市场竞争类绿地控股集团股份有限公司房地产业、建筑业

农资、农产品等商品经营及相关

42市场竞争类上海市供销合作总社

资产经营

资产经营（城镇集体经济）、商

43市场竞争类上海新集体经济合作联社

业贸易与综合服务长三角一体化示范区新发展建设

44受托监管-

有限公司

八、发行人股本情况

（一）本次发行前后的股本情况

本次初始发行的股票数量407750000股，不涉及现有股份的转换，为初始发行后股份总数的23.76%。本次发行前后，公司股本结构如下表所示：

发行前股本结构发行后股本结构序号股东名称

持股数（股）持股比例持股数（股）持股比例

1华虹国际34760565026.57%34760565020.26%

2鑫芯香港17870592513.66%17870592510.41%

3联和国际160545541（注）12.27%1605455419.36%

4其他港股股东62128991547.49%62128991536.21%

5 其他 A 股股东 - - 407750000 23.76%

合计1308147031100.00%1715897031100.00%

注：含联和国际以托管方式持有的3084股股份，下同。

本次发行前后股份总数均以2023年6月30日为基准计算，若未来行权导致股份总数发生变化，股份总数将相应调整。

（二）本次发行前主要股东及其他股东持股情况

截至2022年12月31日，发行人主要股东及其他股东的持股情况如下：

1-1-66华虹半导体有限公司招股说明书

序号股东名称持股数量（股）持股比例（%）

1华虹国际34760565026.60%

2鑫芯香港17870592513.67%

3联和国际16054554112.29%

4其他港股股东61997962447.44%

合计1306836740100.00%

（三）主要股东在公司的任职情况

截至2022年12月31日，公司主要股东中不存在自然人股东。

（四）发行人国有股份情况

根据《上市公司国有股权监督管理办法》（国资委财政部证监会令第36号），华虹国际、联和国际、Wisdom Power、鑫芯香港、Zhangjiang GU KE 在中国证

券登记结算有限责任公司登记的证券账户应标注“CS”标识。

上海市国资委于2022年6月23日出具《市国资委关于华虹半导体有限公司公开发行 A 股股票有关事宜的批复》（沪国资委产权[2022]126 号），华虹国际、联和国际、Wisdom Power、鑫芯香港、Zhangjiang GU KE 的证券账户进行“CS”标识。

（五）申报前十二个月新增持有发行人5%以上股份的股东情况

发行人申报前十二个月不存在新增持有发行人5%以上股份的股东情况。

（六）本次发行前主要股东间的关联（连）关系、一致行动关系及关联（连）股东的各自持股比例

截至2022年12月31日，公司直接持股5%以上的股东为华虹国际、联和国际及其全资子公司 Wisdom Power、鑫芯香港。其中，华虹国际、联和国际及其全资子公司 Wisdom Power 均受上海市国资委控制。上海市国资委间接持有华虹国际100%的股份，并通过上海联和间接持有联和国际100%的股份。

1-1-67华虹半导体有限公司招股说明书

九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况

（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介

1、董事简介

截至本招股说明书签署日，发行人共有董事8名，其中执行董事2名，非执行董事3名，独立非执行董事3名。发行人董事的基本情况如下：

姓名职务本届董事任期提名人董事会主席兼执行张素心2021年5月13日至2024年5月13日董事会董事唐均君执行董事兼总裁2022年5月12日至2025年5月12日董事会孙国栋非执行董事2021年5月13日至2024年5月13日董事会王靖非执行董事2022年5月12日至2025年5月12日董事会叶峻非执行董事2020年5月14日至2023年5月14日董事会张祖同独立非执行董事2021年5月13日至2024年5月13日董事会王桂壎独立非执行董事2022年5月12日至2025年5月12日董事会叶龙蜚独立非执行董事2021年5月13日至2024年5月13日董事会

上述董事的简历如下：

（1）张素心

张素心先生，1964年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工学学士学位；

教授级高级工程师职称。张先生历任上海汽轮机有限公司总裁、上海电气电站集团执行副总裁、上海西门子燃气轮机部件有限公司董事长、上海电气集团股份有

限公司执行董事、上海电气（集团）总公司副总裁、上海金桥（集团）有限公司

党委书记、总经理、上海金桥出口加工区开发股份有限公司董事长及党委书记、

上海市发展和改革委员会副主任、上海市张江高新技术产业开发区管委会副主任等职务。现任发行人董事会主席兼执行董事；华虹国际董事长、首席执行官兼总裁；华虹集团党委书记、董事长。

（2）唐均君

唐均君先生，1964年出生，中国国籍，无境外永久居留权，高级工商管理硕士学位；正高级经济师职称；全国五一劳动奖章、全国劳模、全国优秀党务工

作者荣誉获得者。唐先生历任上海仪表电讯工业局副主任科员、上海无线电十七

1-1-68华虹半导体有限公司招股说明书

厂技术员、上海半导体器件四厂技术员、上海华虹微电子有限公司外事主管等职；

上海华虹 NEC 电子有限公司总务科科长、党委副书记、工会主席兼行政与政府

关系总监；华力微党委书记、副总裁及执行副总裁；华力集总裁；上海华力党委书记。现任上海华虹宏力及华虹无锡党委书记、总裁，发行人执行董事兼总裁。

（3）孙国栋

孙国栋先生，1977年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工商管理专业硕士学位。孙先生历任国家开发银行营业部信息处行员、人事局系统干部处副处长、湖北省分行人事处副处长及处长；华芯投资管理有限责任公司的人力资源部总经理。现任华芯投资管理有限责任公司的总监兼上海分公司总经理、发行人非执行董事。

（4）王靖

王靖女士，1970年出生，中国国籍，无境外永久居留权，经济学硕士学位；

正高级经济师。王女士历任上海市发展和改革委员会产业发展处（服务业发展处）处长；中国（上海）自由贸易试验区管委会副主任；浦东新区副区长；上海推进科技创新中心建设办公室专职副主任；上海市张江高新技术产业开发区管委会副主任等。现任华虹集团总裁、党委副书记、董事，兼任上海华虹虹日电子有限公司董事长、华虹投资执行董事、华虹国际董事。

（5）叶峻

叶峻先生，1972年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工商管理专业硕士学位。叶先生历任上海联和投资部业务员、投资银行部副经理、投资银行部经理、项目经理、业务发展部经理、总经理助理、金融服务投资部经理、副总经理、

党总支委员、党委委员等职位以及上海联和金融信息服务有限公司董事长。现任上海联和董事兼总经理、党委副书记；上海兆芯集成电路有限公司及上海联彤网

络通讯技术有限公司董事长兼总经理；中美联泰大都会人寿保险有限公司、上海

矽睿科技股份有限公司、上海宣泰医药科技股份有限公司、上海众新信息科技有

限公司、上海矽睿半导体技术有限公司及辽宁兆芯电子科技有限公司董事长；上

海紫竹高新区（集团）有限公司副董事长；发行人非执行董事。

1-1-69华虹半导体有限公司招股说明书

（6）张祖同

张祖同先生，1948年出生，中国（香港）籍，理学学士学位；已获英格兰及威尔士特许会计师协会永久会员资格证书、独立董事证书。张先生历任安达信会计师事务所（伦敦）审计从业员；安永会计师事务所审计主任、审计经理、审

计合伙人、专业服务管理合伙人、咨询服务主席及区域副主席；中国国际贸易中心股份有限公司、海湾控股有限公司、南兴集团有限公司、中国太平洋保险（集团）股份有限公司、中国信达资产管理股份有限公司及中国人寿保险股份有限公司独立董事；嘉里建设有限公司独立董事。现任中国国际贸易中心股份有限公司独立董事；发行人独立非执行董事。

（7）王桂壎

王桂壎先生，1951年出生，中国（香港）籍，文学学士学位及法律学士学位；铜紫荆星章获得者，太平绅士。王先生历任香港特区政府律政司署检察官；

英国西盟斯律师行中国主理合伙人；美国法朗克律师行中国主理合伙人、中国香

港及中国顾问、中国香港及中国主理人；香港按揭证券有限公司董事；中海油田服务股份有限公司独立非执行董事。现任王桂壎律师行主理人；维达国际控股有限公司、新创建集团有限公司及发行人独立非执行董事。

（8）叶龙蜚

叶龙蜚先生，1942年出生，中国（香港）籍，物理硕士学位。叶先生历任上海电子管二厂技术员；上海市仪表电子工业局科技处新品科副科长、科长、副

处长、处长、副局长、局长；上海市政府副秘书长、上海市外国投资工作委员会

常务副主任；嘉里控股有限公司项目发展经理；香格里拉（亚洲）有限公司董事

长、副董事长、顾问，2018年3月退休。现任兆邦基地产控股有限公司及发行人独立非执行董事。

2、高级管理人员简介

截至本招股说明书签署日，发行人共有5名高级管理人员，基本情况如下：

姓名职务高级管理人员任职日期唐均君执行董事兼总裁2019年5月周卫平执行副总裁2018年2月

1-1-70华虹半导体有限公司招股说明书

姓名职务高级管理人员任职日期

Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎） 执行副总裁兼首席财务官 2012 年 2 月

Weiran Kong（孔蔚然） 执行副总裁 2012 年 2 月倪立华执行副总裁2021年11月上述高级管理人员的简历如下：

（1）唐均君唐均君先生个人简历情况详见本节“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“1、董事简介”。

（2）周卫平

周卫平先生，1967年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工商管理学硕士学位；教授级高级工程师职称。周先生历任上海贝岭领班、工程师、技术工程部经理、硅片制造部经理、生产总监、副总裁、执行副总裁；宁波杉杉尤利卡太

阳能科技发展有限公司（现已更名为宁波尤利卡太阳能股份有限公司）总经理；

上海贝岭微电子制造有限公司总经理；上海先进半导体制造股份有限公司总裁及

首席执行官、党委书记、副总裁。现任上海华虹宏力党委副书记、上海华虹宏力及华虹无锡执行副总裁；发行人执行副总裁。

（3）Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）

Daniel Yu-Cheng Wang（王鼎）先生，1963 年出生，美国国籍，工商管理硕士学位。王先生历任美国太平洋煤电公司系统工程师；美国 Project Integration 公司系统工程师；美国 Franklin Templeton Investments 全球投资管理服务部资深软

件工程师、分析师；美国 LSI Logic Corporation 内控部经理、财务规划与分析部

经理、宽带娱乐部财务总监；上海宏力半导体制造有限公司执行副总经理兼财务长。现任上海华虹宏力及华虹无锡执行副总裁兼财务长；发行人执行副总裁兼首席财务官。

（4）Weiran Kong（孔蔚然）

Weiran Kong（孔蔚然）先生，1963 年出生，美国国籍，应用物理专业博士学位。孔先生历任北京理工大学工业学院助教；美国 Schlumberger ATE 公司技术

1-1-71华虹半导体有限公司招股说明书

服务资深工程师；美国 ISSI 公司研发工程师；美国 LSI Logic 公司工艺研发主管

工程师；美国 Sun Micro System 公司 CPU 设计部主管工程师；上海宏力半导体

制造有限公司技术研发记忆体技术处技术经理、技术处副处长、技术研发逻辑技

术处处长、技术处副总经理、技术发展单位副总经理，并同时兼任逻辑/功率与技术转移处/记忆体技术处/设计服务处最高主管。现任上海华虹宏力及华虹无锡及发行人执行副总裁，属于核心技术人员。

（5）倪立华

倪立华先生，1968年出生，中国国籍，无境外永久居留权，工学学士学位，集成电路工程硕士学位；高级工程师职称。倪先生历任中国华晶电子集团公司中央研究所工程师；上海华虹微电子有限公司工程师；上海华虹 NEC 电子有限公

司主任、科长、部长；上海新进半导体制造有限公司部门经理；华力微部长、总

监、副厂长；上海华虹宏力及华虹无锡副总裁兼厂长。现任上海华虹宏力及华虹无锡执行副总裁兼厂长；发行人执行副总裁，属于核心技术人员。

3、核心技术人员简介

公司综合考虑员工职责、参与研发项目情况、在核心技术开发中所承担的角

色与贡献程度等多方面因素，确定对公司发展有突出贡献、在公司主要产品研发中具有重要作用的员工为核心技术人员。

截至本招股说明书签署日，发行人共有6名核心技术人员，基本情况如下：

姓名职务

Weiran Kong（孔蔚然） 执行副总裁倪立华执行副总裁杨继业功率器件研发副总裁钱文生设计与器件中心副总裁

Hualun Chen（陈华伦） 首席技术专家兼总监桑浚之首席技术专家兼总监

上述核心技术人员的简历如下：

1-1-72华虹半导体有限公司招股说明书

（1）Weiran Kong（孔蔚然）Weiran Kong（孔蔚然）先生个人简历情况详见本节“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“2、高级管理人员简介”。

（2）倪立华倪立华先生个人简历情况详见本节“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介”之“2、高级管理人员简介”。

（3）杨继业

杨继业先生，1974年出生，中国国籍，无境外永久居留权，应用物理专业学士学位；高级工程师职称。杨先生历任上海华虹 NEC 电子有限公司 CVD 工艺工程师；中芯国际集成电路制造（上海）有限公司薄膜工程资深经理；上海华虹

NEC 电子有限公司一厂成膜一科科长、一厂工程二部/二厂工程二部副部长、二

厂工程二部部长、二厂工程一部部长、上海华虹宏力二厂工程一部部长、集成一

部部长、总监、首席技术专家。现任上海华虹宏力功率器件研发副总裁。

（4）钱文生

钱文生先生，1968年出生，中国国籍，无境外永久居留权，半导体器件与微电子学博士学位；教授级高级工程师职称。钱先生历任东南大学微电子中心助教、讲师、副教授；新加坡南洋理工大学微电子中心访问学者、进修人员（博士后）；新加坡特许半导体制造有限公司主任工程师；上海华虹 NEC 电子有限公

司制品技术部主任、逻辑技术开发部高级主管工程师兼主任、工艺集成部科长、

器件设计部高级专家工程师、部长；上海华虹宏力器件设计部部长、总监、首席技术专家。现任上海华虹宏力设计与器件中心副总裁。

（5）Hualun Chen（陈华伦）

Hualun Chen（陈华伦）先生，1969 年出生，新加坡国籍，工商管理硕士学位；高级工程师职称。陈先生历任中国华晶电子集团有限公司第58研究所薄膜工程组主任；新加坡特许半导体制造有限公司工艺工程部资深工程师；美国台积

1-1-73华虹半导体有限公司招股说明书

电分厂工艺工程部资深工程师；上海华虹 NEC 电子有限公司工艺集成部副主任、

主任、高级主管工程师兼主任、逻辑集成部高级主管工程师、存储器集成部高级

主管工程师、科长、工艺集成部专家工程师兼科长、集成二部副部长、部长；上

海华虹宏力集成二部部长、华虹无锡技术转移与开发部总监。现任华虹无锡首席技术专家兼集成四部总监。

（6）桑浚之

桑浚之先生，1964年出生，中国国籍，无境外永久居留权，系统工程专业博士学位，高级工程师职称。桑先生历任江苏工学院、江苏理工大学教师；上海华虹 NEC 电子有限公司 Foundry 部工程师、设计服务部副主任、主任、副科长、

测试与产品部副部长、部长、测试部总监；上海华虹宏力测试与外包服务总监。

现任上海华虹宏力首席技术专家兼测试与外包服务总监。

（二）董事、高级管理人员及核心技术人员的兼职情况

截至2022年12月31日，发行人董事、高级管理人员及核心技术人员的主要兼职情况（在公司及子公司的任职除外）如下：

兼职单位与发行人姓名公司任职其他任职单位职务的关系间接控股股东控制华力微董事长的企业间接控股股东控制华力集董事长的企业董事会主席党委书张素心

兼执行董事华虹集团记、董事间接控股股东长

董事长、首华虹国际席执行官直接控股股东兼总裁执行董事兼间接控股股东控制唐均君华力微董事总裁的企业间接控股股东控制华力集董事的企业上海集成电路产业投资基金公司董事担任董事董事股份有限公司的公司上海集成电路产业投资基金公司董事担任董事孙国栋非执行董事董事管理有限公司的公司总监兼上公司董事担任高级华芯投资管理有限责任公司海分公司管理人员的公司总经理

芯原微电子（上海）股份有限董事公司董事担任董事

1-1-74华虹半导体有限公司招股说明书

兼职单位与发行人姓名公司任职其他任职单位职务的关系公司的公司上海超越摩尔私募基金管理公司董事担任董事董事有限公司的公司公司董事担任董事

至微半导体（上海）有限公司董事的公司间接控股股东控制华力微副董事长的企业间接控股股东控制华力集董事的企业党委副书

华虹集团记、董事兼间接控股股东总裁王靖非执行董事间接控股股东控制华虹投资执行董事的企业华虹国际董事直接控股股东

Hua Hong International 直接控股股东的全董事长

（Americas）Inc. 资子公司间接控股股东控制上海华虹虹日电子有限公司董事长的企业间接持有发行人

5%以上股份的公

董事兼总

上海联和司、公司董事担任经理

董事、高级管理人员的公司非执行董公司董事担任董事上海银行股份有限公司事的公司公司董事担任董董事长兼

上海兆芯集成电路有限公司事、高级管理人员总经理的公司公司董事担任董事北京兆芯电子科技有限公司执行董事的公司公司董事担任董事西安兆芯集成电路有限公司执行董事叶峻非执行董事的公司公司董事担任董事辽宁兆芯电子科技有限公司董事长的公司中美联泰大都会人寿保险有公司董事担任董事董事长限公司的公司公司董事担任董事上海矽睿科技股份有限公司董事长的公司上海矽睿半导体技术有限公公司董事担任董事董事长司的公司公司董事担任董事格兰菲智能科技有限公司董事的公司上海宣泰医药科技股份有限公司董事担任董事董事长公司的公司上海联彤网络通讯技术有限董事长兼公司董事担任董

1-1-75华虹半导体有限公司招股说明书

兼职单位与发行人姓名公司任职其他任职单位职务的关系

公司总经理事、高级管理人员的公司公司董事担任董事上海众新信息科技有限公司董事长的公司上海新京南金属制品有限公公司董事担任董事董事司的公司公司董事担任董事上海联升投资管理有限公司董事的公司公司董事担任董事上海和品信息科技有限公司执行董事的公司上海市信息投资股份有限公监事无司

上海紫竹高新区（集团）有限公司董事担任董事副董事长公司的公司独立非执行中国国际贸易中心股份有限张祖同独立董事无董事公司王桂壎律师行主理人无独立非执行独立非执王桂壎维达国际控股有限公司无董事行董事独立非执新创建集团有限公司无行董事独立非执行独立非执叶龙蜚兆邦基地产控股有限公司无董事行董事

Daniel执行副总裁

Yu-Cheng 间接控股股东控制

（王 兼首席财务 华力微 监事 Wang 的企业官

鼎）

（三）董事、高级管理人员及核心技术人员之间的亲属关系

截至本招股说明书签署日，公司董事、高级管理人员及核心技术人员相互之间不存在亲属关系。

（四）董事、高级管理人员及核心技术人员最近三年涉及行政处罚、监督

管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查的情况

截至本招股说明书签署日，公司董事、高级管理人员及核心技术人员最近三年不存在受到行政处罚、监督管理措施、纪律处分或自律监管措施、被司法机关

立案侦查、被中国证监会立案调查的情况。

1-1-76华虹半导体有限公司招股说明书

（五）公司与董事、高级管理人员及核心技术人员签订的重要协议及其履行情况

截至本招股说明书签署日，发行人已与在公司任职并领薪的董事、高管人员及核心技术人员签署了劳动合同、保密协议。除上述协议之外，发行人与董事、高级管理人员之间不存在其他协议安排。发行人未与董事、高级管理人员及核心技术人员签订对投资者作出价值判断和投资决策有重大影响的协议。

（六）董事、高级管理人员及核心技术人员最近2年变动情况

最近2年内，发行人董事、高级管理人员及核心技术人员未发生重大变动。

1、董事变动情况

最近2年内，发行人董事没有发生变动。

2、高级管理人员变动情况

最近2年内，发行人高级管理人员的变动情况如下：

时间高级管理人员变动原因

2021年11月倪立华获任执行副总裁因工作需要升任

2022年3月范恒不再担任执行副总裁个人退休原因

发行人最近2年内高级管理人员变动主要系高级管理人员工作需要升任、个

人退休原因所致，不构成重大不利变化，不会对发行人的生产经营产生重大不利影响。

3、核心技术人员变动情况

最近2年内，发行人核心技术人员没有发生变动。

（七）董事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属持有公司股份的情况

截至2022年12月31日，发行人现任董事、高级管理人员及核心技术人员持有发行人权益的情况如下表：

姓名任职情况或亲属关系普通股股份数（股）股份比例

张素心董事会主席兼执行董事--

唐均君执行董事兼总裁--

1-1-77华虹半导体有限公司招股说明书

姓名任职情况或亲属关系普通股股份数（股）股份比例

孙国栋非执行董事--

王靖非执行董事--

叶峻非执行董事--

张祖同独立非执行董事--

王桂壎独立非执行董事--

叶龙蜚独立非执行董事--

周卫平执行副总裁--

Daniel

执行副总裁、首席财务官兼信息

Yu-Cheng 236473 0.0181%披露境内代表

Wang（王鼎）

Weiran Kong

执行副总裁1692600.0130%（孔蔚然）

倪立华执行副总裁120000.0009%

杨继业首席技术专家兼总监--

钱文生首席技术专家兼总监91490.0007%

Hualun Chen

首席技术专家兼总监--（陈华伦）

桑浚之首席技术专家兼总监5950.0000%

截至2022年12月31日，发行人现任董事、高级管理人员、核心技术人员及其近亲属持有的公司股份不存在质押或冻结情况。

（八）董事、高级管理人员及核心技术人员与发行人及其业务相关的对外投资情况

截至2022年12月31日，除持有公司股份外，发行人现任董事、高级管理人员及核心技术人员不存在与发行人及其业务相关的对外投资。

（九）董事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬情况

1、薪酬组成、确定依据及所履行的程序

董事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬主要由基本工资、奖金及股份支付费用等组成。

薪酬委员会的角色及功能包括为所有执行董事及高级管理层制定特定薪酬待遇，包括实物利益、退休金权利及报酬，并就非执行董事的薪酬待遇，向董事

1-1-78华虹半导体有限公司招股说明书会提出建议。薪酬委员会应考虑同类公司支付的薪酬及集团内其他职位的雇佣条件等因素，以及与工作表现挂钩的薪酬安排的可取性。薪酬委员会每年最少须举行一次会议。

除上述收入外，公司现任董事、高级管理人员及核心技术人员未在公司享受其他待遇和退休金计划。最近一年，除与公司无劳动关系的董事外，其余董事、高级管理人员及核心技术人员均未在公司及其子公司以外的关联企业领取薪酬。

2、薪酬总额占发行人利润总额的比重报告期内，公司董事、高级管理人员及核心技术人员的税前薪酬（包括工资、奖金及股份支付费用）及其占公司当期利润总额的比例如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

薪酬总额2774.343724.802805.91

当期利润总额334055.21188048.8413027.37

薪酬总额/当期利润总额0.83%1.98%21.54%

十、公司正在执行的股权激励及其他制度安排和执行情况

发行人的股权激励计划分为第一期股票期权计划与第二期股票期权计划，已于2022年9月到期。发行人于2015年9月、2018年12月、2019年3月及2019年12月分4次共计授出67732000份期权，每份期权可认购发行人1股港股股票。其中，已授予尚未行使的期权23438871份，占2022年12月31日已发行普通股的1.79%。发行人的股票期权计划的具体情况如下：

（一）第一期股票期权计划上海市国资委于2015年8月14日出具《关于同意华虹半导体有限公司实施股权激励计划的批复》（沪国资委分配（2015）278号），原则同意《华虹半导体有限公司股权激励计划草案》，并应按有关规定提交发行人股东大会审议。

发行人股东特别大会于2015年9月1日作出决议，同意采纳股票期权计划，并授权董事会自计划批准日7年内任何时间决定授予股票期权。依据该等股票期权计划，该股票期权计划项下拟授出的所有期权及发行人任何其他股票期权计划项下拟授出的任何期权获行使时可予发行的股票总数，合计不得超过当时的已发

1-1-79华虹半导体有限公司招股说明书

行股本总数的10%；该等股票期权计划项下首次授予的期权数量不超过发行人总股本的3%。

2015年9月4日，发行人向发行人若干员工及当时的董事授出30250000份期权，可按行权价6.912港元认购合计最多30250000股股票，本次期权将于

2022年9月3日失效。本次期权分三期归属。

（二）第二期股票期权计划上海市国资委于2019年3月12日出具《关于同意华虹半导体有限公司实施股权激励计划（二期）的批复》（沪国资委分配（2019）44号），原则同意《华虹半导体有限公司股权激励计划（二期）方案》，并应按有关规定提交发行人股东大会审议。

发行人股东特别大会于2019年3月28日作出决议，同意根据发行人于2015年9月1日采纳的股票期权计划于2018年12月24日授出34500000份股票期权，并同意于2019年12月23日或前后进一步授出4000000份股票期权。上述股票期权计划项下历次授予情况如下：

1、2018年12月授予

2018年12月24日，发行人向发行人若干员工及当时的董事授出34500000份期权，可按行权价15.056港元认购合计最多34500000股股票，本次期权将于2025年12月23日失效。其中，对副总裁及以上级别的职员（包括董事），本次期权分四期归属；对其他职员，本次期权分三期归属。

2、2019年3月授予2019年3月29日，发行人向发行人拟任执行董事兼总裁（其委任于2019年5月1日生效）唐均君先生授出500000份期权，可按行权价18.40港元认购合计最多500000股股票，于2026年3月28日失效。本次期权分四期归属。

3、2019年12月授予

2019年12月23日，发行人向子公司华虹无锡具有重要技术专长及/或担任

核心管理职位的101名员工授出2482000份期权，可按行权价17.952港元认购

1-1-80华虹半导体有限公司招股说明书

合计最多2482000股股票，于2026年12月22日失效。其中，对副总裁及以上级别的职员，本次期权分四期归属；对其他职员，本次期权分三期归属。

4、2021年11月发行人股票期权计划调整

发行人股东特别大会于2021年11月26日作出决议，鉴于现有股票期权计划限额已多数获使用，为使发行人能够更灵活地向其雇员提供激励及奖励，同意将发行人股票期权计划授出限额调整为130047036股股票。

截至2022年12月31日，发行人上述已授予的期权中，已行权的期权数量为30566159份，已授予但尚未行权的期权数量为23438871份。

（三）股票期权计划行权对公司经营状况、财务状况、控制权变化等方面的影响

公司设置期权激励计划，旨在提升激励对象工作积极性，以提升公司股份价值，为全体股东争取利益。期权激励计划有望对公司未来的经营状况及财务状况形成积极作用。

截至2022年12月31日，公司已授予尚未行使的期权23438871份，占2022年12月31日已发行普通股的1.79%。若股票期权计划已授予尚未行使的期权全部行权，则公司主要股东所持公司股权比例变动情况如下：

序截至2022年12月31日持股数量行权后持股数量股东名称

号股份数（股）占比股份数（股）占比

1华虹国际34760565026.60%34760565026.13%

2鑫芯香港17870592513.67%17870592513.43%

3联和国际160545541（注）12.29%16054554112.07%

4其他港股股东61997962447.44%64341849548.37%

合计1306836740100.00%1330275611100.00%

注：含联和国际以托管方式持有的3084股股份。

综上，若公司截至2022年12月31日已授予尚未行使的期权全部行权不会对公司控制权产生不利影响。

1-1-81华虹半导体有限公司招股说明书

十一、公司员工及其社会保障情况

（一）公司员工情况

1、员工数量

报告期内，公司员工人数变动情况如下：

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

员工数量（人）676060845682

2、员工构成

（1）职能构成情况

截至2022年12月31日，公司员工按职能划分的具体构成情况如下：

职能员工数量（人）占总人数比例

管理人员4025.95%

研发人员119517.68%

生产人员506274.88%

市场销售人员1011.49%

合计6760100.00%

（2）学历构成情况

截至2022年12月31日，公司员工按学历划分的具体构成情况如下：

学历员工数量（人）占总人数比例

博士751.11%

硕士158723.48%

本科236735.01%

大专及以下273140.40%

合计6760100.00%

（3）年龄构成情况

截至2022年12月31日，公司员工按年龄划分的具体构成情况如下：

年龄员工数量（人）占总人数比例

30岁以下298344.13%

31至40岁259038.31%

1-1-82华虹半导体有限公司招股说明书

年龄员工数量（人）占总人数比例

41至50岁103415.30%

50岁以上1532.26%

合计6760100.00%

（二）公司执行社会保障、住房公积金制度的情况

1、社会保险及住房公积金缴纳的基本情况

公司按照国家和地方有关社会保障的法律、法规为境内控股子公司符合条件

的员工办理及缴纳了医疗保险、养老保险、失业保险、工伤保险、生育保险等社会保险及住房公积金。

（1）境内缴纳情况

报告期内，公司为员工缴纳境内社会保险和住房公积金的情况如下表所示：

单位：人缴纳人数日期项目员工人数差异人数人数覆盖比例

社会保险671099.26%50

2022.12.316760

住房公积金671099.26%50

社会保险600798.73%77

2021.12.316084

住房公积金600698.72%78

社会保险566199.63%21

2020.12.315682

住房公积金565999.60%23

（2）境外缴纳情况

公司制定了完善的境外员工薪酬和社会保险管理制度，按照境外控股子公司所在地法律、法规的规定，为境外员工缴纳当地相关社会保障、住房保障等费用。

2、报告期内少量员工未缴纳社会保险和住房公积金的原因及具体人数

发行人员工人数与社会保险缴纳人数的差异原因如下：

单位：人

项目2022.12.312021.12.312020.12.31当月新入职员工41918外籍员工212324海外办事处员工999

1-1-83华虹半导体有限公司招股说明书

原工作单位未转移或封存

001

账户的员工当月离职但仍缴纳社保的

-21-46-21人员合计507721

发行人员工人数与住房公积金缴纳人数的差异原因如下：

单位：人

项目2022.12.312021.12.312020.12.31当月新入职员工41918外籍员工212324海外办事处员工999原工作单位未转移或封存

012

账户的员工当月离职但仍缴纳社保的

-21-46-20人员合计507823

报告期内少数员工未缴纳社会保险和住房公积金的原因如下：

（1）海外办事处员工及境内子公司部分外籍员工未缴纳境内社会保险和住房公积金；

（2）部分新入职员工的社会保险和住房公积金缴纳手续在当月申报时点尚未办理完成；

（3）新员工因上一工作单位未转移或封存账户，公司无法为其缴纳社会保

险、住房公积金。

公司已按照《企业会计准则》等相关规定真实、准确和完整确认和计量该等

员工的劳动报酬及其他相关福利费用，不存在少计成本、费用的情况。

3、合规证明情况

根据发行人境内子公司所在地人力资源主管部门、公共信用信息服务中心出

具的合规证明，发行人境内子公司报告期内无因违反劳动法律、法规和规章受到行政处罚的情况。

根据公司及其境外控股子公司的境外法律意见书，公司及其境外控股子公司不存在劳动用工相关的行政处罚。

1-1-84华虹半导体有限公司招股说明书

（三）劳务派遣情况

报告期内，因客观需要，公司部分岗位采用劳务派遣的用工形式。报告期各期末，公司签订劳动合同员工人数和劳务派遣员工人数的具体情况如下：

单位：人

项目2022.12.312021.12.312020.12.31合同制员工人数676060845682劳务派遣员工人数8185113用工总量684161695795

派遣员工占用工总量比例1.18%1.38%1.95%

截至本招股说明书签署日，公司劳务派遣人员所属岗位以总务、安保为主，非公司生产经营重要岗位，符合临时性、替代性和辅助性的要求，并且劳务派遣用工人数占总员工人数比例低于10%。因此，发行人劳务派遣情况已符合《劳务派遣暂行规定》等法律、法规及规范性文件的规定。

1-1-85华虹半导体有限公司招股说明书

第五节业务与技术

一、发行人主营业务情况

（一）公司的主营业务及主营产品情况

1、公司主营业务情况

华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色 IC+功率器件”的战略目标，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。

公司在半导体制造领域拥有超过25年的技术积累，长期坚持自主创新，不断研发并掌握了特色工艺的关键核心技术。根据 TrendForce 的公布数据，在嵌入式非易失性存储器领域，公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及国内最大的 MCU 制造代工企业；在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业。公司的功率器件种类丰富度行业领先，拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET 以及 IGBT 技术成果。公司的技术研发成果曾先后荣获“国家科学技术进步奖二等奖”、“上海市科学技术奖一等奖”、“上海市质量金奖”、“优秀院士工作站”及“上海知识产权创新奖（创造）”等奖项及荣誉。

公司目前有三座 8 英寸晶圆厂和一座 12 英寸晶圆厂。根据 IC Insights 发布的2021年度全球晶圆代工企业的营业收入排名数据，华虹半导体位居第六位，也是中国大陆最大的专注特色工艺的晶圆代工企业。截至2022年末，上述生产基地的产能合计达到32.4万片/月（约当8英寸），总产能位居中国大陆第二位。

过去二十余年，公司依靠卓越的特色工艺技术实力、稳定的产品性能和品质以及产能供给能力赢得了全球客户的广泛认可。公司代工产品性能优越、可靠性高，在新能源汽车、工业、通讯、消费电子等重要终端市场得到广泛应用。公司客户覆盖中国大陆及中国台湾地区、美国、欧洲及日本等地，在全球排名前50名的知名芯片产品公司中，超过三分之一的企业与公司开展了业务合作，其中多家与公司达成研发与生产的战略性合作。未来，公司将继续坚定不移地执行先进

1-1-86华虹半导体有限公司招股说明书

“特色 IC+功率器件”的发展战略，持续提升产品性能和品质，深耕多元化的“特色 IC”平台，不断创新器件结构、丰富拓展车规级工艺，持续保持领先的“功率器件”平台。公司致力于发展先进特色工艺，为全球客户服务。

2、公司的主要产品及服务

公司主要向客户提供8英寸及12英寸晶圆的特色工艺代工服务，在不同工艺平台上，按照客户需求为其制造多种类的半导体产品；同时为客户提供包括 IP设计、测试等配套服务。

（1）晶圆代工服务

在半导体晶圆代工行业内，特色工艺是指以拓展摩尔定律为指导，不完全依赖缩小晶体管特征尺寸（以下简称“线宽”），通过聚焦新材料、新结构、新器件的研发创新与运用，并强调特色 IP 定制能力和技术品类多元性的半导体晶圆制造工艺，主要包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、传感器等工艺平台。

公司坚持布局与持续发展特色工艺技术平台，在 0.35μm 至 90nm 工艺节点的8英寸晶圆代工平台，以及90nm到55nm工艺节点的12英寸晶圆代工平台上，覆盖了上述嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、传感

器等各类工艺平台产品的晶圆代工服务，是行业内特色工艺平台覆盖最全面的企业。

公司特色工艺主要强调综合服务的竞争能力，具体呈现以下特点：第一，拥有较高的器件丰富度，能够提供各类型低电压到高电压的器件，满足不同芯片应用的设计需求；第二，主要类型器件在速度、功耗、导通电阻等性能达到或接近全球领先水平，客户使用以上器件设计的芯片规格才能对标全球高端芯片；第三，具有特色存储器或模拟等 IP 定制能力，满足客户芯片设计多元化需求，从而形成与国际大厂芯片规格的差异化，满足细分终端市场的定制需求，提高供应链与客户粘性；第四，能够提供多元化的技术品类，如嵌入式闪存技术、电源管理技术、功率器件技术，可同时满足客户包含了控制（MCU）、功率驱动（模拟与电源管理芯片）、功率输出（功率器件）的产品制造需求，形成一站式解决方案。

1-1-87华虹半导体有限公司招股说明书

公司各特色工艺平台的代工产品可广泛应用于新能源汽车、工业智造、新一

代移动通讯、物联网、消费电子等领域，具体情况如下：

*嵌入式/独立式非易失性存储器工艺平台主要技术特点芯片类型关键应用领域

如自动泊车、车身控制、智能

车规 MCU

座舱、胎压监测、车灯等

制程范围：0.35μm-55nm

工控类 MCU 智能电网、医疗电子等嵌入式非易公司可以为客户提供同等

失性存储器 规格要求下最小的芯片尺 家电、智能互联设备、照明、消费类 MCU寸以及简化的工艺流程物联网等

身份证、电信 SIM 卡、社保卡、智能卡芯片

银行 IC 卡、各类物联网设备等

制程范围：0.35μm-55nm

独立式非易 提供基于自主知识产权的 NOR Flash、 工业、白色家电、汽车电子及

失性存储器 NORD 闪存以及业界通用 EEPROM 各类低功耗物联网设备等的闪存架构工艺平台在嵌入式非易失性存储器平台，公司主要的代工产品为 MCU（可根据应用领域细分为车规 MCU、工控类 MCU、消费类 MCU 等）以及智能卡芯片，依靠长期的技术创新和经验积累形成了覆盖 8 英寸 0.35μm-90nm 和 12 英寸

90nm-55nm 的嵌入式非易失性存储器代工方案，同等工艺节点下，在制造工艺

光刻层次以及嵌入式闪存 IP 擦写次数等参数方面拥有独特的优势。公司产品广泛应用于汽车、工业和消费电子领域，具有功耗低、可靠性高、IP 面积小、性价比高等特点。在车规 MCU 领域，公司的代工产品成功在车身电子、自动泊车、智能座舱、胎压监测等领域得到广泛应用；同时，公司打造了 0.18μm-90nm 超低漏电以及 0.18μm-55nm 低功耗嵌入式闪存等业内领先的工艺平台，其代工产品广泛应用于智能电网、医疗电子等工控类 MCU 领域以及智能互联设备、物联

网等消费类 MCU 领域。同时，根据 TrendForce 及 ABI Research 的行业数据，公司还是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业，在全球 SIM 卡及银行 IC 卡、国内二代身份证及社保卡领域的市场占有率处于领先地位。

在独立式非易失性存储器平台，公司主要的代工产品包括 NOR Flash 与EEPROM，多数种类的电子设备均需要使用独立式非易失性存储器，应用领域极其广泛，覆盖工业、白色家电、汽车电子以及各类低功耗物联网设备等。以 TWS耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的 AMOLED 和 TDDI 技术，智能物联网，以及功能越来越丰富的车载电子等领域将是未来市场空间的主要增长点。

1-1-88华虹半导体有限公司招股说明书

*功率器件工艺主要技术特点芯片类型关键应用领域平台

计算机、手机、小家电等消费

主要覆盖 200V 以下产品应用 低压 MOSFET类产品

快充、LED 照明、服务器电

功率 主要覆盖 200V-900V 产品应用 超级结 MOSFET

源、充电桩、车载充电机等器件

新能源汽车、光伏、风能发电、

主要覆盖 600V-1700V 产品应用 IGBT 电网直流输变电、储能、变频家电等

在功率器件领域，公司拥有超过 20 年的技术积累，根据 TrendForce 的公布数据，是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业。公司的功率器件种类丰富度行业领先，自主研发的深沟槽式超级结 MOSFET、IGBT 等工艺技术完成了从 8 英寸至

12英寸的升级，推动了国内功率器件全产业链的发展。

公司的超级结 MOSFET 工艺平台的导通电阻、功率密度等均达到全球领先水平，相应电压范围可以涵盖 200-900V，电流范围涵盖 1-100A，高度契合当前热门的大功率快充电源、LED 照明电源、数据中心电源及新能源汽车充电桩及

车载充电机等高端应用需求；公司的 IGBT工艺平台产品具有大电流、高可靠性、

小尺寸等特点，产品应用于新能源汽车以及光伏、风能、储能、变频家电等新能源领域。

*模拟与电源管理工艺平台主要技术特点芯片类型关键应用领域

1、覆盖 0.35μm-55nm，电压 电源管理类模拟芯片 工业控制、汽车电子、范围1.5V-700V的BCD工艺

模拟与电源通讯、智能手机、平板平台；

管理电脑等消费电子等领

2、提供丰富多样的器件类信号链类模拟芯片

域型，满足不同产品所需经过长期的研发创新和技术积淀，公司的模拟与电源管理平台已自主研发覆盖 8 英寸 0.35μm-0.11μm 以及 12 英寸 90nm-55nm 等多代 BCD 工艺平台，器件种类涵盖中低压、高压以及超高压等各类产品（1.5V-700V），是全球领先的模拟与电源管理工艺技术提供商，产品主要应用于工业和汽车电子以及模拟电源、模拟音频功放、电机驱动、数字电源、数字音频功放、照明控制驱动等各类消费电子等领域。

1-1-89华虹半导体有限公司招股说明书

*逻辑与射频工艺平台主要技术特点芯片类型关键应用领域

特色逻辑和射 USB 控制、WIFI、蓝

0.35μm至 55nm逻辑工艺技术以及

频芯片牙、射频前端等

特色射频（RFSOI 工艺技术）、图

逻辑与射频智能手机、平板电脑、

像传感器、微机电器件等特色工艺

图像传感器数码产品、安防等应用组成的摄像头

公司的逻辑与射频工艺平台主要包括特色逻辑射频工艺产品和图像传感器，是国内主要的射频及图像传感器技术制造方案提供商。

（2）配套服务

* IP 设计服务

公司拥有一支富有经验的设计服务队伍，并与世界一流的第三方 IP 公司和设计服务公司合作，为客户提供涵盖标准和定制 IP 开发、全定制版图设计以及匹配客户需求的产品整体解决方案的一站式服务。

以嵌入式非易失性存储器领域为例，公司根据多年的技术积累，依托自身丰富的嵌入式存储器 IP 设计经验、以及工艺整合和 IP 模块测试等方面的综合能力，可根据客户的需求，为客户提供量身定做的嵌入式非易失性存储器 IP，以实现更小的面积、更快的速度、更低的功耗等竞争优势。

*测试服务

公司具有完善的自有测试系统，为客户提供部分特色工艺产品的测试程序开发和晶圆量产测试服务，从产品设计时的可测试性设计、产品测试评价及量产测试系统的开发，到外协的封装测试支持，公司为客户提供全方位的测试技术解决方案。

*晶圆后道加工服务

公司为客户提供晶圆后道减薄加工服务，晶圆减薄在集成电路堆叠封装技术的提升及功率器件电学特性的提升方面起到了关键作用。公司拥有行业领先的技术研发团队和量产平台，具备突出的晶圆背面加工能力，特别在 IGBT 等功率器件工艺平台的背面加工工艺（如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背面金属、背面光刻等）方面拥有自研专利技术，帮助产品优化电学性能。

1-1-90华虹半导体有限公司招股说明书

3、主营业务收入构成

报告期内，发行人向客户提供多工艺平台的晶圆代工服务。发行人按照工艺平台分类的主营业务收入构成情况如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

功率器件522589.9931.36%360062.7434.22%244108.2536.77%嵌入式非易

520497.6331.23%296253.0528.15%231059.4234.80%

失性存储器模拟与电源

301314.1118.08%161360.0515.33%93614.8814.10%

管理

逻辑与射频182306.6610.94%175691.7616.70%85963.1912.95%独立式非易

138583.398.31%57398.195.45%8222.571.24%

失性存储器

其他1383.230.08%1577.800.15%929.320.14%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

（二）主要经营模式

1、盈利模式

公司主要从事基于多种工艺节点、不同技术的特色工艺平台的可定制半导体晶圆代工服务从而实现收入和利润。

2、研发模式

公司的研发策略主要依靠自主研发对各类工艺平台进行技术创新与升级。公司为规范并加强项目运行过程的管理，建立了较为完善的研发体系及项目管理流程，明确项目组成员职责及目标，从项目的立项、研发及结案全过程进行规范，并通过新项目立项申请流程、产品质量先期策划规程等进行分阶段、系统性管理。

公司的具体研发流程如下：

注：APQP 指 Advanced Product Quality Program，即产品质量先期策划。

1-1-91华虹半导体有限公司招股说明书

3、采购模式

公司采用集中采购制度，由采购部门向合格供应商采购半导体晶圆代工及配套服务所需的原物料、设备及技术服务等。为提高生产效率、减少库存囤积、加强成本控制，公司已建立完善的采购管理体系和规程：

库存类请购由物料计划部门根据生产计划、库存量和交货周期提出；非库存类请购需求由请购部门在预算额度内根据实际需求以请购单方式提出。

收到请购需求后，采购部门核对请购单准确性，确认无误后依据采购需求比选供应商，通过询价、报价、议价或招标等作业程序，与供应商签署采购订单并负责交期跟催。物流部门负责来料的收存工作，品保部门负责来料质量检验。

对于工程、设备和服务采购，采购人员凭请购部门签核的完工通知单和或验收签核文件办理请款作业；对于其他项目采购，采购人员凭系统收货确认在请款系统中开立请款申请单。请款申请单核准后，采购人员连同发票交由财务进行付款作业。

生产计划物料需求品种/数量物料规格确认公开招标作业流程评标及中标通知书采购需求核准

扩产计划设备类型/数量规格书和型号确认合格供应商确认询价/货比三家

货物验收交货安排供应商确认订单/合同订单/合同核准商务内容确认

4、生产模式公司根据销售预测规划产能并确定主生产计划（即先期生产计划，依据市场预测与产能情况规划产品生产计划），按客户订单需求进行投产，具体如下：

公司产品从生产策划到成品出库主要经过四个阶段，分别为生产策划阶段、生产准备阶段、生产过程管理阶段以及产品入库阶段，具体情况如下：

1-1-92华虹半导体有限公司招股说明书

（1）生产策划阶段

在生产策划阶段，销售部门提供从客户处获取的未来的业务预测以及与客户达成的商业计划，计划部门按照业务预测以及产能规划，根据客户需求、客户订单、产能和工艺技术准备情况，制定主生产计划。

（2）生产准备阶段

在生产准备阶段，物料规划部门根据主生产计划制定原材料计划并协同采购部门及时准备原材料。生产计划部门根据主生产计划及原材料计划制定投产计划。

（3）生产过程管理阶段

在生产过程管理阶段，生产部门根据主生产计划及投产计划安排和管理生产，生产计划部门监督生产周期、生产进度，产量等指标，品质管控部门负责产品的质量管控。

（4）产品入库阶段

在产品入库阶段，完成全部生产流程的产品经检验合格后入库。

1-1-93华虹半导体有限公司招股说明书

5、销售模式

公司采用直销模式开展销售业务，与客户直接沟通并形成符合客户需求的解决方案，最终达成与客户签订订单。销售流程如下：

（1）制定销售计划

销售部门基于市场信息与客户需求拟订公司年度销售计划后，销售部门按照计划目标和客户沟通，并定期更新客户需求预测和情况，将客户需求的变化反馈回公司相关部门。

（2）签订合同和处理订单

与客户签订合同，达成业务关系后，销售人员根据客户需求将公司主管核准的报价单与预计交货时间提供给客户，客户通过邮件或传真等方式向销售人员/客户服务人员下达订单。

（3）生产制造

销售部门收到客户订单后按业务计划安排生产，生产计划部根据此业务计划结合产能情况制定相应的投入和产出计划并生成产品交货日期，公司根据客户的要求通过系统或邮件的方式及时告知客户产品的生产状态。

（4）发货与收款开票

1-1-94华虹半导体有限公司招股说明书

产品生产完毕后通常由客户服务人员根据客户要求安排发货至指定地点。客户依据协议的付款周期安排付款，财务部在收到客户的汇款通知或票据时，通知客服部门确认款项，然后财务复核并完成相关账务处理。

6、公司采用目前经营模式的原因、影响经营模式的关键因素以及经营模式

和影响因素在报告期内的变化情况及未来变化趋势

公司结合中长期发展战略、市场供需情况、上下游发展状况、公司主营业务、

主要产品、核心技术、自身发展阶段等因素，形成了目前的晶圆代工经营模式。

报告期内，上述影响公司经营模式的关键因素未发生重大变化，预计未来亦不会发生重大变化。

（三）主营业务、主要产品、主要经营模式的演变情况

1、主营业务及主要经营模式的变化情况

公司自设立以来一直从事特色工艺晶圆代工服务，主营业务及主要经营模式未发生重大变化。

1-1-95华虹半导体有限公司招股说明书

2、主要产品及服务的变化情况

公司根据市场需求与技术发展方向，加快技术和服务的迭代更新，不断推出多样化且具有市场竞争力的特色工艺平台，公司主要产品和服务的变化历程如下：

（四）业务经营情况和核心技术产业化情况

发行人的核心技术体系已融入并应用于晶圆代工产品中。报告期内，公司核心技术产生的收入分别为662968.31万元、1050765.79万元、1665291.76万元，占各期营业收入比例均超过98%。

1-1-96华虹半导体有限公司招股说明书

（五）工艺流程图

公司主要以晶圆代工模式从事半导体制造业务，一般性工艺流程如下：

各流程核心技术的具体使用情况和效果详见本节“八、发行人核心技术及研发情况”之“（一）公司的核心技术情况”。

1、前期处理

（1）硅片清洗

使用喷淋或沉浸的方式，先用多种化学品对半导体硅片进行清洗，再用超纯水对半导体硅片进行二次清洗去除残留的化学液。清洗工序的目的是去除半导体硅片表面的尘埃颗粒、残留有机物、表面金属离子等杂质，提高后续生长热氧化层的质量，保证后续工艺的稳定性（后续每步操作后亦有清洗工序）。

（2）热氧化

在高温氧气和惰性气体的环境下，在半导体硅片表面生成二氧化硅薄膜。

2、掩模版制作

掩模版由其他专业厂商生产，发行人当前不涉及掩模版制造业务。

1-1-97华虹半导体有限公司招股说明书

3、图形转移

（1）光刻光刻主要由涂胶、曝光和显影三个步骤组成：1）涂胶：将光刻胶均匀地涂布在旋转的半导体硅片上；2）曝光：利用光刻机，通过特定波长的光线的照射，改变光刻胶的性质，将光掩模版上的电路图形转移到光刻胶上；3）显影：利用显影液，去除曝光后光刻胶中的可溶解部分，准确地使光刻胶上形成图形。

（2）刻蚀

刻蚀是在光刻后，有选择性地去除半导体硅片上未被光刻胶覆盖区域的材料。

常见的刻蚀方法包括湿法刻蚀和干法刻蚀，其中：湿法刻蚀使用液态化学品进行刻蚀，干法刻蚀利用等离子体进行刻蚀。

（3）去胶

刻蚀完成后，去除半导体硅片上未被溶解的光刻胶。

4、器件结构形成与功能实现

（1）离子注入、退火

在真空、低温的环境下，将特定种类的杂质离子以高能离子束的形式植入晶圆表面的特定区域，常见的离子元素种类包括硼、磷、砷等。离子注入后，在高温环境下消除离子注入导致的晶格缺陷，改变晶圆表面及内部的微观结构，以实现特定性能。

（2）扩散

在高温环境下，使杂质离子在不同离子浓度的区域间发生转移，改变和控制晶圆内杂质的类型、浓度和分布，形成不同电特性的区域，改变晶圆的电特性。

（3）化学气相沉积

利用不同分压的气态化学原材料在晶圆表面发生化学反应，并在晶圆表面沉积一层固态薄膜。

（4）物理气相沉积

1-1-98华虹半导体有限公司招股说明书

利用溅射镀膜、真空蒸发、离子体镀膜、分子束外延等物理方法，轰击靶材，在晶圆表面沉积一层固态薄膜。

（5）化学机械研磨

利用机械摩擦和化学反应对晶圆进行抛光，使晶圆表面平坦化。

5、检测入库

（1）晶圆测试

晶圆加工完成后，使用探针等检测设备对晶圆性能进行测试，验证其功能是否符合工艺平台的规格要求。

（2）包装入库将检测合格的晶圆真空包装后入库。

（六）公司代表性的业务数据情况

报告期内，公司具有代表性的业务数据包括产能、产量、销量、产能利用率及产销率等，相关业务数据的具体变动情况及原因详见本节“四、发行人主营业务经营情况”之“（一）公司销售情况”。

（七）公司符合产业政策和国家经济发展战略的情况

公司主要从事半导体晶圆代工业务，符合产业政策和国家经济发展战略，具体详见本节“二、行业基本情况”之“（二）行业主管部门、行业监管机制、行业主要法律法规政策及对发行人经营发展的影响”。

二、行业基本情况

（一）公司所属行业及确定所属行业的依据

公司主要从事半导体晶圆代工业务，根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）。

根据《上海证券交易所科创板企业发行上市申报及推荐暂行规定》，公司所处行

业为第四条（一）中所规定的“新一代信息技术领域”之“半导体和集成电路”。

根据国家统计局《战略性新兴产业分类（2018）》（国家统计局令第23号），公司所处行业为战略性新兴产业分类中的“新型电子元器件及设备制造”（分类代

1-1-99华虹半导体有限公司招股说明书码：1.2.1）、“集成电路制造”（分类代码：1.2.4）及“电力电子基础元器件制造”（分类代码：6.5.2）。

（二）行业主管部门、行业监管机制、行业主要法律法规政策及对发行人经营发展的影响

1、行业主管部门与监管体制

公司所处行业的主管部门为工信部，主要职责为：研究提出工业发展战略，拟订工业行业规划和产业政策并组织实施；指导工业行业技术法规和行业标准的拟订；按国务院规定权限，审批、核准国家规划内和年度计划规模内工业、通信业和信息化固定资产投资项目等。

公司所处行业的自律组织为中国半导体行业协会，主要负责贯彻落实政府产业政策，主要职责为落实产业及市场的调查、统计、研究和预测，对会员企业提供引导、咨询服务。

2、主要法律法规政策及产业政策

半导体行业是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业。近年来，国家相继出台各类法规政策，规范产业发展，鼓励产业成长。

半导体行业近期涉及的主要法律、法规和规范性文件如下：

序号发布时间发布机关法律法规及政策主要内容进一步优化集成电路产业和软件

产业发展环境，在财税、投融资、研究开发、人才、知识产权等方面给予集成电路产业和软件产业诸多优惠政策。明确在一定时期内，《国务院关于印发新集成电路线宽小于65纳米（含）时期促进集成电路产

的逻辑电路、存储器生产企业，线

12020年国务院业和软件产业高质量

宽小于0.25微米（含）的特色工艺发展若干政策的通知》集成电路生产企业（含掩模版、8（国发〔2020〕8号）英寸及以上硅片生产企业）进口自

用生产性原材料、消耗品，净化室专用建筑材料、配套系统和集成电

路生产设备零配件，免征进口关税。

《中华人民共和国国培育先进制造业集群，推动集成电

22021年国务院民经济和社会发展第路、航空航天、船舶与海洋工程装

十四个五年规划和备、机器人、先进轨道交通装备、

1-1-100华虹半导体有限公司招股说明书

序号发布时间发布机关法律法规及政策主要内容

2035年远景目标纲要》先进电力装备、工程机械、高端数

控机床、医药及医疗设备等产业创新发展。

《关于做好享受税收享受税收优惠政策的企业条件和优惠政策的集成电路项目标准为集成电路线宽小于65

企业或项目、软件企业

32021年发改委纳米（含）的逻辑电路、存储器生

清单制定工作有关要产企业，线宽小于0.25微米（含）求的通知》（发改高技的特色工艺集成电路生产企业。

〔2021〕413号）

2022年享受税收优惠政策的集成发改委、《关于做好2022年享电路企业是指集成电路线宽小于工信部、受税收优惠政策的集65纳米（含）的逻辑电路、存储器

财政部、成电路企业或项目、软生产企业，线宽小于0.25微米（含）

42022年

海关总件企业清单制定工作的特色工艺集成电路生产企业，集署、国家有关要求的通知》（发成电路线宽小于0.5微米（含）的税务总局改高技〔2022〕390号）化合物集成电路生产企业和先进封装测试企业。

（三）行业发展情况与未来发展趋势

1、半导体行业概况

半导体是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，由其制成的器件统称半导体产品，被广泛地应用于电子通信、计算机、网络技术、物联网、汽车等产业，是绝大多数电子设备的核心组成部分。半导体产品是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，也是电子产品的核心、信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代较快等特点。

近年来，随着新消费电子、工业控制、物联网等新兴产业的快速发展，全球半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织的统计，

2017年至2021年，按照销售额口径，全球半导体市场规模从4122亿美元增长

至5559亿美元，年均复合增长率为7.76%。

未来，在新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、新能源以及数据中心等应用领域的驱动下，半导体市场规模有望实现持续增长趋势。

半导体行业呈现垂直化分工格局，上游包括半导体材料、半导体制造设备等；

中游为半导体生产，具体可划分为芯片设计、晶圆制造、封装测试；半导体产业下游为各类终端应用。

1-1-101华虹半导体有限公司招股说明书

半导体产业链分工图

根据所包含的生产环节的不同，半导体产业的企业经营模式一般可分为垂直整合模式（IDM 模式）、晶圆代工模式（Foundry 模式）和无晶圆厂模式（Fabless模式），发行人属于晶圆代工模式。

序号项目模式

垂直整合模式涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试以及后续的产品销售

1（IDM 模式） 等环节

晶圆代工模式不涵盖芯片设计环节，专门负责晶圆制造，为芯片产品公

（Foundry 模式） 司提供晶圆代工服务

不涵盖晶圆制造环节和封装测试环节，专门负责芯片设计无晶圆厂模式

3和后续的产品销售，将晶圆制造和封装测试外包给专业的

（Fabless 模式）

晶圆制造、封测企业

2、晶圆代工行业概况

晶圆代工行业源于半导体产业链的专业化分工，晶圆代工企业不涵盖芯片设计环节，专门负责晶圆制造，为芯片产品公司提供晶圆代工服务。晶圆代工行业属于技术、资本、人才密集型行业，需要大量的资本支出和人才投入，具有较高的进入壁垒。

（1）全球晶圆代工行业市场规模

根据 IC Insights 的统计，2016 年至 2021 年，全球晶圆代工市场规模从 652亿美元增长至1101亿美元，年均复合增长率为11.05%。未来随着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、新能源及数据中心等市场的发展与相关技术的升级，预计全球晶圆代工行业市场规模将进一步增长。

1-1-102华虹半导体有限公司招股说明书

2016-2022年全球晶圆代工行业市场规模（亿美元）

数据来源：IC Insights

（2）中国大陆晶圆代工行业市场规模

中国大陆晶圆代工行业起步较晚，但在国家政策的支持下，随着国内经济的发展和科学技术水平的提高，以及终端应用市场规模的扩大，国内芯片设计公司对晶圆代工服务的需求日益提升，中国大陆晶圆代工行业实现了快速的发展。

根据 IC Insights 的统计，2016 年至 2021 年，中国大陆晶圆代工市场规模从

46亿美元增长至94亿美元，年均复合增长率为15.12%，高于全球行业增长率。

依托于中国是全球最大半导体市场以及半导体产业链逐渐完善，预计未来中国大陆晶圆代工行业市场将持续保持较高速增长趋势。

2016-2021年中国大陆晶圆代工行业市场规模（亿美元）

数据来源：IC Insights

1-1-103华虹半导体有限公司招股说明书

（3）晶圆制造工艺的发展方向

随着下游应用场景新需求的不断涌现，半导体产品种类不断增多。为满足市场对于产品功能、性能等特性的差异化需求，IDM 厂商与晶圆代工厂商等涉及晶圆制造环节的企业不断研发创新晶圆制造工艺技术，并演进形成了差异化的制造工艺。晶圆制造工艺大致可分为先进逻辑工艺与特色工艺。

先进逻辑工艺沿着摩尔定律发展，侧重于不断缩小晶体管线宽，主要追求产品的高运算速度，主要应用于高性能计算、中央处理器（CPU）等领域芯片产品的制造。先进逻辑工艺的行业代表企业为台积电。

与沿着摩尔定律不断追求晶体管缩小的先进逻辑工艺不同，特色工艺不完全追求器件的缩小，而是通过持续优化器件结构与制造工艺最大化发挥不同器件的物理特性以提升产品性能及可靠性。特色工艺主要用于制造功率器件 MCU、智能卡芯片、电源管理芯片、射频芯片、传感器等，上述产品被广泛应用于新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源、消费电子等众多应用领域。

特色工艺的行业代表企业为华虹半导体。

3、特色工艺晶圆代工领域下游行业发展概况

（1）功率器件行业概况

功率器件由最早的功率二极管、三极管、晶闸管，发展至后来的 MOSFET、IGBT，体现出大功率化、高频化、集成化、低能耗与高可靠性等发展趋势。近年来，随着新能源汽车渗透率不断提升，光伏、风电、储能等新能源发电产业持续建设，功率器件也面临着更广阔的市场空间。根据 Yole 的统计，2020 年全球功率器件市场规模约为175亿美元，预计2026年将增长至262亿美元，年平均复合增长率为6.96%。

1-1-104华虹半导体有限公司招股说明书

2020-2026年全球功率器件市场规模（亿美元）

数据来源：Yole目前，我国已经通过大力自主研发与相关领域并购，在芯片设计与工艺上不断积累，已经实现了功率二极管、晶闸管等传统功率器件产品的突破，具备与国外一线品牌竞争的水平实力；同时，在 MOSFET、IGBT 等产品领域的技术研发亦有所成就。在国家政策支持，产业生态逐渐完善，人才水平逐渐提高的背景下，中国本土企业有望进一步向高端功率器件领域迈进。根据 IBS 的统计，2021 年中国功率器件市场规模约为100亿美元，预计2030年将增长至282亿美元，年平均复合增长率为12.19%，增速高于全球。

2020-2030年中国功率器件市场规模（亿美元）

数据来源：IBS

（2）嵌入式非易失性存储器行业概况

1-1-105华虹半导体有限公司招股说明书

非易失性存储器是指当芯片断电后所存储的数据不会消失的存储器，而嵌入式非易失性存储器是指用于满足各种功能的嵌入系统应用程序的芯片。嵌入式非易失性存储器主要芯片产品包括微控制器（MCU）和智能卡芯片。

* MCU 行业概况

MCU 全称是 Micro Control Unit，也称为单片机，是指随着大规模集成电路的出现及发展，将计算机的 CPU、RAM、ROM、定时计数器和多种 I/O 接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。根据 IC Insights 的统计，2015 年至 2020 年，全球 MCU 市场规模从 159.5 亿美元增长至 206.9 亿美元，年平均复合增长率为 5.34%。预计 MCU 市场规模将维持增长，2021年和2022年分别达到220.8亿美元和238.8亿美元，同比增长6.72%和8.15%。

2015-2022 年全球 MCU 市场规模（亿美元）

数据来源：IC Insights

中国智能物联产品、工业控制和新能源汽车等市场需求的快速增长，带动了对 MCU 芯片的旺盛需求。根据 IHS Markit 的统计，2015 年至 2020 年，中国MCU 市场规模从 180 亿元增长至 268 亿元，年平均复合增长率为 8.29%，高于全球市场规模增速。

1-1-106华虹半导体有限公司招股说明书

2015-2020 年中国 MCU 市场规模（亿元）

数据来源：IHS Markit

由于MCU的细分市场较多，随着本土企业供应链不断积累产品与市场经验，以及品牌知名度和市场认知度不断提高，叠加海外芯片公司缺货的现状，国内MCU 厂商有望迎来较为快速的增长周期。

*智能卡芯片行业概况

智能卡是指内嵌有微芯片的塑料卡片，将一个专用的集成电路芯片镶嵌于符合 ISO7816 标准的 PVC（或 ABS 等）塑料基片中，封装成外形与磁卡类似的卡片形式。智能卡的主要下游应用为移动通讯 SIM 卡、社保卡、居民身份证、金融 IC 卡等。根据 IC Insights 的统计，2018 年至 2021 年，全球智能卡芯片市场规模由24亿美元增长至28亿美元，年均复合增长率5.27%。预计2026年全球智能卡芯片市场规模将增至30亿美元。

近年来，国内智能卡市场应用多元化以及产业政策支持力度不断加强，智能卡芯片需求逐步增加。根据 Frost&Sullivan 的统计，2014 年至 2018 年，中国智能卡芯片市场规模由76.9亿元增长至95.9亿元，年均复合增长率5.68%。预计到2023年，中国智能卡芯片市场规模将达到129.8亿元，全球市场规模占比超过60%。

1-1-107华虹半导体有限公司招股说明书

2014-2023年中国智能卡芯片市场规模（亿元）

数据来源：Frost&Sullivan

（3）模拟芯片行业概况

模拟芯片包括电源管理类芯片、信号链类芯片两大类。根据 WSTS 的统计，

2015年至2021年，全球模拟芯片市场规模由452亿美元增长至741亿美元，年

均复合增长率为8.59%。未来，在电子化产品更加复杂以及节能减排发展趋势的影响下，模拟芯片将会凭借其品类多、应用广的特点得到更大的发展空间。

2015-2023年全球模拟芯片市场规模（亿美元）

数据来源：WSTS

根据中商产业研究院的统计，目前我国模拟芯片的市场份额已达到全球市场份额的50%以上，2016年至2021年，中国模拟芯片市场规模由1994.9亿元增长至2731.4亿元，年均复合增长率为6.49%，高于全球增长率。依托于国内的庞大市场，随着终端应用新技术与产业政策的双轮驱动，中国模拟芯片市场将迎

1-1-108华虹半导体有限公司招股说明书

来更大的发展机遇，模拟芯片作为消费终端、汽车和工业的重要元器件，其产业地位将稳步提升。

2016-2022年中国模拟芯片市场规模（亿元）

数据来源：中商产业研究院

4、晶圆代工行业在新技术、新产业、新业态、新模式等方面的发展趋势

（1）半导体晶圆代工行业在新技术发展情况

全球信息化、数字化、智能化、网联化等市场发展趋势，带动了全球半导体技术的不断迭代与创新，对除了逻辑电路以外的其他集成电路和半导体器件类型都提出了更高的技术要求，嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等多元化特色工艺技术得以快速发展以适应不断更新的市场需求。

（2）半导体晶圆代工行业在新产业的发展情况

随着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源等新兴产业

的蓬勃发展，芯片作为智能硬件的核心部件，其应用几乎无处不在，在新产业的诞生和发展过程中扮演了重要角色。与此同时，新产业的发展也会对芯片的性能、功耗、尺寸等不断提出新的需求，促进晶圆制造技术的突破和工艺平台的丰富，为半导体晶圆代工行业带来新的机遇。

*新能源汽车

在政策和市场驱动下，我国新能源汽车未来拥有广阔的增长空间。2020年

11月，国务院办公厅发布《新能源汽车产业发展规划（2021-2035年）》，该规划提出，2021年到2035年我国新能源汽车行业进入加速发展阶段，2025年新能

1-1-109华虹半导体有限公司招股说明书

源汽车新车销售量将占汽车新车销售总量的20%左右，2035年纯电动汽车将成为新销售车辆的主流，实现公共领域用车全面电动化。根据中国信息通信研究院的统计，2021年新能源汽车产销数量分别达到354.5万辆和352.1万辆，全年产销数量创造新高，市场渗透率亦不断攀升，2021年全年累计市场渗透率升至

13.4%。随着新能源汽车的推广普及和自动驾驶技术的不断升级，车载电子系统

的复杂程度越来越高，对功率器件、MCU、模拟芯片、传感器等产品的需求也不断增加。根据德勤芯片行业系列白皮书，新能源汽车车均芯片搭载量约1459个，远超过传统燃油汽车。因此，新能源汽车产业的发展将在未来若干年内对车规级芯片的需求带来飞跃。

*工业智造

工业自动化和智能化的程度直接影响一个国家生产力的水平，在我国人口红利逐步消失、产业结构优化升级、国家政策大力扶持三大因素影响下，我国工业自动化将持续提升，智能装备制造业未来发展前景广阔。根据中国工控网《2021年中国自动化市场白皮书》数据显示，2020年中国自动化市场规模达2063亿元，预计至2022年，全球自动化设备市场规模将达到2360亿美元。工业智造的大力发展为半导体产品创造了巨大的发展空间，势必加大如 MCU、物联网芯片、中高端模拟芯片与功率器件等工业领域必需品的市场需求。

*新一代移动通讯

在信息通讯领域，我国高度重视新一代移动通讯产业的发展。在许多关键政策的推动下，我国已在 2020 年启动 5G 商用，并进入了 5G 建设高峰时期。2021年全年我国新增 5G 基站数达 65.4 万个，累计建成并开通 5G 基站数达 142.5 万个。根据工信部《“十四五”信息通信行业发展规划》，“十四五”期间我国基站拥有数将达到 26 站/万人，预计 5G 基站总数将在 360 万站以上，基站数量在

2021 年-2025 年期间将保持较高增长速度。5G 基站的快速建设将极大地拉动对

MCU、电源控制芯片、功率器件等众多芯片的需求，此外，5G 产业链条环节众多，5G 手机等终端设备的更新迭代、智慧城市等 5G 物联网的逐渐部署也推动着芯片需求量的快速增长，整体带动晶圆代工行业的市场规模不断增长。

*物联网

1-1-110华虹半导体有限公司招股说明书

随着 5G 通讯在国内部署及智能时代万物互联的发展趋势，物联网有望实现快速发展，而万物互联能够渗透到国民经济的各个领域，包括智能家居、智能手机、工业智能化、新能源汽车等不同下游应用场景。根据中国互联网协会发布《中国互联网发展报告（2021）》，2020年我国物联网产业规模达到1.7万亿元。2021年9月，工信部、科技部等八部门发布了《物联网新型基础设施建设三年行动计

划（2021-2023年）》，明确到2023年底，在国内主要城市初步建成物联网新型

基础设施，社会现代化治理、产业数字化转型和民生消费升级的基础更加稳固。

根据全球移动通信系统协会（GSMA）发布的《2020 年移动经济》报告显示，

2019年全球物联网总连接个数达到120亿，到2025年，全球物联网设备连接数

预计将达到251亿个，我国物联网连接数将达到80.1亿。物联网产业的蓬勃发展将催生数以百亿计的新设备，每台设备都需要集成诸多芯片，从而持续提高半导体产业规模。

（3）半导体行业在新业态与新模式发展情况

半导体中游产业在发展初期，由于相关技术被少数国际大型企业掌握，而生产所需的设备、材料、工艺技术等又具有高度专业性等原因，行业内企业主要采用垂直整合模式（IDM 模式）。伴随产业规模扩大、技术进步与市场多样化需求的兴起，半导体中游逐渐由设计、制造以及封装测试只能在公司内部一体化完成的 IDM 模式演变为多个专业细分产业，行业开始呈现垂直化分工格局。

现阶段，半导体企业的业态可以分为 IDM、Foundry、Fabless 三种模式，具体详见本节“二、行业基本情况”之“（三）行业发展情况与未来发展趋势”之

“1、半导体行业概况”。

（四）发行人的技术水平及特点、取得的科技成果与产业深度融合的具体情况

1、发行人技术水平及特点

公司致力于特色工艺技术的持续创新，自主研发形成了由嵌入式/独立式非易失性储存器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频组成的特色工艺平台，在多个领域达到全球领先水平，公司技术特点描述详见本节之“八、发行人的技术与研发情况”。

1-1-111华虹半导体有限公司招股说明书

由于半导体产品种类众多，特色工艺代工企业需要针对多样化、差异化的产品需求提供特色化、定制化晶圆制造的产品和服务。公司在经年累月的研发与生产中积累了大量特色工艺领域宝贵的工艺经验。同时，完善的研发及测试体系支撑了公司多工艺平台的持续迭代，为客户提供高性能、高良率、高可靠的晶圆代工服务。

发行人持续进行研发投入追求技术突破，并聚焦于行业重点领域的专利布局，以知识产权为抓手，围绕嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等特色工艺平台打造研发核心竞争力。公司在上述领域均拥有核心技术，并对部分核心技术申请了专利保护。

2、取得的科技成果与产业深度融合的具体情况公司是一家兼具8英寸与12英寸生产线的晶圆代工企业，坚持先进“特色IC+功率器件”的发展战略，致力于特色工艺技术研发、创新与技术产业化，依托高性能、高可靠的工艺平台组合为客户提供多元化的晶圆代工服务。

在嵌入式非易失性存储器技术平台方面，公司通过技术创新自主研发的NORD-Flash 单元以及相关低功耗及超低漏电嵌入式闪存工艺平台，吸引了众多客户选择该平台进行产品流片及量产，该平台满足了市场上 MCU 电子产品超低静态功耗与生产效率的双重需求，为客户产品在消费电子、通讯、工业控制、智慧医疗和智能卡等领域的应用提供了优势芯片制造平台。

在功率器件工艺平台方面，公司通过不断优化迭代自研 IGBT 技术，使得公司功率器件具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势，被应用于新能源汽车逆变器、光伏等领域。同时公司基于深沟槽式超级结 MOSFET 技术，已为客户提供了应用于数据中心电源、车载充电机等高端芯片制造平台。

公司工艺和技术性能获得市场高度认可，客户产品需求旺盛，已全部实现平台量产。公司产品拥有高度的安全性、可靠性、成本效益及技术精细度；同时公司坚持“8英寸+12英寸”发展战略，在不断提升技术实力的同时扩大产能，满足“国内大循环、国内国际双循环”相互促进的新发展格局下我国半导体设计企业的芯片制造需求。

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（五）进入公司所处行业的主要壁垒

1、技术壁垒

晶圆代工行业属于资本、人才及技术密集型行业，技术研发涉及多学科交叉，生产工艺流程复杂，行业具有较强的技术壁垒。对于行业新进入者而言，短期内无法突破核心技术，面临较高的技术壁垒。

2、人才壁垒

随着半导体行业技术的不断进步，对技术人才的专业性、经验要求和管理能力的要求也不断提升，已形成较高的门槛，拥有高端专业的人才是晶圆代工企业保持市场竞争的关键。晶圆代工企业需要拥有大量的多学科、多领域的专业人才，而高端人才的聘用成本较高，且集中于行业领先企业，使得行业新进入者短期内组建全面、优秀的人才团队的难度较大。

3、资金和规模壁垒

晶圆代工行业技术更新迭代快、资金投入大、研发周期长，属于资本、人才及技术密集型行业，固定资产投资的需求大、设备购置成本高。随着代工产品种类不断丰富、工艺节点不断发展，晶圆代工企业需要长期的研发投入以实现技术突破。若没有足够的资金支持，新进入者的竞争力与已经取得资金和规模优势的企业存在较大差异。

4、市场及客户壁垒

在晶圆代工领域，公司的技术创新与客户的长期协作密不可分，与下游芯片设计厂商建立长期稳定的合作关系，能够掌握行业、产品最新技术动态，及时了解和把握客户最新需求，准确地进行晶圆代工服务更新升级，确保公司产品在市场竞争中保持竞争优势，同时积累产品行业应用经验，完善产品性能，提高产品质量水平。因此，客户对其长期合作的晶圆代工企业黏性较大，对新进入者构成了市场及客户壁垒。

（六）行业周期性特征

基于世界半导体贸易统计协会数据，全球半导体行业自20世纪90年代起长期处于螺旋式上升的态势。公司所处行业属于晶圆代工行业，与宏观经济和下游

1-1-113华虹半导体有限公司招股说明书

行业关联度较高，具有一定的周期性特征。全球宏观经济尽管在较长时期内保持增长趋势，但不排除出现周期性波动的可能性。

三、发行人的行业地位及竞争优劣势

（一）行业内主要企业情况多年来，公司积极参与全球竞争，吸引并服务了众多境内外知名客户，在全球半导体产业竞争中占据了重要位置。根据 IC Insights 发布的 2021 年度全球晶圆代工企业排名中，华虹半导体位居第六位，中国大陆第二位。公司在报告期内的业务增长均高于同行标杆企业或全球行业平均，同时，公司也是全球领先、中国大陆排名第一的特色工艺晶圆代工企业。晶圆制造领域可比公司的经营情况如下：

1、同行业主要企业情况

（1）台积电（2330.TW）

台积电在晶圆代工行业排名第一，其主营业务为集成电路及其他半导体芯片的制造、销售、封装测试与电脑辅助设计及光罩制造等代工服务。台积电的产品包括逻辑芯片、混合信号芯片、射频 RF 芯片、嵌入式存储器等，工艺平台分类包括手机平台、高性能计算平台、IoT 平台、汽车电子平台和数字消费电子平台。

台积电在北美、欧洲、日本、中国大陆等地设有子公司或办事处，提供全球客户的业务与技术服务。2021年，台积电实现营业收入15874.15亿新台币，净利润

5923.59亿新台币。

（2）格罗方德（GFS.O）

Global Foundries Inc.成立于 2009 年，总部位于美国，拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀和纽约州等多座工厂。格罗方德的产品主要应用于移动、汽车自动化、沟通网络和数据中心、物联网市场等领域。2021年，格罗方德实现营业收入65.85亿美元，净利润-2.50亿美元。

（3）联华电子（2303.TW）

联华电子股份有限公司成立于1980年，总部位于中国台湾，于1985年在台湾证券交易所上市（股票代码：2303.TW），于 2000 年在纽交所上市（股票代

1-1-114华虹半导体有限公司招股说明书码：UMC.NYSE），为 IC 产业各项主要应用产品生产芯片。2021 年，联华电子实现营业收入2310.11亿新台币，净利润557.80亿新台币。

（4）中芯国际（688981.SH）

中芯国际是行业内知名的集成电路晶圆代工企业，总部位于中国上海，拥有全球化的制造和服务基地。2021年，中芯国际实现营业收入356.31亿元，净利润112.03亿元。

（5）世界先进（5347.TWO）

世界先进的主营业务为晶圆代工集成电路以及其他晶圆半导体装置的制造、

销售、封装测试与电脑辅助设计及光罩制造与设计服务，主要产品包括 PMIC 电源管理器、LCD 面板驱动 IC、NVM 非易失性存储器、Discrete 分离式元件等。

2021年，世界先进实现营业收入439.51亿新台币，净利润118.20亿新台币。

（6）高塔半导体（TSEM.O）

Tower Semiconductor Ltd.成立于1993年，总部位于以色列的Migdal Haemek，于 1994 年在纳斯达克上市（股票代码：TSEM.NASDAQ），是一家在美国、亚洲和欧洲生产密集型混合信号半导体器件的晶圆代工厂，产品主要运用于消费电子产品、个人计算机、通讯、汽车、工业和医疗设备产品。2022年4月，高塔半导体董事会宣布批准英特尔收购高塔半导体的议案。2021年，高塔半导体实现营业收入15.08亿美元，净利润1.50亿美元。

（7）晶合集成

晶合集成成立于 2015 年，主要提供 150nm 至 90nm 的晶圆代工服务，所代工的主要产品为面板显示驱动芯片，并被应用于液晶面板领域。2021年，晶合集成实现营业收入54.29亿元，净利润17.29亿元。

（8）英飞凌（IFX.DF）

英飞凌成立于1999年，总部位于德国慕尼黑，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部。英飞凌专注于为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。2021年，英飞凌实现了营业收入

110.60亿欧元，净利润11.69亿欧元。

1-1-115华虹半导体有限公司招股说明书

（9）德州仪器（TXN.O）

德州仪器成立于1930年，是世界上最大的模拟电路技术部件制造商之一。

主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。2021年，德州仪器实现了营业收入183.44亿美元，净利润77.69亿美元。

（10）华润微（688396.SH）华润微成立于 2004年，主要采用 IDM经营模式并同时对外提供半导体制造、封测服务，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。2021年，华润微实现了营业收入92.49亿元，净利润22.68亿元。

2、同行业可比公司选取依据

发行人选取了在行业分类、主营业务及产品形态上与公司较为相似的知名企业，选取标准客观，具有可比性。

在主营业务方面，发行人为领先的纯晶圆代工企业，同行业可比公司中台积电、联华电子、格罗方德、中芯国际、世界先进、高塔半导体与晶合集成均主要从事晶圆代工业务。

在产品形态方面，公司主要代工产品包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理芯片、逻辑与射频芯片等，同行业可比公司中英飞凌、德州仪器、华润微主要产品与公司代工产品具有一定重合，其中英飞凌、德州仪器为世界领先的功率半导体厂商。因此，虽然上述企业主要采用 IDM 模式，但其在晶圆制造工艺平台及产品形态与公司具有可比性。

3、发行人与主要竞争对手的比较情况

发行人与主要竞争对手在生产线数量及产量、工艺节点、所覆盖的工艺平台

及先进性水平、代工产品类型、市场地位等方面的比较情况如下：

年产量主要覆盖代工产品类型公司名生产线数（万片/工艺平台覆盖市场地工艺节点及细分应用领称量约当12注2情况位注域

英寸）1

13座晶圆逻辑、混合信号晶圆代

0.5μm-5n 消费电子、汽车台积电厂（6/8/121420与射频、图像传工企业m 电子、计算机等

英寸）感器、模拟与电市场占

1-1-116华虹半导体有限公司招股说明书

源管理、嵌入式有率全存储等球第一

逻辑、模拟与混晶圆代

12座晶圆合信号、嵌入式通讯、计算机与工企业

联华电 0.6μm-14n

厂（6/8/12438存储、特色射频数据处理、汽车市场占子 m

英寸）及高压显示驱电子等有率全动等球第二晶圆代

消费电子、汽车

6座晶圆逻辑、混合信号工企业

格罗方 0.18μm-12 电子、通讯、家

厂（8/12360与射频、模拟与市场占德 nm 居及工业物联

英寸）电源管理等有率全网

球第三

逻辑、模拟与电

源管理、高压显晶圆代

共6座晶示驱动、嵌入式工企业

中芯国 0.35μm-14 消费电子、通

圆厂（8/12300及独立式存储、市场占际 nm 讯、汽车电子等

英寸）混合信号与射有率全

频、图像传感器球第四及功率器件等

嵌入式存储器、晶圆代

4座晶圆独立式存储器、消费电子、汽工企业

0.35μm-55发行人厂（8/12156功率器件、模拟车、计算机、工市场占nm

英寸）与电源管理、逻业等有率全辑与射频球第六晶圆代

电源管理、功率

5座晶圆工企业

世界先 0.5μm-0.1 器件、模拟器 消费电子、汽

厂（8英129市场占进 1μm 件、嵌入式存储 车、数据中心等

寸）有率全等

球第七

图像传感器、功

7座晶圆晶圆代

高塔半率器件、特色射消费电子、通讯

厂（6/8/12 - 1μm-45nm 工行业导体频、模拟及电源等

英寸）领先管理等中国大

2 座晶圆 0.15μm 嵌入式存储、图

晶合集陆晶圆

厂（12 英 60 -90nm 量 像与显示驱动 消费电子等成代工排

寸）产等

名第三半导体

功率器件、模拟

6/8/12英汽车电子、工行业领

英飞凌--及电源管理、嵌

寸晶圆厂 业、消费电子等 先 IDM入式存储器等厂商半导体

11座晶圆模拟与电源管消费电子、通

德州仪行业领

厂（6/8/12--理、功率、射频讯、工业、汽车器 先 IDM

英寸）等等厂商

2座晶圆中国大

厂（6/8 英 1μm-0.11μ 模拟/混合信 通讯、消费电 陆领先华润微-寸，12 英 m 号、功率器件等 子、汽车电子等 的 IDM寸在建）厂商

1-1-117华虹半导体有限公司招股说明书

注1：年产量数据根据可比公司披露的2021年度相应晶圆尺寸产量计算获得，部分可比公司未披露产量数据。

注2：相关信息根据可比公司公开披露数据整理，主要覆盖工艺节点等数据可能无法代表其未披露的实际情况，仅供参考比较使用。

资料来源：可比公司官网、招股说明书、企业 2021 年年报及 IC Insights 等行业公开信息

（二）发行人的竞争优势

1、技术优势：全球领先的特色工艺技术平台

公司自成立以来专注于特色工艺的技术开发，建立了完善的研发创新体系，拥有多个全球领先的特色工艺技术平台。

公司在上述特色工艺平台上形成的多项具有代表性的产品：在嵌入式非易失

性存储器领域，公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及境内最大的 MCU制造代工企业；在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业，拥有全球领先的深沟槽式超级结 MOSFET 以及 IGBT 技术；在独立式非易失性存

储器平台，公司提供基于自主知识产权的 NORD 闪存架构技术，产品拥有广泛的应用；在模拟与电源管理平台，公司的 BCD 技术工艺在国内晶圆代工行业中起步最早，并已在90纳米工艺节点上实现量产；在逻辑与射频领域，公司拥有自主开发的射频 SOI 工艺平台。公司在特色工艺领域代表了行业领先的技术研发和生产制造水平，拥有大量国内外专利。

在 0.35μm 至 90nm 工艺节点的 8 英寸晶圆代工平台，以及 90nm 到 55nm 工艺节点的12英寸晶圆代工平台上，公司形成了行业内特色工艺平台覆盖最全面的代工服务，多元化的技术品类能够满足不同下游市场的应用场景以及同一细分市场中不同客户的多元化需求。

在各类器件性能方面，公司追求全球领先水平，帮助客户产品对标全球高端芯片。

2、研发优势：持续研发投入形成重要成果

报告期内，发行人研发投入的力度不断加大，力争全方位的技术突破，截至

2022年12月31日，发行人取得了超过4100项境内外发明专利。

公司强大的科研能力在业内得到广泛认可，承担多项重大科技项目。公司的技术成果曾先后荣获“国家科学技术进步奖二等奖”、“上海市科学技术奖一等

1-1-118华虹半导体有限公司招股说明书奖”、“上海市质量金奖”、“优秀院士工作站”及“上海知识产权创新奖（创造）”等奖项及荣誉。

3、人才优势：专业稳定的人才队伍是公司持续发展的动力源泉

公司的核心技术人员均在半导体领域耕耘数十年，在不同的技术领域具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员队伍稳定，其出色的研发能力保证了公司的市场敏锐度和科研水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。

截至2022年12月31日，公司共有研发人员1195人，占员工总数的17.68%。

4、服务优势：多元化的工艺平台组合满足客户多样性需求

经过在行业内多年的深耕发展，公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件、电源管理及模拟芯片等特色工艺领域积累了业内领先的产品组合，配套相关的 IP的定制服务与测试服务，能够为客户提供丰富的芯片产品与系统产品的一站式解决方案。

同时，公司的产能资源满足了客户对于特色工艺产能的需求，截至2022年

12月31日，公司拥有3座8英寸和1座12英寸晶圆厂，合计8英寸约当产能

32.4万片/月，并持续扩充，具备为客户提供规模化制造服务的能力。

5、客户优势：拥有高粘性、多领域、全球化的客户群体

领先的技术水平和丰富的产品组合为公司带来了优质的客户群体，覆盖汽车、通讯、工业、消费电子等多个终端领域，地域分布方面则遍及全球多个国家和地区。

在晶圆代工领域，公司的技术创新与客户的长期协作密不可分，在全球排名前 50 名的知名设计公司中，超过三分之一与公司开展了业务合作，包括 IDM 和Fabless 模式下的知名客户，其中多家与公司达成研发、生产环节的战略性合作。

公司多年来积累的世界知名的国内外客户群，帮助公司的特色工艺平台不断升级，产品与方案则被越来越多的终端领域所应用，市场认可度不断提升。通过产品工艺的共同开发，公司的客户黏性日趋增强，与全球知名客户拥有多年的长期合作关系。

1-1-119华虹半导体有限公司招股说明书

6、管理优势：经验丰富、具有强烈使命感和高度进取心的核心管理团队

公司的核心管理团队均在半导体行业任职数十年，涵盖了研发、生产、质量、市场销售、财务、行政、知识产权和法律等各领域，对产业发展趋势与技术发展方向的把握有较高的敏感性和前瞻性，拥有深厚的行业背景及经验，出色的领导能力和管理能力。

公司自成立以来，不断研发创新并形成了众多领先的特色工艺平台，实现了自身的快速增长。在这一过程中，公司管理团队对行业发展趋势的准确判断以及对经营理念的不懈坚持起到了关键性的作用。

（三）发行人的竞争劣势

1、与国际巨头仍存在差距

与台积电为代表的国际晶圆代工巨头相比，公司在工艺节点、经营规模等方面仍存在一定的差距。公司长期发展战略聚焦于特色工艺，因此在最先进的工艺节点方面与行业内的国际巨头存在差距，从而造成公司无法提供更为全面的晶圆代工产品。此外，在产能规模与收入方面，公司亦与行业巨头企业存在差距，对公司争夺高端晶圆代工市场、提升规模经济效应、产品议价能力及市场竞争力造成影响。

未来，随着集成电路行业整体的进步，随着工艺节点的进步以及其他晶圆代工企业的追赶，可能加剧行业竞争。面对市场竞争，公司仍需进一步加大科研投入、增加工艺积累的广度和深度、提高自主创新能力、丰富产品结构与综合实力。

2、融资渠道亟待拓展

晶圆代工行业是资本密集型行业，产线建设和技术研发均需要大量的资金投入。随着我国集成电路行业的快速发展与下游需求的持续增加，公司目前正面临新能源汽车、物联网、智能制造等下游科技产业升级带来的市场机遇，行业内厂商积极进行市场拓展，市场竞争逐渐加剧。在未来的市场竞争中，为适应不断变化的市场情况和产品工艺水平持续提高的要求，公司需投入大量的资金来进行工艺的研发、人才的引进与产能的提升，面临较大的资金压力。公司是香港联交所上市公司，缺乏在中国大陆的直接融资渠道。因此，公司亟需拓展融资渠道，以进一步提高市场占有率、盈利能力以及可持续发展能力。

1-1-120华虹半导体有限公司招股说明书

（四）发行人面临的机遇和挑战

1、面临的行业新机遇

（1）国家产业政策高度支持，行业迎来发展黄金期

半导体行业的发展程度是国家科技实力的重要体现，晶圆制造领域更是全球科技竞争的焦点。提升我国半导体相关产业的竞争力，已成为制造业升级的重要课题之一。近年来，国家各部门相继推出了一系列优惠政策，鼓励和支持行业发展。

（2）全球半导体产业重心转移，中国半导体行业高速成长

纵观半导体行业发展史，全球已发生两次大规模的产业转移：第一次是20世纪70年代从美国向日本转移，第二次是20世纪80年代向韩国与中国台湾地区转移。如今，中国大陆则成为半导体产业第三次转移的核心地区。产业转移是市场需求、国家产业政策和资本驱动的综合结果。历史上两次成功的产业转移都带动产业发展方向改变、分工细化专业化、资源重新配置，并给予了追赶者切入市场的机会，进而推动整个行业的革新与发展。

目前，中国拥有最具活力的终端应用产业集群。巨大的终端应用市场正在全方位、多角度地支持半导体行业发展。我国在新能源、显示面板、LED 等高新技术行业经过多年发展已达到领先水平，也大力拉动了各类芯片产品的升级换代进程，也加速了国内半导体产业链进一步完善。

（3）应用市场快速升级，行业市场空间迅速扩大

随着物联网、新一代移动通信、人工智能等新技术的不断成熟，工业控制、汽车电子等半导体主要下游制造行业的产业升级进程加快，下游高科技领域的技术更新，带动了半导体企业的规模增长。如新能源汽车整车半导体价值将达到传统汽车的两倍，特别是功率半导体的应用大幅增长；在物联网领域，根据 Gartner的预测，全球联网设备将从2020年的131亿台上升到2025年的240亿台，复合增长率12.87%。下游科技行业的快速升级，已成为行业新的市场推动力，并且随着国内企业技术研发实力的不断增强，国内半导体行业市场空间将迅速扩大。

1-1-121华虹半导体有限公司招股说明书

2、面临的挑战

（1）中国大陆的半导体产业链配套能力有待加强目前，中国大陆半导体产业链的配套能力有待加强，与晶圆制造配套的上下游产业仍在发展中，公司生产产品所需的设备以及原材料仍主要依赖进口。

（2）高端人才储备相对不足

晶圆代工行业对业内人才的知识背景、研发能力及经验积累均具有较高要求。

由于国内半导体行业进入高速发展周期，具有完备知识储备、具备丰富技术和市场经验、能胜任相应工作岗位的人才较为稀缺，行业内高端人才需求缺口日益扩大，从而一定程度上抑制了行业内企业的进一步发展。

四、发行人主营业务经营情况

（一）公司销售情况

1、主要产品产销情况

报告期内，公司主要产品的产销情况如下：

单位：万片项目2022年度2021年度2020年度

产能386.27326.04248.52

产量414.85350.49230.38

产能利用率107.40%107.50%92.70%

销量408.66332.79219.15

产销率98.51%94.95%95.12%

注：产能、产量、销量按照约当8英寸统计。

2、主要产品价格情况

报告期内，公司主要产品为晶圆，价格情况如下：

项目2022年度2021年度2020年度

销售收入（万元）1599825.961007892.46640007.38

销售数量（万片）408.66332.79219.15

平均销售单价（元/片）3914.853028.582920.47

平均销售单价（美元/片）581.58469.31422.86

注：销量和单价按照约当8英寸统计。

1-1-122华虹半导体有限公司招股说明书

3、报告期内前五大客户销售情况

报告期内，发行人的前五大客户情况如下：

单位：万元占营业收入期间序号客户名称销售收入比例

1客户三127780.977.61%

2无锡新洁能股份有限公司94955.075.66%

3客户十83680.004.99%

2022年度

4格科微电子（上海）有限公司80165.824.78%

5客户七68205.924.06%

合计454787.7827.09%

1格科微电子（上海）有限公司88426.388.32%

2无锡新洁能股份有限公司72537.076.82%

3客户三47713.774.49%

2021年度

4苏州东微半导体股份有限公司42991.484.04%

5客户五41931.533.94%

合计293600.2427.62%

1无锡新洁能股份有限公司44170.926.56%

2格科微电子（上海）有限公司34150.865.07%

3客户五32841.284.87%

2020年度

4苏州东微半导体股份有限公司21946.243.26%

5上海道之科技有限公司21705.753.22%

合计154815.0422.98%

注：客户按最终控制方合并计算。

报告期内，发行人不存在向单个客户销售比例超过发行人当年销售总额50%或严重依赖少数客户的情况。

截至本招股说明书签署日，发行人的董事、高级管理人员和核心技术人员，主要关联（连）方或持有发行人5%以上股份的股东在上述客户中不存在占有权益的情况。

1-1-123华虹半导体有限公司招股说明书

（二）公司采购情况

1、主要原材料采购情况

报告期内，发行人生产经营所需的原材料主要包括硅片、化学品、气体、靶材等，主要原材料采购情况如下：

种类项目2022年度2021年度2020年度数量（万片）461.50411.56281.06

硅片金额（万元）230492.48177725.44124932.25单价（元/片）499.45431.83444.51数量（吨）38231.1330449.2317538.44

化学品金额（万元）80871.7167409.2438070.22单价（万元/吨）2.122.212.17数量（吨）761.94645.13422.71

气体金额（万元）22747.0518239.6812547.10单价（万元/吨）29.8528.2729.68数量（个）7910.756351.753912.25

靶材金额（万元）11890.609479.774485.79单价（万元/个）1.501.491.15数量（个）77623.0072303.0051698.00研磨垫和金额（万元）16070.2014160.808981.02研磨盘单价（万元/个）0.210.200.17数量（吨）3797.743132.461909.28

研磨液金额（万元）16240.3412560.857552.34单价（万元/吨）4.284.013.96数量（个）798519.00585170455632

备件金额（万元）101598.3076842.7144277.13单价（万元/个）0.130.130.10

注1：列示的硅片为用于生产晶圆的硅片

注2：硅片、靶材单价按照约当8英寸统计

2、主要能源供应情况

报告期内，发行人生产经营所需的能源主要为电和水：

种类项目2022年度2021年度2020年度

电数量（万度）95188.0384635.2272069.34

1-1-124华虹半导体有限公司招股说明书

种类项目2022年度2021年度2020年度金额（万元）61032.7750144.9140956.86单价（元/度）0.640.590.57数量（万吨）1023.48874.91716.70

水金额（万元）5025.844002.993223.37单价（元/吨）4.914.584.50

3、报告期内前五大原材料供应商采购情况

报告期内，发行人前五大原材料供应商情况如下：

单位：万元序号供应商主要采购内容金额占比

2022年度

1供应商一硅片71281.3013.97%

2供应商二硅片33138.066.49%

3供应商三硅片28371.165.56%

4供应商四硅片26866.725.26%

5供应商五备件20509.544.02%

合计180166.7835.31%

2021年度

1供应商一硅片64013.5815.96%

2供应商二硅片31612.657.88%

3供应商三硅片21551.495.37%

4供应商四硅片20108.685.01%

5供应商五备件17115.714.27%

合计154402.1138.50%

2020年度

1供应商一硅片61385.8523.12%

2供应商三硅片20202.577.61%

3供应商四硅片15903.675.99%

4供应商五备件11150.814.20%

5供应商二硅片11025.724.15%

合计119668.6245.08%

注：供应商按最终控制方合并计算。

1-1-125华虹半导体有限公司招股说明书

报告期内，发行人不存在向单个供应商采购比例超过发行人当年采购总额

50%或严重依赖少数供应商的情况。

截至本招股说明书签署日，发行人的董事、高级管理人员和核心技术人员，主要关联（连）方或持有发行人5%以上股份的股东在上述供应商中不存在占有权益的情况。

五、与发行人业务相关的主要资产情况

（一）主要固定资产情况

截至2022年12月31日，发行人拥有的固定资产主要包括房屋及建筑物、机器设备、办公设备，具体情况如下：

单位：万元项目原价累计折旧减值准备账面价值成新率

房屋及建筑物292038.78140341.247892.71143804.8249.24%

厂务设施684169.71383585.0555924.63244660.0235.76%

机器设备3940491.652274696.92199908.661465886.0637.20%

运输工具1049.19751.58-297.6128.37%

办公设备43044.8730566.97755.2311722.6727.23%

合计4960794.192829941.77264481.241866371.1937.62%

1、房屋建筑物

截至2022年12月31日，发行人拥有的经营性主要房产共计4处，具体情况详见本招股说明书之“附表一：房屋建筑物情况”。

2、租赁的房屋建筑物

截至2022年12月31日，发行人及其子公司的经营性主要租赁房产共9处，具体情况详见本招股说明书之“附表二：租赁房产情况”。

（二）主要无形资产

1、土地使用权

截至2022年12月31日，发行人拥有的与生产经营相关的土地使用权共计

6项，具体情况详见本招股说明书之“附表三：土地使用权情况”。

1-1-126华虹半导体有限公司招股说明书

2、专利

截至2022年12月31日，发行人及其子公司已获授权的主要发明专利共计

4141项，其中境内发明专利3965项；境外专利176项。该等专利中对发行人主营业务有重要影响的专利具体情况详见本招股说明书之“附表四：主要专利情况”。

3、商标

截至2022年12月31日，发行人及其子公司拥有的主要境内外注册商标共计48项，其中境内商标39项，境外商标9项。该等商标的具体情况详见本招股说明书之“附表五：主要商标情况”。

4、集成电路布图设计专有权

截至2022年12月31日，登记在发行人及其控股子公司名下的集成电路布图设计专有权共计13项。该等集成电路布图设计专有权的具体情况详见本招股说明书之“附表六：集成电路布图设计专有权情况”。

5、被授权使用的主要技术许可

上海华虹宏力与上海集成签订《技术许可协议》，上海集成将 65nm CMOS工艺技术以非独家、不可转让的许可方式（转让给关联公司除外）许可予上海华

虹宏力用于12英寸特色工艺集成电路生产线的研发和建设，并由上海集成向其提供技术服务。

上海华虹宏力与华力微签订《技术开发协议》，华力微基于上海华虹宏力及其关联公司的技术及项目要求进行 65nm/55nm CMOS 工艺技术的开发，向上海华虹宏力交付与前述工艺技术相关的技术文档，并在全球范围内向上海华虹宏力及其关联公司提供永久的、非独家、不可转让的使用和开发专利成果之许可。

具体情况详见本招股说明书之“第八节公司治理与独立性”之“十、关联（连）交易情况”之“（二）偶发性关联（连）交易”。

6、被授权使用的主要 IP 授权

发行人及其控股子公司通过与第三方 IP 供应商的合作，为客户提供不同种类的标准单元库、存储器编译器和其他 IP 类型。

1-1-127华虹半导体有限公司招股说明书

截至 2022 年 12 月 31 日，发行人获得的 IP 授权主要类型包括标准单元库、存储器编译器、嵌入式非易失性存储 IP 及模拟、接口 IP 等。

（三）上述资产与公司产品或服务的内在联系

公司的固定资产主要为生产经营所需的房屋建筑物和机器设备，上述固定资产为公司进行半导体晶圆代工、工艺研发及配套服务提供了场所和工具，公司相关建筑、机器设备情况良好，是公司进行生产经营活动的必要条件。

公司的无形资产主要为已取得的土地使用权、专利、商标和集成电路布图设

计专有权，是公司现有产品和服务取得市场认可和快速发展的核心竞争力。

截至2022年12月31日，公司的主要固定资产、无形资产不存在瑕疵、纠纷或潜在纠纷。

六、发行人的业务许可资质

截至2022年12月31日，发行人及其境内控股子公司主要拥有如下业务许可和资质：

（一）进出口业务相关登记证书

证书编号/备核发/备案序号持证单位证书名称发证部门案号日期上海出入出入境检验检疫报检企业

131006517582016-5-27境检验检

上海华虹宏备案表疫局力海关报关单位注册登记证

231222482762016-5-11浦东海关（进出口货物收发货人）海关报关单位注册登记证

3华虹无锡32023309782018-05-28无锡海关（进出口货物收发货人）

（二）排污许可证序号持证单位证书编号发证部门有效期

91320214MA1R9H5 2021-10-18 至

1华虹无锡无锡市生态环境局

T8X001Q 2026-10-17

上海华虹宏力91310000057674532上海市浦东新区生态2022-12-20至

2

（一厂） R002Q 环境局 2027-12-19

上海华虹宏力91310000057674532上海市浦东新区生态2019-12-20至

（二厂） R001U 环境局 2024-12-19

上海华虹宏力91310000057674532上海市浦东新区生态2022-11-08至

（三厂） R003V 环境局 2027-11-07

1-1-128华虹半导体有限公司招股说明书

（三）城镇污水排入排水管网许可证序号持证单位证书编号发证部门有效期

苏锡政园许新排无锡市市政和园林2020-07-18至

1华虹无锡

（2020）字第345号局2025-07-17

上海华虹宏力沪浦水务排决字上海市浦东新区水2018-07-04至

2

（一厂）（2018）第396号务局2023-07-03上海华虹宏力沪浦水务排决字上海市浦东新区水2018-07-04至

3

（二厂）（2018）第395号务局2023-07-03上海华虹宏力沪浦水务排决字上海市浦东新区水2018-07-04至

4

（三厂）（2018）第394号务局2023-07-03七、发行人的特许经营情况

截至2022年12月31日，发行人及其境内外控股子公司不存在特许经营权。

八、发行人的技术与研发情况

（一）公司的核心技术情况

1、主要核心技术与技术来源

公司以自身发展战略与竞争优势为依托，经过长期技术积累与工艺迭代，在主要业务领域形成并掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术。公司核心技术来源主要通过自主研发，由自身研发团队进行研发与创新，对工艺流程及参数指标进行优化，形成了公司现有核心技术平台。

其中，公司在嵌入式非易失性存储器、功率器件等领域的多项核心技术达到全球领先水平，并已大量应用于公司产品的批量生产中。截至2022年12月31日，公司的主要核心技术平台情况如下：

1-1-129华虹半导体有限公司招股说明书

产品应用领域制程范围及核心技术序号技术工艺特征及先进性表征技术先进性技术来源类别平台

1、新一代超级结技术可提供业界领先的比导通电阻，在相近电压级别下具备击穿电压高、导

提供 200V-900V 电压 通电阻小、工作电流增加、功率增加等综合技术优势；

范围支持的超级结2、自主知识产权的工艺方案可比业界其他方案的光罩层数大幅降低，有效降低生产成本提高全球领先自主研发MOSFET 技术平台 产品竞争力；

3、填补国内相关技术空白，在全球超级结代工领域亦占有较高市场份额。

1功率器件

1、可提供业界领先的比导通电阻，在相近电压级别下具备击穿电压高、导通电阻小、工作电

提供 600-1700V 电压

流增加、功率增加等综合技术优势；

范围的 IGBT（绝缘栅

2、全新的具有自主知识产权的 Super IGBT 方案可实现元胞面积大幅微缩及性能显著提升； 全球领先 自主研发双极型晶体管）技术平

3、工艺及结构独特、性能及可靠性与全球领先水平相当，满足新能源汽车、光伏、风电、储

台

能及数据中心等新兴行业特定要求，具有行业领先的高电压产品代工能力。

1、拥有业界领先的低功耗工艺，提供 eFlash 等多类型储存器。晶体管超低漏电（Ultra LowLeakage）水平处于业界领先水平；

2、闪存单元面积较业界主流显著减小，可显著提升 MCU 存储容量密度和处理、存储性能；

涵盖 0.35μm-55nm 制

嵌入式非易失3、工艺光刻层次比业界代工企业的主流代工技术显著减少，有效降低成本及缩短工艺周期；

2程范围的嵌入式存储全球领先自主研发

性存储器 4、自主研发并申请专利的闪存单元（NORD Flash cell）；

器技术平台

5、满足车规标准的可靠性、功耗、速度等关键指标，擦写次数，数据保持均有优异表现；

6、通过国际金融信息技术安全评估认证（CCEAL5+）和汽车电子认证，已广泛用于电信卡、金融卡、身份证、MCU、车规 MCU 等领域，相关产品于国内外市场拥有较高的市场占有率。

1、0.35um 600V/700V 超高压工艺平台支持低边、高边驱动产品。可支持最少 2 层金属层的产

涵盖 0.35μm-55nm， 品设计。该技术及应用产品具有显著的节能效应和极高的社会应用价值；

模拟与电源管

3 5-700VBCD 工艺技术 2、0.35um-90nm 中低压 BCD 工艺平台可提供多达上百种不同的器件类型提供丰富的工艺选择。 全球领先 自主研发

理

平台横向双扩散金属氧化物半导体场效应管阻抗达到业界领先水平，比导通电阻在同节点下也较业界主流代工技术更具优势。

1、业界先进的射频绝缘体上硅（RFSOI）工艺平台，工艺节点覆盖 0.20μm-65nm，提供 2.5V

涵盖 0.35μm-55nm 工

器件主要为射频开关产品应用，同时提供低电压 1.8V 操作电压以更好匹配移动终端电源趋势。

艺节点的逻辑混合信国际先进自主研发

集成 1.2V 器件可以实现与低噪声放大器的系统集成芯片（SoC）产品方案；

号与射频技术平台

2、射频性能优值（FOM）达到业界先进水平。

4 逻辑与射频 1、基于 90nm 1.5V/3.3V 电压范围，业界先进的正照式 CMOS 图像传感器工艺平台，拥有优秀

涵盖 90nm-55nm，前、 的 HDR 像素性能，在暗电流控制、信噪比、动态范围等指标上达到业界先进水平；

后照式图像传感器工 2、业界先进的背照式 CMOS 图像传感器工艺平台，高集成的 55 纳米图像传感器工艺拥有较 国际先进 自主研发艺技术平台少的光刻层次和优秀的高像素性能，在暗电流控制、信噪比、动态范围等指标上达到业界先进水平。

1-1-130华虹半导体有限公司招股说明书

产品应用领域制程范围及核心技术序号技术工艺特征及先进性表征技术先进性技术来源类别平台

涵盖 0.13μm-55nm 制 1、基于自主专利的独立式闪存单元（NORD Flash cell），支持 1.8V 及 3.3V 电压范围；

独立式非易失

5程范围的标准闪存技2、具有高可靠性、低功耗、擦写时间短的优势。擦写时间短可降低客户测试成本，并可优化全球领先自主研发

性存储器

术平台软件编写。同时工艺光刻层数比业界代工企业的主流技术显著减少，有效降低成本。

1-1-131华虹半导体有限公司招股说明书

2、核心技术在主营业务及产品或服务中的应用和贡献情况

报告期内，发行人核心技术广泛应用于发行人各类特色工艺平台中。发行人应用核心技术产生的收入及其占营业收入比重情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

核心技术产生的收入1665291.761050765.79662968.31

营业收入1678571.801062967.75673702.63

占营业收入的比重99.21%98.85%98.41%

3、核心技术的保护措施

（1）知识产权保护

公司为保护无形资产完整，明确科研成果归属，制定了知识产权管理的相关制度，建立了专利注册申请、商业秘密保护的多层次的知识产权管理体系。根据上述规定，对于通过公司职务工作形成的技术发明，以公司为主体向国家知识产权局申请注册专利，并对专利发明人发放奖金激励；如技术发明不适宜进行公开披露，由专利暨商秘评审委员会审议通过后可将其列为商业秘密保护。

（2）保密与竞业禁止制度

为确保职务作品归属，避免员工流动导致的技术秘密外泄，防范与员工之间的知识产权争议，发行人与其主要技术人员在劳动合同、保密协议中约定相应保密及竞业条款，约束其对职务工作中形成的技术成果、商业信息负有保密责任。

对于核心技术人员的离职情况将约定相应的提前通知期和竞业限制期限，离职人员在竞业限制期内不得设立、经营、参与任何与发行人竞争的实体，不得在该等实体工作或提供服务、咨询等工作。

（3）员工持股激励

为打造稳定、高效、专业的研发团队，促进研发人员的科研创新热情，锁定高级管理人员及核心员工，发行人制定了一系列员工激励计划，通过员工持股、期权激励等方式实现对核心员工有效激励，以稳固公司的高级管理人员及核心技术团队。

1-1-132华虹半导体有限公司招股说明书

（二）科研实力和成果情况

1、公司参与的重大科研项目情况

作为一家在特色工艺晶圆代工领域具有强大科研实力和工艺创新能力的企业，公司长期承担及参与各类重大科研项目。

2、专利情况

公司将科研成果及核心技术转化为专利进行保护和应用。截至2022年12月

31日，登记在公司及其控股子公司名下的与主营业务相关的境内外主要发明专

利达4141项。相关专利情况详见本招股说明书之“附表四：主要专利情况”。

3、公司及其产品获得重要奖项的情况

公司及其产品曾经及于报告期内获得的重要荣誉情况如下：

序号奖项名称颁奖机构日期获奖主体中华人民共和国国务上海华虹

1国家科学技术进步奖二等奖2013.12

院宏力上海华虹

2上海市科学技术奖一等奖上海市人民政府2020.12

宏力上海华虹

3上海市科学技术奖一等奖上海市人民政府2014.11

宏力

4 上海市科学技术奖一等奖 上海市人民政府 2013.3 华虹 NEC

上海华虹

5上海市科学技术奖二等奖上海市人民政府2019.01

宏力上海华虹

62018年度上海市质量金奖上海市人民政府2019.06

宏力

上海市人民政府、国家上海华虹

7上海知识产权创新奖（创造）知识产权局、世界知识2021.10

宏力产权组织

第十三届（2018年度）中国半导体中国半导体行业协会上海华虹

82019.05

创新产品和技术等宏力上海华虹

92019全国电子信息行业标杆企业中国电子企业协会2019.11

宏力

2020年上海市院士（专家）工作站上海市院士专家工作上海华虹

102020.11

绩效评估“优秀院士工作站”站指导办公室宏力

（三）研发项目

公司目前主要在研项目的具体情况如下：

序号研发项目具体方向研发目标与先进性所处阶段研发模式

嵌入式非 55 纳米嵌入式 1、自主专利的闪存单元 NORD 工艺优化

1自主研发

易失性存 闪存工艺 Flash cell，实现国内在该平台工 升级

1-1-133华虹半导体有限公司招股说明书

序号研发项目具体方向研发目标与先进性所处阶段研发模式储器平台艺突破及大规模量产；

研发项目2、闪存单元面积比业界主流代

工企业的同节点技术显著缩小，未来计划进一步提升工艺水平和产品性能；

3、工艺光刻层数较业界主流水

平大幅减少；

4、重点将相关工艺技术平台延

申至新能源汽车等新兴领域，使Flash IP 可靠性进一步提升。

90纳米嵌入式1、进一步优化嵌入式存储器平工艺优化

自主研发

闪存工艺优化台工艺流程，缩短工艺时间。升级

1、12英寸功率器件晶圆代工生

功率器件 IGBT 12 英寸 产线，IGBT 性能和可靠性和业 产品量

2平台研发项目工艺与技界领先水平相当；产，工艺自主研发

项目术开发2、未来重点向新能源汽车领域持续优化延伸发展。

1、国内率先将 BCD 与 flash 集

成在同一个工艺平台，符合电源管理芯片智能化的技术与市场模拟与电发展趋势；产品量源管理平模拟与电源管

3 2、结合了 BCD 工艺低导通电 产，工艺 自主研发

台研发项理工艺开发

阻以及 flash 高可靠性的特点， 持续优化目

满足车规级汽车电子芯片需求，未来进一步探索新能源汽车等新兴领域的应用。

逻辑与射工艺优化

4 频平台研 预研项目 提升“特色 IC”工艺水平。 自主研发

升级发项目

（四）合作研发情况

截至2022年12月31日，公司不存在正在从事的重要合作研发项目。

（五）研发投入情况报告期内，公司研发投入情况详见本招股说明书“第六节财务会计信息与管理层分析”之“九、经营成果分析”之“（四）期间费用分析”之“3、研发费用分析”。

1-1-134华虹半导体有限公司招股说明书

（六）研发机构及研发人员情况

1、研发机构设置与职能

公司建立了研发相关体系，辅以测试与外包、品质保证及工程验证等部门开展研发工作，并与制造与生产相关部门围绕制造工艺的各个环节展开配套衔接，以保障公司从研发目标到实现工艺升级和晶圆制造的整个过程。

具体而言，研发部门的主要职责包括：（1）计划、实施和管理新工艺、新技术的开发及集成相关工作，完成对工厂的技术转移和支持，为已量产的产品提供技术支持；（2）全面负责项目中的器件设计和优化，为新技术和工艺开发提供完整的设计规则，测试芯片，器件模型，器件特性测试程序，静电保护规则等技术规划和开发方案，并配合项目要求予以实施；（3）提供满足客户需求并具备公司自主知识产权的存储器、模拟、混合信号、数字 IP 及资料库，建立具备业界竞争力的设计支持平台，建立满足客户需求的设计技术支持能力；（4）研发先进的半导体制程中的模块工艺，建立研发工艺流程，提供研发晶圆线上的工艺支持，将研发成果向产线转移。

2、核心技术人员及研发团队情况

（1）研发人员数量

报告期各期末，公司研发人员数量及占公司员工总数的比例情况如下：

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

员工总数（人）676060845682

研发人员人数（人）11951033808

研发人员占总员工人数比例17.68%16.98%14.22%

（2）核心技术人员情况

核心技术人员详情请见详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（一）董事、高级管理人员及核心技术人员的简介”。

1-1-135华虹半导体有限公司招股说明书

上述核心技术人员均拥有超过数十年的半导体制造领域技术研发经验并掌

握关键技术，拥有深厚的行业背景及经验。自2012年以来，发行人核心技术人员获得的重要奖项情况如下：

所获奖项人/次数获奖年份颁发政府单位/机构

国家科学技术进步二等奖2人/次2013年中华人民共和国国务院

2013、2014、上海市科学技术一等奖5人/次上海市人民政府

2020年

中国电子学会电子信息科

2人/次2012年中国电子学会

学技术一等奖注：共计5人/次分别于2013年、2014年及2020年获得”上海市科学技术一等奖”。

（3）对核心技术人员的约束激励机制

公司重视对科研人才、核心技术人员的吸纳与留用，通过公平、全面的业绩考核及创新激励机制，将员工个人收入与研发成果相挂钩，提升员工创新能力及积极性并进一步促进公司的研发实力，形成良性循环。公司一方面对员工注册知识产权进行直接奖励，另一方面在专利暨商秘评审委员会的主导下建立专利保护伞，持续提升公司专利资产的创造、运用、保护和管理能力。

公司对核心技术人员的具体激励、约束激励机制包括以下内容：

*研发项目激励

公司对研发人才专门设立了研发创新项目、技术发展项目及专利相关的奖励机制，给予技术研发人员目标奖励或收益分享奖励，鼓励各类技术与管理创新。

*中长期激励

对核心技术人员进行股权激励，加强核心技术人员的稳定性；该等激励计划的情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“十、公司正在执行的股权激励及其他制度安排和执行情况”。目前公司属于成长期，新技术平台开发与存量技术平台的优化，每年研发费用均维持在较高水平，为核心技术人员提供明确的晋升制度与自主研发平台，为核心技术人员提供良好的研发环境。

*约束措施

1-1-136华虹半导体有限公司招股说明书

公司已与核心技术人员签订劳动合同、保密协议，通过知识产权保护的相关制度约定职务工作科技成果归属公司。该等约束措施具体情况详见本招股说明书附录之“附表七：承诺事项”。

（七）技术创新机制、技术储备及技术创新的安排

1、技术创新机制及安排

公司致力于增强晶圆代工领域的综合竞争实力。通过吸纳半导体产业科研人才，建立长效激励机制，优化研发与生产流程，扩充工艺相关 IP 数据库、拓展与上下游公司合作的模式，从整体上提升自身技术实力。公司实施的技术创新机制及安排包括以下方面：

（1）科研团队建设及选拔机制

深耕人才梯队，全力组建研发队伍，公司为配合客户需求及自身技术发展，制定研发人才战略，利用各种招聘渠道吸引人才竞聘，再透过标准化选拔流程确保人才符合公司发展需求与“家国情怀、一诺千金、敬业奉献、使命必达”的企业文化。公司注重人才培养与技术研发，通过培训机制、带教辅导、行业交流等方式，加强科技人才的培养与使用，以核心技术人才为研发带头人，培养和发展出优秀的研发团队。此外，公司持续加强对于本地人才的培养，通过一系列的培养机制吸引并留住人才，员工中境内人员比例持续增长。

（2）公司持续加大研发投资力度

公司未来除新一代特色工艺开发投资外，在现有制程技术改善，良率提升及产品多样化等方面投入的研发经费仍会持续维持在一定水平。公司持续推进新一代制程工艺提升及多元化产品开发，为技术创新注入源源不绝的动力。

（3）年度业绩考核激励

公司针对核心技术人员订立明确的年度绩效指标及年度考核，依据考核结果进行调薪及奖金发放。

2、技术储备

公司的技术储备情况详见本节之“八、发行人的技术与研发情况”之“（三）研发项目”。

1-1-137华虹半导体有限公司招股说明书

九、发行人生产经营中涉及的主要环境污染物、主要处理设施及处理能力公司生产经营涉及的主要污染物包括废水、废气和固体废物（含一般工业固体废物及危险废物）。废水主要包括生产废水（一般酸碱废水、含氟废水及含氨废水等）和生活废水，废气主要包括硫酸雾、氯化氢、氟化物和非甲烷总烃、氮氧化物、氨气等，固体废物主要包括一般工业固体废物（五金木材、纸板箱、废塑料、氟化钙污泥以及硫酸铵等）和危险废物（废酸、废有机溶剂、桶装废机油、桶装废试剂、化学品空瓶、废灯管、铅蓄电池、废油、沾化擦拭布、活性炭等）。

报告期内，发行人及其境内子公司高度重视环境保护工作，严格遵守国家环境保护的相关法律法规。发行人境内子公司中，已通过 ISO 14001 环境管理体系认证的子公司，其各项生产管理活动已严格按 ISO 14001 管理体系标准进行；发行人境内子公司已建立完善的环境保护内控管理制度。发行人生产环节已避免产品对环境的影响，在生产过程根据环保要求配置了相应的环保设施并采取了必要的控制措施。

发行人主要废水处理设施包括一般酸碱水处理系统、含氨废水处理系统、含

氟废水处理系统；主要废气处理设施包括酸性废气处理系统、碱性废气处理系统

及有机废气处理系统。报告期内，上述环保设施、控制设施正常运行，生产过程中产生的废水、废气、噪声能够达到国家相关排放标准。对于可回收的固体废弃物进行统一回收利用；对于危险固体废弃物，发行人委托有资质的专业环保公司进行处理；对于生活垃圾，由当地环卫组织统一收集并进行处理。

报告期内，公司及其境内子公司不存在因违反安全和环境保护相关法律法规而被相关主管部门处以重大行政处罚的情形。公司生产经营符合国家和地方安全和环保要求。

十、发行人境外生产经营情况

截至2022年12月31日，公司设立在境外的控股子公司主要承担市场开拓和客户维护等相关职能，不存在境外生产性经营资产。公司的境外经营主体详细情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分公司及参股公司情况”。

1-1-138华虹半导体有限公司招股说明书

第六节财务会计信息与管理层分析本节的财务会计数据及相关分析反映了公司最近三年及一期经审计的财务状况，所引用的财务会计数据，非经特别说明，均引自安永华明出具的标准无保留意见的《审计报告》（安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号），并以合并口径反映。

本节对财务报表的重要项目进行了说明，投资者欲对公司的财务状况、经营成果和现金流量等进行更详细的了解，应当认真阅读本招股说明书备查文件财务报告与审计报告全文。

一、财务报表

（一）合并资产负债表

单位：元

2022年2021年2020年

资产

12月31日12月31日12月31日

流动资产

货币资金14067363512.9610362748421.836056008846.01

交易性金融资产---

应收票据445986658.26181222382.34161551350.44

应收账款1600593737.98976635262.47638950873.50

预付款项20089816.6471567060.99671060463.65

其他应收款171603673.96101674525.3648286516.13

存货4964248677.083474037060.231483179526.03

其他流动资产151303523.1159685279.5991852761.57

流动资产合计21421189599.9915227569992.819150890337.33非流动资产

长期股权投资453745063.37345832241.86261872358.39

其他权益工具投资1244097339.991643581607.481502458641.00

投资性房地产232994421.87252643231.68272292041.49

固定资产18663711861.3218364917965.5410741448186.21

在建工程4790676996.901506857938.265608637447.57

使用权资产112565333.8896527796.92123107210.10

无形资产663365339.85637246867.43639828070.54

1-1-139华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

资产

12月31日12月31日12月31日

长期待摊费用403672.10207166.50262410.90

递延所得税资产239944426.24161147408.84176962401.75

其他非流动资产53920285.32101377441.0198642424.52

非流动资产合计26455424740.8423110339665.5219425511192.47

资产总计47876614340.8338337909658.3328576401529.80流动负债

短期借款2187152015.091158777081.38282319027.51

应付账款1734453650.831322155976.66903115524.70

预收款项21209980.8022993535.5624883487.20

合同负债1347300289.331050726995.12503119227.87

应付职工薪酬575182211.38450023824.97271487896.80

应交税费582388291.22442919169.84231953081.11

其他应付款1941805731.601799484495.651627124300.33一年内到期的非流动

817792802.07103500101.9358076297.60

负债

其他流动负债420672019.11551830571.84417433152.85

流动负债合计9627956991.436902411752.954319511995.97非流动负债

长期借款10318612710.738895879358.063382450000.00

租赁负债101992389.22102881702.42113566833.83

递延所得税负债287417660.32164077171.1271265864.70

非流动负债合计10708022760.279162838231.603567282698.53

负债合计20335979751.7016065249984.557886794694.50股东权益

股本12939561724.1312882900444.8612836891934.74

资本公积5843845854.435852530522.885862882115.81

其他综合收益-142923308.09163837595.3080353549.16

盈余公积1243875540.27900113358.07675906459.42

未弥补亏损-39566117.42-2718005276.07-4153795779.84归属于母公司股东权

19844793693.3217081376645.0415302238279.29

益合计

少数股东权益7695840895.815191283028.745387368556.01

股东权益合计27540634589.1322272659673.7820689606835.30

1-1-140华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

资产

12月31日12月31日12月31日

负债和股东权益总计47876614340.8338337909658.3328576401529.80

（二）合并利润表

单位：元项目2022年2021年2020年营业收入16785718004.9010629677535.996737026343.39

减：营业成本10765977542.967643437929.865493057716.38

税金及附加103013532.1358920492.8124067153.93

销售费用83385641.8868795866.8056265957.67

管理费用685275185.79624996689.04532920335.62

研发费用1076671769.89516421382.80739307277.32

财务费用810929299.85-150468119.70-156740494.50

加：其他收益191233869.5947995298.1782861973.04

投资收益60335221.5135959883.4783684952.89公允价值变动损

---26085205.46失

减：信用减值损失196598.40-497707.78885042.72

资产减值损失142279646.8271676969.8357555349.71

资产处置损失/

-14925.56492764.3565549.01（收益）

营业利润3369572803.841879856449.62130104176.00

加：营业外收入1440150.771209148.14169525.00

减：营业外支出30460892.03577150.74-

利润总额3340552062.581880488447.02130273701.00

减：所得税费用615095912.55417357073.1683468653.81

净利润2725456150.031463131373.8646805047.19归属于母公司股东的

3008612623.471659997402.42505457513.37

净利润

少数股东损益-283156473.44-196866028.56-458652466.18

（三）合并现金流量表

单位：元项目2022年2021年2020年经营活动产生的现金流量：

销售商品、提供劳务收到的现金17638287897.6811796415447.247919483395.42

1-1-141华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年2021年2020年收到的税费返还652881461.08805063892.781498311238.07收到其他与经营活动有关的现

960153177.341270739767.221126113398.45

金

经营活动现金流入小计19251322536.1013872219107.2410543908031.94

购买商品、接受劳务支付的现金9182218741.346821706372.565347846350.97支付给职工以及为职工支付的

2955779231.222146499841.791757242069.94

现金

支付的各项税费783321953.05413272318.34314014646.69支付其他与经营活动有关的现

805709189.47585255524.45688684735.87

金

经营活动现金流出小计13727029115.089966734057.148107787803.47

经营活动产生的现金流量净额5524293421.023905485050.102436120228.47

投资活动使用的现金流量：

收回投资收到的现金40518146.63-9258334000.00

取得投资收益收到的现金422400.00-63494649.81

处置固定资产、无形资产和其他

764833.00374000.00380046.99

长期资产收回的现金净额

投资活动现金流入小计41705379.63374000.009322208696.80

购建固定资产、无形资产和其他

6729785056.126048440226.777435513897.22

长期资产支付的现金

投资支付的现金48000000.0088624967.555170000000.00

投资活动现金流出小计6777785056.126137065194.3212605513897.22

投资活动使用的现金流量净额-6736079676.49-6136691194.32-3283305200.42

筹资活动产生的现金流量：

吸收投资所收到的现金2829445817.5047904312.6756429995.89

其中：子公司吸收少数股东投资

2787198400.00--

收到的现金

取得借款收到的现金3523603220.046934132533.195988582038.66

筹资活动现金流入小计6353049037.546982036845.866045012034.55

偿还债务支付的现金1312946344.93307744517.112332370000.00

分配股利、利润或偿付利息支付

342366080.7769792638.9912537289.87

的现金

1-1-142华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年2021年2020年支付其他与筹资活动有关的现

64830994.5258509749.4230541200.89

金

筹资活动现金流出小计1720143420.22436046905.522375448490.76

筹资活动产生的现金流量净额4632905617.326545989940.343669563543.79汇率变动对现金及现金等价物

303354654.06-70102180.08-123958666.72

的影响现金及现金等价物净增加/（减

3724474015.914244681616.042698419905.12

少）额

加：年初现金及现金等价物余额10265769065.186021087449.143322667544.02年末现金及现金等价物余额13990243081.0910265769065.186021087449.14

二、注册会计师审计意见

公司已聘请安永华明对本公司财务报表进行审计，包括2020年12月31日、

2021年12月31日及2022年12月31日的合并资产负债表，2020年度、2021年度及2022年度的合并利润表、合并股东权益变动表和合并现金流量表以及相

关财务报表附注。安永华明出具了安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号标准无保留意见的审计报告。安永华明认为，公司的财务报表在所有重大方面按照企业会计准则的规定编制，公允反映了华虹半导体有限公司2020年12月31日、

2021年12月31日及2022年12月31日的合并财务状况以及2020年度、2021年度及截至2022年度的合并经营成果和现金流量。

三、关键审计事项

（一）具体内容

报告期各期末，公司其他权益工具投资包括对一家非上市公司的股权投资人民币1486095千元、人民币1538088千元和人民币1213027千元。管理层在每个资产负债表日以公允价值计量该投资，并引入外部专家评估其公允价值。由于非上市公司的股权投资的账面价值金额重大，且公允价值的确定需要管理层的重大判断和估计。因此，会计师将其他权益工具投资公允价值的确定作为关键审计事项。

1-1-143华虹半导体有限公司招股说明书

（二）审计应对

1、对管理层聘请的第三方评估机构的胜任能力、专业素质及客观性进行评价；

2、邀请内部评估专家协助会计师对评估师所采用的估值方法、采用的主要

假设和估计，包括可比公司的选取，价格倍数的选取及对流动性折扣的估计进行复核。

四、财务报表的编制基础及合并财务报表范围

（一）财务报表编制基础

财务报表以公司持续经营假设为基础，根据实际发生的交易事项，按照企业会计准则的有关规定，并基于以下所述重要会计政策、会计估计进行编制。

（二）合并财务报表范围及变化情况

1、合并报表范围

报告期内，公司纳入合并范围的子公司如下：

是否纳入合并财务报表范围公司名称

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

Grace Cayman 是 是 是上海华虹宏力是是是力鸿科技是是是

HHGrace USA 是 是 是

HHGrace Japan 是 是 是华虹无锡是是是无锡置业是是是华杰芯片否否是华虹制造是否否

2、报告期内合并报表范围变化情况

2020年9月，无锡置业成立，自此，无锡置业纳入合并范围。

2021年2月，上海华杰芯片技术服务有限公司注销。自此，上海华杰芯片

技术服务有限公司不再纳入合并范围。

1-1-144华虹半导体有限公司招股说明书

2022年6月，华虹半导体制造（无锡）有限公司成立，自此，华虹半导体制造（无锡）有限公司纳入合并范围。

五、报告期内采用的主要会计政策和会计估计

（一）会计期间本公司的会计年度从公历1月1日至12月31日止。

本公司以12个月作为一个经营周期，并以其作为资产和负债的流动性划分标准。

（二）记账本位币

本公司记账本位币为美元，下属子公司及联营企业，根据其经营所处的主要经济环境自行决定其记账本位币，编制财务报表时折算为人民币。

（三）金融工具

1、金融工具的确认和终止确认

公司于成为金融工具合同的一方时确认一项金融资产或金融负债。

满足下列条件的，终止确认金融资产（或金融资产的一部分，或一组类似金融资产的一部分），即从其账户和资产负债表内予以转销：

（1）收取金融资产现金流量的权利届满；

（2）转移了收取金融资产现金流量的权利，或在“过手协议”下承担了及时

将收取的现金流量全额支付给第三方的义务；并且（a）实质上转让了金融资产

所有权上几乎所有的风险和报酬，或（b）虽然实质上既没有转移也没有保留金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬，但放弃了对该金融资产的控制。

如果金融负债的责任已履行、撤销或届满，则对金融负债进行终止确认。如果现有金融负债被同一债权人以实质上几乎完全不同条款的另一金融负债所取代，或现有负债的条款几乎全部被实质性修改，则此类替换或修改作为终止确认原负债和确认新负债处理，差额计入当期损益。

1-1-145华虹半导体有限公司招股说明书

以常规方式买卖金融资产，按交易日会计进行确认和终止确认。常规方式买卖金融资产，是指按照合同条款的约定，在法规或通行惯例规定的期限内收取或交付金融资产。交易日，是指公司承诺买入或卖出金融资产的日期。

2、金融资产分类和计量

公司的金融资产于初始确认时根据公司企业管理金融资产的业务模式和金

融资产的合同现金流量特征分类为：以公允价值计量且其变动计入当期损益的金

融资产、以摊余成本计量的金融资产、以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产。当且仅当公司改变管理金融资产的业务模式时，才对所有受影响的相关金融资产进行重分类。

金融资产在初始确认时以公允价值计量，但是因销售商品或提供服务等产生的应收账款或应收票据未包含重大融资成分或不考虑不超过一年的融资成分的，按照交易价格进行初始计量。

对于以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产，相关交易费用直接计入当期损益，其他类别的金融资产相关交易费用计入其初始确认金额。

金融资产的后续计量取决于其分类：

（1）以摊余成本计量的债务工具投资

金融资产同时符合下列条件的，分类为以摊余成本计量的金融资产：管理该金融资产的业务模式是以收取合同现金流量为目标；该金融资产的合同条款规定，在特定日期产生的现金流量仅为对本金和以未偿付本金金额为基础的利息的支付。此类金融资产采用实际利率法确认利息收入，其终止确认、修改或减值产生的利得或损失，均计入当期损益。

（2）以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的债务工具投资

金融资产同时符合下列条件的，分类为以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产：公司管理该金融资产的业务模式是既以收取合同现金流量为

目标又以出售金融资产为目标；该金融资产的合同条款规定，在特定日期产生的现金流量仅为对本金和以未偿付本金金额为基础的利息的支付。此类金融资产采用实际利率法确认利息收入。除利息收入、减值损失及汇兑差额确认为当期损益

1-1-146华虹半导体有限公司招股说明书外，其余公允价值变动计入其他综合收益。当金融资产终止确认时，之前计入其他综合收益的累计利得或损失从其他综合收益转出，计入当期损益。

（3）以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的权益工具投资公司不可撤销地选择将部分非交易性权益工具投资指定为以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产，仅将相关股利收入（明确作为投资成本部分收回的股利收入除外）计入当期损益，公允价值的后续变动计入其他综合收益，不需计提减值准备。当金融资产终止确认时，之前计入其他综合收益的累计利得或损失从其他综合收益转出，计入留存收益。

（4）以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产上述以摊余成本计量的金融资产和以公允价值计量且其变动计入其他综合

收益的金融资产之外的金融资产，分类为以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融资产。对于此类金融资产，采用公允价值进行后续计量，所有公允价值变动计入当期损益。

3、金融负债分类和计量

公司的金融负债于初始确认时分类为：以公允价值计量且其变动计入当期损

益的金融负债、其他金融负债。对于以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债，相关交易费用直接计入当期损益，其他金融负债的相关交易费用计入其初始确认金额。

金融负债的后续计量取决于其分类：

（1）以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债

以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债，包括交易性金融负债（含属于金融负债的衍生工具）和初始确认时指定为以公允价值计量且其变动计

入当期损益的金融负债。交易性金融负债（含属于金融负债的衍生工具），按照公允价值进行后续计量，所有公允价值变动均计入当期损益。对于指定为以公允价值计量且其变动计入当期损益的金融负债，按照公允价值进行后续计量，除由公司自身信用风险变动引起的公允价值变动计入其他综合收益之外，其他公允价值变动计入当期损益；如果由公司自身信用风险变动引起的公允价值变动计入其

1-1-147华虹半导体有限公司招股说明书他综合收益会造成或扩大损益中的会计错配，公司将所有公允价值变动（包括自身信用风险变动的影响金额）计入当期损益。

（2）其他金融负债

对于此类金融负债，采用实际利率法，按照摊余成本进行后续计量。

4、金融工具减值

公司以预期信用损失为基础，对以摊余成本计量的金融资产及以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的债务工具投资进行减值处理并确认损失准备。

对于不含重大融资成分的应收款项，公司运用简化计量方法，按照相当于整个存续期内的预期信用损失金额计量损失准备。

除上述采用简化计量方法以外的金融资产，公司在每个资产负债表日评估其信用风险自初始确认后是否已经显著增加，如果信用风险自初始确认后未显著增加，处于第一阶段，公司按照相当于未来12个月内预期信用损失的金额计量损失准备，并按照账面余额和实际利率计算利息收入；如果信用风险自初始确认后已显著增加但尚未发生信用减值的，处于第二阶段，公司按照相当于整个存续期内预期信用损失的金额计量损失准备，并按照账面余额和实际利率计算利息收入；

如果初始确认后发生信用减值的，处于第三阶段，公司按照相当于整个存续期内预期信用损失的金额计量损失准备，并按照摊余成本和实际利率计算利息收入。

公司在每个资产负债表日评估相关金融工具的信用风险自初始确认后是否已显著增加。公司以单项金融工具或者具有相似信用风险特征的金融工具组合为基础，通过比较金融工具在资产负债表日发生违约的风险与在初始确认日发生违约的风险，以确定金融工具预计存续期内发生违约风险的变化情况。对于资产负债表日只具有较低信用风险的金融工具，公司假设其信用风险自初始确认后未显著增加。

关于公司对预期信用损失计量的假设等披露详见《审计报告》（安永华明

（2023）审字第 60985153_B01 号）之“附注八、2”。

当对金融资产预期未来现金流量具有不利影响的一项或多项事件发生时，该金融资产成为已发生信用减值的金融资产。

1-1-148华虹半导体有限公司招股说明书

当公司不再合理预期能够全部或部分收回金融资产合同现金流量时，公司直接减记该金融资产的账面余额。

5、金融工具抵销

同时满足下列条件的，金融资产和金融负债以相互抵销后的净额在资产负债表内列示：具有抵销已确认金额的法定权利，且该种法定权利是当前可执行的；

计划以净额结算，或同时变现该金融资产和清偿该金融负债。

6、金融资产转移

公司已将金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬转移给转入方的，终止确认该金融资产；保留了金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬的，不终止确认该金融资产。

公司既没有转移也没有保留金融资产所有权上几乎所有的风险和报酬的，分别下列情况处理：放弃了对该金融资产控制的，终止确认该金融资产并确认产生的资产和负债；未放弃对该金融资产控制的，按照其继续涉入所转移金融资产的程度确认有关金融资产，并相应确认有关负债。

通过对所转移金融资产提供财务担保方式继续涉入的，按照金融资产的账面价值和财务担保金额两者之中的较低者，确认继续涉入形成的资产。财务担保金额，是指所收到的对价中，将被要求偿还的最高金额。

（四）存货

存货包括原材料、在产品、产成品、在途物资、委托加工物资及房地产开发成本。

存货的盘存制度采用永续盘存制。

存货按照成本进行初始计量。存货成本包括开发成本、采购成本、加工成本和其他成本。房地产开发成本包括与房地产开发相关的土地成本、建筑成本、资本化的利息、其他直接和间接开发费用。发出存货，采用加权平均法确定其实际成本。开发成本于完工后按实际成本结转为开发产品，开发产品采用个别计价法确定其实际成本。

1-1-149华虹半导体有限公司招股说明书

于资产负债表日，存货按照成本与可变现净值孰低计量，对成本高于可变现净值的，计提存货跌价准备，计入当期损益。如果以前计提存货跌价准备的影响因素已经消失，使得存货的可变现净值高于其账面价值，则在原已计提的存货跌价准备金额内，将以前减记的金额予以恢复，转回的金额计入当期损益。

可变现净值，是指在日常活动中，存货的估计售价减去至完工时估计将要发生的成本、估计的销售费用以及相关税费后的金额。计提存货跌价准备时，按类别计提。

（五）长期股权投资长期股权投资包括对联营企业的权益性投资。长期股权投资在取得时以初始投资成本进行初始计量。

长期股权投资在取得时以初始投资成本进行初始计量。通过同一控制下企业合并取得的长期股权投资，以合并日取得被合并方所有者权益在最终控制方合并财务报表中的账面价值的份额作为初始投资成本；初始投资成本与合并对价账面

价值之间差额，调整资本公积（不足冲减的，冲减留存收益）；合并日之前的其他综合收益，在处置该项投资时采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计处理，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其他股东权益变动而确认的股东权益，在处置该项投资时转入当期损益；其中，处置后仍为长期股权投资的按比例结转，处置后转换为金融工具的则全额结转。通过非同一控制下企业合并取得的长期股权投资，以合并成本作为初始投资成本（通过多次交易分步实现非同一控制下企业合并的，以购买日之前所持被购买方的股权投资的账面价值与购买日新增投资成本之和作为初始投资成本），合并成本包括购买方付出的资产、发生或承担的负债、发行的权益性证券的公允价值之和；购买日之前持有的因采用权益法核算而确认的其他综合收益，在处置该项投资时采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计处理，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其他股东权益变动而确认的股东权益，在处置该项投资时转入当期损益；其中，处置后仍为长期股权投资的按比例结转，处置后转换为金融工具的则全额结转。除企业合并形成的长期股权投资以外方式取得的长期股权投资，按照下列方法确定初始投资成本：支付现金取得的，以实际支付的购买价款及与取得长期股权投资直接相关的费用、税金及其

1-1-150华虹半导体有限公司招股说明书

他必要支出作为初始投资成本；发行权益性证券取得的，以发行权益性证券的公允价值作为初始投资成本。

公司对被投资单位具有共同控制或重大影响的，长期股权投资采用权益法核算。共同控制，是指按照相关约定对某项安排所共有的控制，并且该安排的相关活动必须经过分享控制权的参与方一致同意后才能决策。重大影响，是指对被投资单位的财务和经营政策有参与决策的权力，但并不能够控制或者与其他方一起共同控制这些政策的制定。

采用权益法时，长期股权投资的初始投资成本大于投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值份额的，归入长期股权投资的初始投资成本；长期股权投资的初始投资成本小于投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值份额的，其差额计入当期损益，同时调整长期股权投资的成本。

采用权益法时，取得长期股权投资后，按照应享有或应分担的被投资单位实现的净损益和其他综合收益的份额，分别确认投资损益和其他综合收益并调整长期股权投资的账面价值。在确认应享有被投资单位净损益的份额时，以取得投资时被投资单位可辨认资产等的公允价值为基础，按照公司的会计政策及会计期间，并抵销与联营企业及合营企业之间发生的内部交易损益按照应享有的比例计算

归属于投资方的部分（但内部交易损失属于资产减值损失的，应全额确认），对被投资单位的净利润进行调整后确认，但投出或出售的资产构成业务的除外。按照被投资单位宣告分派的利润或现金股利计算应享有的部分，相应减少长期股权投资的账面价值。公司确认被投资单位发生的净亏损，以长期股权投资的账面价值以及其他实质上构成对被投资单位净投资的长期权益减记至零为限，公司负有承担额外损失义务的除外。对于被投资单位除净损益、其他综合收益和利润分配以外股东权益的其他变动，调整长期股权投资的账面价值并计入股东权益。

处置长期股权投资，其账面价值与实际取得价款的差额，计入当期损益。采用权益法核算的长期股权投资，因处置终止采用权益法的，原权益法核算的相关其他综合收益采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计处理，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其他股东权益变动而确认的股东权益，全部转入当期损益；仍采用权益法的，原权益法核算的相关其他综合收益采用与被投资单位直接处置相关资产或负债相同的基础进行会计

1-1-151华虹半导体有限公司招股说明书

处理并按比例转入当期损益，因被投资方除净损益、其他综合收益和利润分配以外的其他股东权益变动而确认的股东权益，按相应的比例转入当期损益。

（六）投资性房地产

投资性房地产，是指为赚取租金或资本增值，或两者兼有而持有的房地产，包括已出租的土地使用权、持有并准备增值后转让的土地使用权、已出租的建筑物。

投资性房地产按照成本进行初始计量。与投资性房地产有关的后续支出，如果与该资产有关的经济利益很可能流入且其成本能够可靠地计量，则计入投资性房地产成本。否则，于发生时计入当期损益。

公司采用成本模式对投资性房地产进行后续计量，按其预计使用寿命及净残值率对建筑物计提折旧和摊销。投资性房地产的预计使用寿命、净残值率及年折旧（摊销）率列示如下：

项目使用寿命预计净残值率年折旧率

房屋及建筑物25年5.0%3.8%

土地使用权50年-2.0%

公司至少于每年年度终了，对投资性房地产的预计使用寿命、预计净残值和折旧（摊销）方法进行复核，必要时进行调整。

投资性房地产的用途改为为自用时，自改变之日起，将该投资性房地产转换为固定资产或无形资产。自用房地产的用途改变为赚取租金或资本增值时，自改变之日起，将固定资产或无形资产转换为投资性房地产。发生转换时，以转换前的账面价值作为转换后的入账价值。

（七）固定资产

固定资产仅在与其有关的经济利益很可能流入公司，且其成本能够可靠地计量时才予以确认。与固定资产有关的后续支出，符合该确认条件的，计入固定资产成本，并终止确认被替换部分的账面价值；否则，在发生时计入当期损益。

固定资产按照成本进行初始计量。购置固定资产的成本包括购买价款、相关税费、使固定资产达到预定可使用状态前所发生的可直接归属于该项资产的其他支出。

1-1-152华虹半导体有限公司招股说明书

固定资产的折旧采用年限平均法计提，各类固定资产的使用寿命、预计净残值率及年折旧率如下：

项目使用寿命预计净残值率年折旧率

房屋及建筑物25年5.0%3.8%

厂务设施10年5.0%9.5%

机器设备5-7年5.0%13.6%-19.0%

运输工具5年5.0%19.0%

办公设备5年5.0%19.0%固定资产的各组成部分具有不同使用寿命或以不同方式为企业提供经济利益的，适用不同折旧率。

公司至少于每年年度终了，对固定资产的使用寿命、预计净残值和折旧方法进行复核，必要时进行调整。

（八）在建工程

在建工程成本按实际工程支出确定，包括在建期间发生的各项必要工程支出、工程达到预定可使用状态前的应予资本化的借款费用以及其他相关费用等。

在建工程在达到预定可使用状态时转入固定资产。

（九）借款费用

借款费用，是指公司因借款而发生的利息及其他相关成本，包括借款利息、折价或者溢价的摊销、辅助费用以及因外币借款而发生的汇兑差额等。

可直接归属于符合资本化条件的资产的购建或者生产的借款费用，予以资本化，其他借款费用计入当期损益。符合资本化条件的资产，是指需要经过相当长时间的购建或者生产活动才能达到预定可使用或者可销售状态的固定资产、投资性房地产和存货等资产。

借款费用同时满足下列条件的，才能开始资本化：

（1）资产支出已经发生；

（2）借款费用已经发生；

1-1-153华虹半导体有限公司招股说明书

（3）为使资产达到预定可使用或者可销售状态所必要的购建或者生产活动已经开始。

购建或者生产符合资本化条件的资产达到预定可使用或者可销售状态时，借款费用停止资本化。之后发生的借款费用计入当期损益。

在资本化期间内，每一会计期间的利息资本化金额，按照下列方法确定：

（1）专门借款以当期实际发生的利息费用，减去暂时性的存款利息收入或投资收益后的金额确定；

（2）占用的一般借款，根据累计资产支出超过专门借款部分的资产支出加权平均数乘以所占用一般借款的加权平均利率计算确定。

符合资本化条件的资产在购建或者生产过程中，发生除达到预定可使用或者可销售状态必要的程序之外的非正常中断、且中断时间连续超过3个月的，暂停借款费用的资本化。在中断期间发生的借款费用确认为费用，计入当期损益，直至资产的购建或者生产活动重新开始。

（十）使用权资产公司使用权资产类别主要包括房屋及建筑物。

在租赁期开始日，公司将其可在租赁期内使用租赁资产的权利确认为使用权资产，包括：租赁负债的初始计量金额；在租赁期开始日或之前支付的租赁付款额，存在租赁激励的，扣除已享受的租赁激励相关金额；承租人发生的初始直接费用；承租人为拆卸及移除租赁资产、复原租赁资产所在场地或将租赁资产恢复至租赁条款约定状态预计将发生的成本。公司后续采用年限平均法对使用权资产计提折旧。能够合理确定租赁期届满时取得租赁资产所有权的，公司在租赁资产剩余使用寿命内计提折旧。无法合理确定租赁期届满时能够取得租赁资产所有权的，公司在租赁期与租赁资产剩余使用寿命两者孰短的期间内计提折旧。

公司按照变动后的租赁付款额的现值重新计量租赁负债，并相应调整使用权资产的账面价值时，如使用权资产账面价值已调减至零，但租赁负债仍需进一步调减的，公司将剩余金额计入当期损益。

1-1-154华虹半导体有限公司招股说明书

（十一）无形资产

无形资产仅在与其有关的经济利益很可能流入公司，且其成本能够可靠地计量时才予以确认，并以成本进行初始计量。但非同一控制下企业合并中取得的无形资产，其公允价值能够可靠地计量的，即单独确认为无形资产并按照公允价值计量。

无形资产按照其能为公司带来经济利益的期限确定使用寿命，无法预见其为公司带来经济利益期限的作为使用寿命不确定的无形资产。

各项无形资产的使用寿命如下：

项目使用寿命土地使用权42或50年生产管理软件3-5年非专利技术5年公司取得的土地使用权，通常作为无形资产核算。自行开发建造厂房等建筑物，相关的土地使用权和建筑物分别作为无形资产和固定资产核算。

使用寿命有限的无形资产，在其使用寿命内采用直线法摊销。公司至少于每年年度终了，对使用寿命有限的无形资产的使用寿命及摊销方法进行复核，必要时进行调整。

（十二）职工薪酬

职工薪酬，是指公司为获得职工提供的服务或解除劳动关系而给予的除股份支付以外各种形式的报酬或补偿。职工薪酬包括短期薪酬、离职后福利、辞退福利和其他长期职工福利。公司提供给职工配偶、子女、受赡养人、已故员工遗属及其他受益人等的福利，也属于职工薪酬。

1、短期薪酬

在职工提供服务的会计期间，将实际发生的短期薪酬确认为负债，并计入当期损益或相关资产成本。

1-1-155华虹半导体有限公司招股说明书

2、离职后福利（设定提存计划）

公司的职工参加由当地政府管理的养老保险和失业保险，相应支出在发生时计入相关资产成本或当期损益。

（十三）租赁负债

在租赁期开始日，公司将尚未支付的租赁付款额的现值确认为租赁负债，短期租赁和低价值资产租赁除外。在计算租赁付款额的现值时，公司采用租赁内含利率作为折现率；无法确定租赁内含利率的，采用承租人增量借款利率作为折现率。公司按照固定的周期性利率计算租赁负债在租赁期内各期间的利息费用，并计入当期损益，但另有规定计入相关资产成本的除外。未纳入租赁负债计量的可变租赁付款额于实际发生时计入当期损益，但另有规定计入相关资产成本的除外。

租赁期开始日后，当实质固定付款额发生变动、担保余值预计的应付金额发生变化、用于确定租赁付款额的指数或比率发生变动、购买选择权、续租选择权

或终止选择权的评估结果或实际行权情况发生变化时，公司按照变动后的租赁付款额的现值重新计量租赁负债。

（十四）股份支付

股份支付，分为以权益结算的股份支付和以现金结算的股份支付。以权益结算的股份支付，是指公司为获取服务以股份或其他权益工具作为对价进行结算的交易。

以权益结算的股份支付换取职工提供服务的，以授予职工权益工具的公允价值计量。授予后立即可行权的，在授予日按照公允价值计入相关成本或费用，相应增加资本公积；完成等待期内的服务或达到规定业绩条件才可行权的，在等待期内每个资产负债表日，以对可行权权益工具数量的最佳估计为基础，按照授予日的公允价值，将当期取得的服务计入相关成本或费用，相应增加资本公积。权益工具的公允价值采用二项式模型确定，详见《审计报告》（安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号）之“附注十一”。

对由于未满足非市场条件和服务期限条件而最终未能行权的股份支付，不确认成本或费用。股份支付协议中规定了市场条件或非可行权条件，此时无论是否

1-1-156华虹半导体有限公司招股说明书

满足市场条件或非可行权条件的，满足所有其他业绩条件和/或服务期限条件，即视为可行权。

如果修改了以权益结算的股份支付的条款，至少按照未修改条款的情况确认取得的服务。此外，增加所授予权益工具公允价值的修改，或在修改日对职工有利的变更，均确认取得服务的增加。

如果取消了以权益结算的股份支付，则于取消日作为加速行权处理，立即确认尚未确认的金额。职工或其他方能够选择满足非可行权条件但在等待期内未满足的，作为取消以权益结算的股份支付处理。但是，如果授予新的权益工具，并在新权益工具授予日认定所授予的新权益工具是用于替代被取消的权益工具的，则以与处理原权益工具条款和条件修改相同的方式，对所授予的替代权益工具进行处理。

（十五）与客户之间的合同产生的收入

公司在履行了合同中的履约义务，即在客户取得相关商品或服务控制权时确认收入。取得相关商品或服务的控制权，是指能够主导该商品的使用或该服务的提供并从中获得几乎全部的经济利益。

1、销售商品合同

公司与客户之间的销售商品合同通常仅包含转让商品的履约义务。公司通常在综合考虑了下列因素的基础上，以客户取得相关商品控制权的时点，即公司商品由客户签收或确认时确认收入：取得商品的现时收款权利、商品所有权上的主

要风险和报酬的转移、商品的法定所有权的转移、商品实物资产的转移、客户接受该商品。

根据具体执行的贸易条款，控制权向客户转移的时点具体如下：

（1）采用 EXW 条款，公司在其所在地或其他指定的地点将货物交给买方处置时，即完成交货并确认销售收入；

（2）采用 FOB 条款，货物报关出口并确认货物已装船时确认销售收入；

（3）采用 CIF 条款，境外销售于货物报关出口并确认货物已装船时确认销售收入，境内销售于将货物交付至买方指定目的地时确认销售收入；

1-1-157华虹半导体有限公司招股说明书

（4）采用 FCA 条款，公司于将货物交予买方指定承运人并办理出口清关手续时确认销售收入；

（5）采用 DDP/DDU 条款，公司以产品交付至买方指定收货地点，完成产品交付义务后确认销售收入。

2、提供服务合同

公司与客户之间的提供服务合同通常包含提供测试服务。公司于客户取得相关劳务控制权时点确认收入。

（十六）政府补助

政府补助在能够满足其所附的条件并且能够收到时，予以确认。政府补助为货币性资产的，按照收到或应收的金额计量。政府补助为非货币性资产的，按照公允价值计量；公允价值不能可靠取得的，按照名义金额计量。

政府文件规定用于购建或以其他方式形成长期资产的，作为与资产相关的政府补助；政府文件不明确的，以取得该补助必须具备的基本条件为基础进行判断，以购建或其他方式形成长期资产为基本条件的作为与资产相关的政府补助，除此之外的作为与收益相关的政府补助。

与收益相关的政府补助，用于补偿以后期间的相关成本费用或损失的，确认为负债，并在确认相关成本费用或损失的期间计入当期损益或冲减相关成本；用于补偿已发生的相关成本费用或损失的，直接计入当期损益或冲减相关成本。

与资产相关的政府补助，冲减相关资产的账面价值；或确认为负债，在相关资产使用寿命内按照合理、系统的方法分期计入损益（但按照名义金额计量的政府补助，直接计入当期损益），相关资产在使用寿命结束前被出售、转让、报废或发生毁损的，尚未分配的相关负债余额转入资产处置当期的损益。

财政将贴息资金拨付给贷款银行，由贷款银行以政策性优惠利率向公司提供贷款的，以实际收到的借款金额作为借款的入账价值，按照借款本金和该政策性优惠利率计算相关借款费用。

六、经注册会计师核验的非经常性损益表

报告期内，公司经注册会计师核验的非经常性损益表如下：

1-1-158华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元项目2022年2021年2020年非流动资产处置损益，包括已计提资产减

1.49-49.28-6.55

值准备的冲销部分计入当期损益的政府补助（与正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一

73940.3677193.0743601.12

定标准定额或定量持续享受的政府补助除注

外）1除同公司正常经营业务相关的有效套期业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生

的公允价值变动损益，以及处置交易性金42.24-3740.94融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益

根据税收、会计等法律、法规的要求对当

期损益进行一次性调整对当期损益的影响2566.85注2

除上述各项之外的其他营业外收入和支出-2902.0763.2016.95注

其他符合非经常性损益定义的损益项目33296.41-223.96

所得税影响数-746.19-8074.36-3558.46

少数股东权益影响数（税后）-32371.92-11455.18-11578.40

非经常性损益金额43827.1557677.4532439.57

注1：报告期各期，公司获得的计入当期损益的政府补助金额分别为43601.12万元、

77193.07万元和73940.36万元，均属于非经常性损益。

注2：根据《财政部、税务总局、科技部关于加大支持科技创新税前扣除力度的公告》，公司2022年10月31日至2022年12月31日新购置的设备允许当年一次性全额在计算应纳

税所得额时扣除，并允许在税前实行100%加计扣除。

注3：其他符合非经常性损益定义的损益项目系公司按投资比例享有的上海华虹科技发展有限公司及上海华虹投资发展有限公司的非经常性损益。

七、主要税种税率、享受的主要税收优惠政策

（一）主要税种及税率

1、增值税

本公司及本公司于境外设立的子公司适用当地增值税税率，本公司下属境内子公司凡被认定为增值税一般纳税人的，应税收入按13%及6%的税率计算销项税，并按扣除当期允许抵扣的进项税额后的差额计缴增值税。

1-1-159华虹半导体有限公司招股说明书

2、企业所得税

本公司于中国香港注册成立，利得税按应纳税所得额16.5%计缴，于报告期间在当地无须纳税。境内子公司除因享受税务优惠外，企业所得税按应纳税所得额的25%计缴。本公司取得的来源于中国大陆的所得按10%的税率征收企业所得税。本公司主要海外子公司税率如下：

国家及地区税率

中国香港16.5%开曼于报告期间在当地无须纳税

美国联邦企业所得税率21%；州税税率8.84%

日本33.58%

3、城巿维护建设税

本公司于境内设立的子公司按实际缴纳的增值税的7%、5%及1%计缴。

4、教育费附加

本公司于境内设立的子公司按实际缴纳的增值税的3%计缴。

5、地方教育费附加

本公司于境内设立的子公司按实际缴纳的增值税的2%计缴。

6、印花税

2022年7月1日前，购销合同按合同金额0.3‰计算印花税，加工承揽合同

按合同金额0.5‰计算印花税，建筑安装工程承包合同按承包金额0.3‰计算印花税，财产保险合同、财产租赁合同按合同金额1.0‰计算印花税，货物运输合同按运输费用金额0.5‰计算印花税，技术合同按合同金额0.3‰计算印花税。根据财政部税务总局2018年5月3日发布的《关于对营业账簿减免印花税的通知》（财税[2018]50号），营业账簿中记载资金的账簿按股本和资本公积的合计金额减半按0.25‰计算印花税。2022年7月1日起，买卖合同按照价款的0.3‰计算印花税，加工承揽合同按照加工或承揽收入的0.3‰计算印花税，建设工程合同按照价款的0.3‰计算印花税，财产保险合同、租赁合同按保险费或租金金额的

1.0‰计算印花税，运输合同按照运输费用的0.3‰计算印花税，技术合同按照价

1-1-160华虹半导体有限公司招股说明书

款、报酬或使用费的0.3‰计算印花税。营业账簿中记载资金的账簿按股本和资本公积的合计金额的0.25‰计算印花税。

7、房产税

根据房屋的计税余值，按1.2%的年税率计算缴纳。

（二）税收优惠

1、企业所得税税收优惠本公司下属子公司上海华虹宏力，按《国家税务总局关于实施高新技术企业所得税优惠政策有关问题的公告》（国家税务总局公告2017年第24号）的有关

规定享受企业所得税优惠政策，于2017年11月获得上海市高新技术企业证书，享受企业所得税优惠政策，减按15%的税率计缴企业所得税，该证书有效期三年，自2017年11月至2020年11月。该高新技术企业证书到期后，于2020年11月再次获得上海市高新技术企业证书，该证书有效期为2020年度至2022年度。

本公司下属子公司华虹无锡，符合根据财务部、国家税务总局、国家发展改革委、工业和信息化部发布的财税[2018]27号《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知》、国务院发布的国发[2020]8号《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》及财政部、税务总局、发展改革委、工业和信息化部发布的[2020]45号《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税的政策的公告》的规定，符合前述规定范围和条件的集成电路生产企业，可自获利年度起在相应期间内享受免征企业所得税或按照25%的法定税率减半征收企业所得税的税收优惠。截至2022年12月31日，华虹无锡尚未进入获利年度。

2、研究开发费加计扣除2020年度，根据《财政部国家税务总局科学技术部关于提高研究开发费用税前加计扣除比例的通知》（财税[2018]99号），企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，再按照实际发生额的75%在税前加计扣除。

1-1-161华虹半导体有限公司招股说明书2021年度起，根据《财政部税务总局关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（公告[2021]13号），制造业企业开展研发活动中实际发生的研发费用，未形成无形资产计入当期损益的，在按规定据实扣除的基础上，自2021年1月1日起，再按照实际发生额的100%在税前加计扣除；形成无形资产的，自2021年1月1日起，按照无形资产成本的200%在税前摊销。

公司符合上述规定的支出在计算应纳税所得额时加计扣除。

3、固定资产加计扣除公司于中国境内设立的子公司根据《财政部税务总局科技部关于加大支持科技创新税前扣除力度的公告》（财政部税务总局科技部公告2022年第28号）的规定，高新技术企业在2022年10月1日至2022年12月31日期间新购置的设备、器具，允许当年一次性全额在计算应纳税所得额时扣除，并允许在税前实行100%加计扣除。

公司符合上述规定的支出在计算应纳税所得额时加计扣除。

八、主要财务指标

（一）财务指标

2022年度/2021年度/2020年度/

财务指标

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

流动比率（倍）2.222.212.12

速动比率（倍）1.711.701.78

资产负债率（合并）42.48%41.90%27.60%

应收账款周转率（次）13.0313.168.85

存货周转率（次）2.553.084.42息税折旧摊销前利润（万

678635.96403931.69159948.73

元）归属于母公司股东的净

300861.26165999.7450545.75利润（万元）扣除非经常性损益后归

属于母公司股东的净利257034.11108322.2918106.19润（万元）研发投入占营业收入的

6.41%4.86%10.97%

比例每股经营活动产生的现

4.243.001.88

金流量（元/股）

每股净现金流量（元/股）2.863.262.09

1-1-162华虹半导体有限公司招股说明书

2022年度/2021年度/2020年度/

财务指标

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

归属于母公司股东的每

15.2313.1411.83

股净资产（元/股）

注：上述财务指标的计算方法如下：

1、流动比率=流动资产/流动负债

2、速动比率=（流动资产-存货）/流动负债

3、资产负债率=负债总额/资产总额

4、应收账款周转率=营业收入/应收账款平均净额

5、存货周转率=营业成本/存货平均净额

6、息税折旧摊销前利润=利润总额＋利息支出（财务费用项下）＋折旧与摊销

7、研发投入占营业收入的比例=研发费用/营业收入

8、每股经营活动产生的现金流量=经营活动产生的现金流量净额/发行在外普通股的加

权平均数

9、每股净现金流量=现金及现金等价物净增加额/发行在外普通股的加权平均数

10、归属于母公司股东的每股净资产=归属于母公司股东权益/发行在外普通股的加权平

均数

（二）净资产收益率和每股收益根据《公开发行证券的公司信息披露编报规则第9号——净资产收益率和每股收益的计算及披露》（2010年修订），报告期内公司加权平均净资产收益率和每股收益如下：

加权平均净资产每股收益（元）财务指标期间收益率基本每股收益稀释每股收益

2022年度16.30%2.312.29

按照归属于母公

2021年度10.27%1.281.26

司股东的净利润

2020年度3.38%0.390.39

按照扣除非经常2022年度13.93%1.971.96性损益后归属于

2021年度6.70%0.830.82

母公司股东的净

利润2020年度1.21%0.140.14

九、经营成果分析

（一）营业收入分析

报告期内，公司营业收入的构成情况如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比主营业

1666674.9999.29%1052343.5999.00%663897.6398.54%

务收入

1-1-163华虹半导体有限公司招股说明书

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比其他业

11896.810.71%10624.161.00%9805.011.46%

务收入

合计1678571.80100.00%1062967.75100.00%673702.63100.00%

公司是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，主要从事8英寸及12英寸晶圆代工业务。公司主营收入主要来自晶圆代工业务。报告期内，公司主营业务收入占当期营业收入的比例分别为98.54%、99.00%和99.29%，主营业务突出。

报告期内，公司主营业务收入分别为663897.63万元、1052343.59万元和

1666674.99万元，最近三年的复合增长率达58.44%，呈稳步增长趋势，主要原

因为市场需求增长和公司产能扩张，具体如下：

（1）市场需求增长

近年来随着国内工业生产规模不断扩张，疫情下对远程连接技术的需求快速增长，新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯及物联网等领域的应用需求逐步加强，带动了国内半导体市场规模的快速提升，有力推动了上游晶圆代工行业规模的持续增长。根据 IC Insights 的统计，2016 年至 2021 年，中国大陆晶圆代工市场规模从46亿美元增长至94亿美元，复合增长率为15.12%。

（2）公司产能扩张公司产能的稳健提升是推动收入规模增长的重要因素。在产品需求快速增长的有利行业因素推动下，为满足庞大而多样化的市场需求，公司近年来持续加大产线设备投入，提升生产能力。公司目前拥有3座8英寸和1座12英寸晶圆厂，截至2022年末合计产能32.4万片/月（按照约当8英寸统计）。最近三年公司年产能分别达248.52万片、326.04万片、386.27万片（按照约当8英寸统计），年均复合增长率达24.67%，产能的快速扩充主要来自于公司12英寸产线，为公司主营业务收入快速增长提供了重要保障。

1、分业务构成分析

（1）按服务构成分类

报告期内，公司主营业务收入的服务构成情况如下：

1-1-164华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

晶圆代工1599825.9695.99%1007892.4695.78%640007.3896.40%其他主营

66849.044.01%44451.134.22%23890.253.60%

业务

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

报告期内，公司主营业务收入主要来自于晶圆代工收入，各期分别为

640007.38万元、1007892.46万元和1599825.96万元，占比分别为96.40%、

95.78%和95.99%。各期除晶圆代工之外的其他主营业务收入合计分别为

23890.25万元、44451.13万元和66849.04万元，占比分别为3.60%、4.22%和

4.01%，主要系公司为客户提供掩模版、探针卡等为主营业务配套相关服务实现的收入。

（2）按晶圆规格分类

报告期内，公司主营业务收入按晶圆规格分类列示如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

8英寸990902.7859.45%742298.9470.54%620281.8793.43%

12英寸675772.2240.55%310044.6429.46%43615.766.57%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%公司为客户提供8英寸及12英寸两种规格的晶圆代工及配套服务。报告期内，公司8英寸晶圆相关收入分别为620281.87万元、742298.94万元和

990902.78万元，近三年的复合增长率为26.39%，收入增长主要来自于产品组合的优化升级。报告期内，公司12英寸晶圆相关收入分别为43615.76万元、

310044.64万元和675772.22万元，近三年的复合增长率为293.62%，该部分收

入全部来自于公司2019年四季度开始投产的12英寸产线，随着12英寸产线的产能爬坡、工艺逐渐稳定，公司12英寸产品收入及占比快速增长。

（3）按工艺平台分类

报告期内，公司主营业务收入按工艺平台类别列示如下：

1-1-165华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

功率器件522589.9931.36%360062.7434.22%244108.2536.77%嵌入式非

易失性存520497.6331.23%296253.0528.15%231059.4234.80%储器模拟与电

301314.1118.08%161360.0515.33%93614.8814.10%

源管理逻辑与射

182306.6610.94%175691.7616.70%85963.1912.95%

频独立式非

易失性存138583.398.31%57398.195.45%8222.571.24%储器

其他1383.230.08%1577.800.15%929.320.14%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

公司主营业务收入按工艺平台可分为功率器件、嵌入式非易失性存储器、独

立式非易失性存储器、模拟与电源管理、逻辑与射频及其他工艺平台。

报告期内，功率器件工艺平台收入稳步增长，收入分别为244108.25万元、

360062.74万元和522589.99万元，三年的复合增长率达46.32%。报告期内占比

分别为36.77%、34.22%和31.36%，是公司最大的业务板块。

报告期内，公司嵌入式非易失性存储器工艺平台收入分别为231059.42万元、

296253.05万元和520497.63万元，最近三年的复合增长率达50.09%，2021年

及 2022 年收入显著上升，主要受益于对 MCU 及智能卡芯片的需求增加，收入增长趋势与下游产品需求及公司产能的稳定增长相匹配。

报告期内，公司模拟与电源管理工艺平台收入分别为93614.88万元、

161360.05万元和301314.11万元，最近三年的复合增长率达79.41%，主要受益

于新一代移动通讯基站建设及新能源市场增长，成为公司高速增长及重点发展的业务板块。

经过长期的研发创新与技术沉淀，公司在逻辑与射频工艺平台和独立式非易失性存储器工艺平台收入均实现了高速增长，最近三年的复合增长率分别达到

45.63%和310.54%。

（4）按工艺节点分类

报告期内，公司主营业务收入按工艺节点分类列示如下：

1-1-166华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

55nm及 65nm 236447.02 14.19% 101645.34 9.66% 4568.25 0.69%

90nm及 95nm 340167.11 20.41% 180716.94 17.17% 68822.76 10.37%

0.11μm 及

288601.5217.32%195621.9518.59%158994.4223.95%

0.13μm

0.15μm 及

139507.658.37%106075.9610.08%97701.9814.72%

0.18μm

0.25μm 10131.93 0.61% 14820.33 1.41% 11433.31 1.72%

大于 0.35μm 651819.76 39.11% 453463.08 43.09% 322376.91 48.56%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

公司为客户提供包括 55nm 及 65nm、90nm 及 95nm、0.11μm 及 0.13μm、

0.15μm 及 0.18μm、0.25μm 及大于 0.35μm 在内的多种工艺节点的晶圆代工及配套服务。

报告期内 55nm 及 65nm 工艺节点收入呈现快速上升趋势，近三年的复合增长率达到了619.44%，主要受益于独立式非易失性存储器及逻辑与射频产品收入的强劲增长；90nm 及 95nm 工艺节点收入同样增长迅速，近三年的复合增长率达到了 122.32%，主要受益于图像传感器、MCU 以及电源管理芯片的需求旺盛；

大于 0.35μm 工艺节点收入近三年的复合增长率为 42.19%，增长主要来自于功率器件产品。

（5）按应用领域分析

报告期内，公司主营业务收入按照应用领域分类列示如下:单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

消费电子1075329.6364.52%670625.6463.73%410113.5161.77%

工业及汽车373112.5422.39%204047.7919.39%141330.1721.29%

通讯产品165827.819.95%141323.5113.43%87647.1213.20%

计算机52405.013.14%36346.653.45%24806.843.74%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

注：消费电子没有标准定义，上述分类与发行人联交所信息披露保持一致，发行人的消费电子、通讯产品和计算机均属于广义的消费电子领域。其中，发行人的通讯产品主要为手机产品。

1-1-167华虹半导体有限公司招股说明书

公司具备多个技术平台的量产能力，可为客户提供消费电子、工业及汽车、通讯产品、计算机等不同产品终端应用领域的晶圆代工及配套服务。

消费电子是公司终端应用的主要板块。报告期内，应用于消费电子领域的主营业务收入分别为410113.51万元、670625.64万元和1075329.63万元，近三年的复合增长率为61.93%。报告期内，应用于工业及汽车领域的主营业务收入分别为141330.17万元、204047.79万元和373112.54万元，近三年的复合增长率为62.48%，主要受益于新能源汽车、工业智造等领域的应用需求增长。

2、按地区分析

报告期内，公司主营业务收入按照客户归属地区列示如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比中国大陆

1218314.0273.10%777612.0373.89%430639.1964.87%

及香港亚洲其他

141098.808.47%109278.3410.38%84248.5812.69%

区域

北美区201633.5812.10%102776.879.77%84298.0512.70%

欧洲区77733.964.66%45583.214.33%45879.416.91%

日本区27894.651.67%17093.131.62%18832.402.84%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

注：客户归属地以其总部归属国家及地区为准。

经过多年发展，公司在行业内建立了良好的口碑，积累了丰富的客户资源，销售区域覆盖中国、美国以及日本、欧洲等其他国家和地区。

报告期内，公司来自中国大陆及香港的主营业务收入分别为430639.19万元、777612.03万元和1218314.02万元，占比分别为64.87%、73.89%和73.10%，

金额及占比均呈逐年上升趋势，主要受益于下游产品需求的快速增长以及国家对半导体行业的政策支持，境内半导体行业发展迅速，有力带动了晶圆代工服务的需求增长。公司在中国占据地理优势，将持续深耕中国市场。

3、第三方回款的情况

报告期内，公司产品销售存在第三方回款的情形，主要为法定代表人或下属企业代付货款，具体情况如下：

1-1-168华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

第三方回款合计109.90-370.81

营业收入1678571.801062967.75673702.63

占比0.01%-0.06%

报告期内公司仅在2020年度和2022年度产生少量第三方回款，第三方回款金额分别为370.81万元和109.90万元，占当期营业收入的比重分别为0.06%和

0.01%，占比较低。第三方回款产生的主要原因系客户受疫情影响等状况，由客

户法定代表人或客户下属企业代付货款。

报告期内，公司第三方回款具有真实的业务背景和商业合理性，不存在虚构交易或调节账龄的情形；公司及实际控制人、董事、高级管理人员与第三方回款

的支付方不存在关联（连）关系或其他利益安排。

4、分季度主营业务收入构成分析

报告期内，公司主营业务收入按季度列示如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

第一季度377910.1722.67%197984.4718.81%141712.5621.35%

第二季度409462.6724.57%223948.0221.28%159821.1224.07%

第三季度429933.5125.80%291901.1227.74%175418.5826.42%

第四季度449368.6426.96%338509.9832.17%186945.3828.16%

合计1666674.99100.00%1052343.59100.00%663897.63100.00%

公司所在行业不存在明显的季节性波动。报告期内，受产能持续扩充及订单量稳定增长的影响，公司主营业务收入金额整体呈现逐季增加的态势。2021年行业下游产品需求快速增长、公司产能持续提升，同时受产品价格上升推动，公司各季度主营业务收入规模持续提高。

5、销售数量和价格情况分析

报告期内，公司主要从事8英寸及12英寸晶圆代工服务，各期销量及销售均价具体变动情况如下：

项目2022年度2021年度2020年度

1-1-169华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年度2021年度2020年度

销售收入（万元）1599825.961007892.46640007.38

销售数量（万片）408.66332.79219.15

平均销售单价（元/片）3914.853028.582920.47

平均销售单价（美元/片）581.58469.31422.86

注：销量和单价按照约当8英寸统计

报告期内，公司晶圆销售数量快速增长，2020年度、2021年度和2022年度销量分别增长了11.04%、51.86%和22.80%，与下游产品需求及公司产能的稳定增长相匹配。2021年及2022年，行业景气度回升，下游产品需求快速增长，公司通过新技术新产品导入、产能扩张、产品组合优化，销量、销售单价均实现较大幅增长。

（二）营业成本分析

1、营业成本结构分析

报告期内，公司营业成本结构如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比主营业

1073531.2099.72%762014.2399.70%547039.9999.59%

务成本其他业

3066.550.28%2329.560.30%2265.780.41%

务成本

合计1076597.75100.00%764343.79100.00%549305.77100.00%

报告期内，公司主营业务成本占比分别为99.59%、99.70%和99.72%，与主营业务收入结构相匹配。

报告期内，公司主营业务成本分别为547039.99万元、762014.23万元和

1073531.20万元，2021年度和2022年度，主营业务成本分别较上年增长39.30%

和40.88%，与主营业务收入变动趋势一致。

2、主营业务成本结构分析

（1）主营业务成本构成分析

报告期内，公司主营业务成本按晶圆规格分类列示如下：

1-1-170华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

8英寸530942.3849.46%474664.9062.29%443197.7781.02%

12英寸542588.8250.54%287349.3337.71%103842.2218.98%

合计1073531.20100.00%762014.23100.00%547039.99100.00%

2020年至2022年，由于12英寸产线投入生产，公司12英寸产品主营业务

成本近三年的复合增长率为228.59%。

（2）主营业务成本按性质构成占比及变动分析

公司主营业务成本主要包括生产过程中所投入的直接材料、直接人工及分摊的制造费用。报告期内，公司主营业务成本的具体构成如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

直接材料189247.5917.63%145143.5119.05%99382.0818.17%

直接人工57704.495.38%41236.585.41%34006.826.22%

制造费用826579.1277.00%575634.1475.54%413651.1075.62%

合计1073531.20100.00%762014.23100.00%547039.99100.00%

报告期内，公司主营业务成本主要由直接材料、直接人工和制造费用构成。

直接材料主要为半导体产品制造中使用的硅片，直接人工为直接参与生产的工人的薪酬费用，制造费用指应由产品制造成本承担的，但不能直接计入产品成本的有关费用，主要包含间接材料、间接人工、折旧费、动力费等。

报告期内，公司直接材料成本分别为99382.08万元、145143.51万元和

189247.59万元，2020年至2022年，呈逐年增长趋势，主要系公司产品销量增

长所致；直接材料成本占主营业务成本的比重分别为18.17%、19.05%和17.63%，总体较为稳定。

报告期内，公司直接人工成本分别为34006.82万元、41236.58万元和

57704.49万元，2020年至2022年，呈逐年增长趋势，主要系公司生产经营规模扩大，所带来的公司生产人员增加及薪酬支出上升。报告期内，直接人工成本占主营业务成本的比重分别为6.22%、5.41%和5.38%，下降的原因主要系华虹无

1-1-171华虹半导体有限公司招股说明书

锡12英寸生产线自动化程度较高，直接人工成本增长幅度小于制造费用增长幅度。

报告期内，公司制造费用分别为413651.10万元、575634.14万元和

826579.12万元，2020年至2022年，呈逐年上升趋势，主要系公司为扩充产能

持续加大固定资产等资本性投入，折旧规模持续提升。同时，随着生产规模扩大，间接材料、间接人工费用有所提高，导致制造费用整体上升，制造费用占主营业务成本的比例分别为75.62%、75.54%和77.00%，占比总体较为稳定。

（三）毛利及毛利率分析

1、综合毛利及毛利率分析

报告期内，公司综合毛利构成情况具体如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目毛利毛利率毛利毛利率毛利毛利率

主营业务毛利593143.7935.59%290329.3627.59%116857.6417.60%

其他业务毛利8830.2574.22%8294.6078.07%7539.2376.89%

合计601974.0535.86%298623.9628.09%124396.8618.46%

报告期内，公司综合毛利分别为124396.86万元、298623.96万元和

601974.05万元，公司综合毛利率分别为18.46%、28.09%和35.86%。公司综合

毛利主要由主营业务毛利构成，综合毛利率变动趋势与主营业务毛利率保持一致。

报告期内，公司其他业务毛利分别为7539.23万元、8294.60万元和8830.25万元，公司其他业务毛利率分别为76.89%、78.07%和74.22%。公司其他业务毛利主要来自于对外出租房屋的租金毛利，因房屋折旧摊销成本较低故毛利率水平较高。

2、主营业务毛利及毛利率

（1）整体变动分析

报告期内，公司主营业务毛利分别116857.64万元、290329.36万元和

593143.79万元，主营业务毛利率分别为17.60%、27.59%和35.59%。2021年及

2022年，尽管12英寸产线折旧成本仍旧较高，公司通过新产品新技术导入、生

1-1-172华虹半导体有限公司招股说明书

产规模的扩大、产品组合的优化、产品价格的提升，同时降本增效，有效提升了公司主营业务毛利水平。

（2）分类毛利及毛利率分析

报告期内，公司主营业务毛利及毛利率按晶圆规格分类列示如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目毛利毛利率毛利毛利率毛利毛利率

8英寸459960.4046.42%267634.0536.05%177084.1028.55%

12英寸133183.3919.71%22695.317.32%-60226.46-138.08%

合计593143.7935.59%290329.3627.59%116857.6417.60%

报告期内，公司主营业务毛利主要来自于8英寸产品，报告期内8英寸产品的毛利率分别为28.55%、36.05%和46.42%；2021年及2022年公司通过优化产

品组合、提升产品价格，实现了8英寸产品整体毛利率的提升。

公司12英寸产线于2019年四季度开始投产，由于投产初期12英寸产线尚在产能爬坡阶段，而固定资产折旧、人工费用等固定成本较高，使得12英寸产品单位成本较高，2020年毛利及毛利率为负值；2021年及2022年，随着公司12英寸产品产销规模的快速增长，规模效应显现使得单位成本持续快速下降，

毛利及毛利率均实现转正。未来随着生产规模的扩大，规模效应进一步显现，12英寸产品的毛利率将进一步提升。

3、与同行业可比上市公司比较

报告期内，公司与同行业上市公司综合毛利率水平的对比情况如下：

公司名称2022年度2021年度2020年度

格罗方德27.61%15.39%-14.69%

联华电子45.12%33.82%22.05%

中芯国际38.30%29.31%23.78%

世界先进46.28%43.58%33.97%

高塔半导体27.80%21.82%18.43%

晶合集成-45.13%-8.57%

均值37.02%31.51%12.50%

发行人35.86%28.09%18.46%

1-1-173华虹半导体有限公司招股说明书

注：晶合集成2022年度综合毛利率尚未披露。

2020年公司综合毛利率高于可比公司均值，主要系可比公司晶合集成、格

罗方德毛利率为负，2021年及2022年，公司通过新产品新技术导入、优化产品组合、提升产品价格，同时华虹无锡12英寸产线规模化效应逐步显现，公司产品单位成本相应下降，公司毛利率水平快速提升，由于公司华虹无锡12英寸仍在产能爬坡阶段，导致2021年及2022年公司整体毛利率水平略低于同行业可比公司均值。

（四）期间费用分析

报告期内，公司期间费用构成如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目占营业收入的占营业收入占营业收入的金额金额金额比例的比例比例

销售费用8338.560.50%6879.590.65%5626.600.84%

管理费用68527.524.08%62499.675.88%53292.037.91%

研发费用107667.186.41%51642.144.86%73930.7310.97%

财务费用81092.934.83%-15046.81-1.42%-15674.05-2.33%

合计265626.1915.82%105974.599.97%117175.3117.39%

报告期内，公司期间费用合计分别为117175.31万元、105974.59万元和

265626.19万元，2020年期间费用率较高的主要原因系华虹无锡12英寸生产线

逐步投产，公司进行了较大力度的研发投入。2022年期间费用率大幅增加，主要原因系：一方面政府补助抵减的研发费用减少，使得研发费用增加，另一方面因汇率波动导致财务费用中的汇兑损失大幅增加。

1、销售费用分析

（1）总体情况

报告期内，公司销售费用明细情况如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

职工薪酬8172.3598.01%6378.8992.72%5224.7892.86%

其他166.211.99%500.707.28%401.827.14%

1-1-174华虹半导体有限公司招股说明书

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

合计8338.56100.00%6879.59100.00%5626.60100.00%

报告期内，公司销售费用分别为5626.60万元、6879.59万元和8338.56万元，主要由职工薪酬构成。报告期内，公司销售人员总体较为稳定，随着公司业务规模逐年增长，使得销售费用也相应提升。

（2）与同行业可比上市公司比较

报告期内，公司与同行业上市公司销售费用率水平的对比情况如下：

公司名称2022年度2021年度2020年度

格罗方德---

联华电子-2.19%2.35%

中芯国际0.46%0.49%0.73%

世界先进1.13%1.30%1.14%

高塔半导体---

晶合集成-0.73%1.31%

均值0.80%1.18%1.38%

发行人0.50%0.65%0.84%

报告期内，公司销售费用率略低于同行业可比上市公司，但不存在显著差异。

2、管理费用分析

（1）总体情况

报告期内，公司管理费用明细情况如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

职工薪酬27891.9540.70%29468.4647.15%25057.1547.02%

环境保护费6544.319.55%5792.459.27%4143.997.78%

折旧费用5841.228.52%4918.127.87%3764.687.06%

专业服务费5248.017.66%4490.457.18%3952.787.42%日常运营费

3782.175.52%3176.835.08%3698.566.94%

用

保险费3847.315.61%1701.832.72%1924.063.61%

1-1-175华虹半导体有限公司招股说明书

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比使用权资产

2642.223.86%2657.944.25%2860.745.37%

折旧费

摊销费用1857.402.71%1904.853.05%1666.583.13%

安保费2626.883.83%2110.623.38%1897.743.56%计入当期损益的采用简

1765.902.58%1014.491.62%735.591.38%

化处理的短期租赁费用

办公费1744.992.55%1830.482.93%1707.553.20%存货报废损

995.051.45%806.071.29%704.671.32%

失

修理费1228.221.79%766.561.23%670.351.26%政府补助抵

-1322.71-1.93%-0.00%-1417.07-2.66%减管理费用

其他3834.615.60%1860.522.98%1924.663.61%

合计68527.52100.00%62499.67100.00%53292.03100.00%

报告期内，公司管理费用分别为53292.03万元、62499.67万元和68527.52万元，主要由职工薪酬构成。报告期内，公司管理人员总体较为稳定，管理人员的职工薪酬不存在异常波动。

（2）与同行业可比上市公司比较

报告期内，公司与同行业上市公司管理费用率水平的对比情况如下：

公司名称2022年度2021年度2020年度

格罗方德6.12%9.03%9.17%

联华电子-3.75%3.77%

中芯国际6.14%4.61%5.69%

世界先进5.40%5.30%5.02%

高塔半导体4.79%5.12%5.05%

晶合集成-4.47%18.12%

均值5.61%5.38%7.80%

发行人4.08%5.88%7.91%

报告期内，公司管理费用率与同行业可比上市公司不存在显著差异。

1-1-176华虹半导体有限公司招股说明书

3、研发费用分析

（1）总体情况

报告期内，公司研发费用情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

研发费用107667.1851642.1473930.73

营业收入1678571.801062967.75673702.63

研发费用占比6.41%4.86%10.97%

政府补助抵减前的研发费用128103.5293331.8892314.89

政府补助抵减前的研发费用占比7.63%8.78%13.71%

公司坚持技术和产品的持续创新，报告期内始终保持较高的研发费用并逐年增长。报告期内分别为73930.73万元、51642.14万元和107667.18万元，占各年营业收入的比例分别为10.97%、4.86%和6.41%。

（2）研发费用构成

报告期内，公司研发费用明细情况如下：

单位：万元

2022年度2021年度2020年度

项目金额占比金额占比金额占比

职工薪酬67400.6252.61%46218.9749.52%30861.6833.43%

研究测试费用25141.4519.63%22580.3024.19%31880.4134.53%

折旧费用21926.3717.12%12329.9313.21%14604.1715.82%

摊销费用3497.702.73%3277.203.51%2340.472.54%

维修维护费6651.695.19%5549.215.95%6546.217.09%燃料动力及水电

3408.282.66%3201.503.43%5966.886.46%

费

其他77.400.06%174.770.19%115.070.12%

小计128103.52100.00%93331.88100.00%92314.89100.00%政府补助抵减研

-20436.34--41689.74--18384.16-发费用

合计107667.18-51642.14-73930.73-

报告期内，公司研发费用分别为73930.73万元、51642.14万元和107667.18万元，主要由职工薪酬和研究测试费用构成。公司为保持较强的竞争力，重视产品研发，持续保持较高的研发费用。

1-1-177华虹半导体有限公司招股说明书

报告期内，公司研发人员薪酬逐年增长，主要原因系公司12英寸生产线投产和8英寸生产线优化升级，均需要增加研发人员的投入。

2020年研发费用中的研究测试费金额较高的主要原因系当年12英寸生产线

处于产能爬坡阶段，公司为12英寸生产线的研发和量产加大研发投片数量。

（3）主要研发项目

报告期内，研发投入对应的主要研发项目及进度情况如下：

单位：万元序号项目报告期内累计投入金额预算金额研发进度

嵌入式/独立式非易失性存储

1101371.51120197.00实施中

器平台研发项目

2功率器件平台研发项目86087.48111552.00实施中

3模拟与电源管理平台研发项目106632.81121779.00实施中

4逻辑与射频平台研发项目24312.2435107.00实施中

小计318404.04--

政府补助抵减研发费用80510.24--

政府补助抵减研发相关资产折旧4653.75--

合计233240.05--

注：逻辑与射频平台相关研发布局未来仅为发行人其他工艺平台发展提供基础性支持。

（4）与同行业可比上市公司比较

报告期内，公司与同行业上市公司研发费用率水平的对比情况如下：

公司名称2022年度2021年度2020年度

格罗方德5.94%7.26%9.81%

联华电子-6.07%7.29%

中芯国际10.00%11.56%17.01%

世界先进5.30%4.89%5.42%

高塔半导体5.00%5.66%6.19%

晶合集成-7.31%16.18%

均值6.56%7.13%10.32%

发行人6.41%4.86%10.97%发行人（剔除政府补助抵

7.63%8.78%13.71%减影响）

1-1-178华虹半导体有限公司招股说明书

报告期内，公司剔除政府补助抵减影响后的研发费用占营业收入比重总体与同行业可比公司相当，2020年较高的主要原因系年12英寸生产线处于产能爬坡阶段，公司加大研发人员的投入以及研发投片进行测试的数量。

（5）研发费用的核算

公司研发支出归集范围包括：研发人员的工资、社保、公积金等人工费用；

研发活动直接投入相关的材料等费用；研发人员使用的设备折旧和摊销等。发行人制定了研发相关的制度规定，明确了研发支出开支范围和标准，并得到了有效执行。

（6）研发内控制度

报告期内，发行人根据《企业会计准则》的有关规定，制定了研究与开发内部控制制度，明确了研发支出的审批制度，明确了研发支出范围和标准，公司研发活动开支审批符合上述制度要求。

4、财务费用分析

报告期内，公司财务费用明细情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

利息支出35669.688651.482007.93

减：利息收入18429.648669.277407.85

减：利息资本化金额414.33--

减：政府补助抵减利息支出7848.83--

汇兑损益71775.26-15421.32-10624.44

其他340.79392.30350.32

合计81092.93-15046.81-15674.05

报告期内，公司财务费用分别为-15674.05万元、-15046.81万元和81092.93万元，主要由利息支出、利息收入和汇兑损益构成，其中汇兑损益主要系2020年起公司有较大金额的外币借款，外币汇率变动形成了汇兑损益。

1-1-179华虹半导体有限公司招股说明书

（五）利润表其他项目

1、资产减值损失

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

存货跌价损失（转回）/

13621.574662.715011.32

计提

固定资产减值损失606.402504.98744.21

合计14227.967167.705755.53

报告期内，公司资产减值损失分别为5755.53万元、7167.70万元和14227.96万元，主要由存货跌价损失和固定资产减值损失构成，固定资产减值损失主要系机器设备减值计提，存货跌价损失主要系原材料减值计提。

2、投资收益

单位：万元项目2022年2021年度2020年度按权益法核算的长期股权投

5991.283595.992019.03

资收益交易性金融资产在持有期间

--6349.46取得的投资收益其他权益工具投资的股利收

42.24--

入

合计6033.523595.998368.50

报告期内，公司的投资收益的金额分别为8368.50万元、3595.99万元和

6033.52万元，系按权益法核算的长期股权投资收益，以及银行理财产品产生的投资收益等。

3、其他收益

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

与日常活动相关的政府补助18771.744598.568050.36

代扣个人所得税手续费返还351.65200.97235.84

合计19123.394799.538286.20

报告期内，公司其他收益分别为8286.20万元、4799.53万元、19123.39万元，主要为与日常活动相关的政府补助，其具体情况如下表所示：

1-1-180华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

与资产相关/与补助项目2022年度2021年度2020年度收益相关

浦东新区财政扶持款4335.993595.004655.00与收益相关上海市张江科学城专项

-219.902080.00与收益相关发展扶持资金无锡高新区产业升级扶

13910.00-782.00与收益相关

持款

稳岗补贴314.13

知识产权款48.36

其他163.26783.66533.36与收益相关

合计18771.744598.568050.36

4、营业外支出

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

断电损失3045.39-

其他0.7057.72-

合计3046.0957.72-

2022年，公司营业外支出为3046.09万元，主要系公司生产车间发生断电，

造成短暂停工以及部分设备损毁，公司预估生产车间断电造成的损失。

（六）少数股东损益

报告期各期，公司少数股东损益、净利润金额如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

少数股东损益-28315.65-19686.60-45865.25

净利润272545.62146313.144680.50

报告期内，公司少数股东损益来自于子公司华虹无锡，由于华虹无锡属于公司主营业务的重要组成部分，且少数股东在华虹无锡持股比例较高，故少数股东损益金额较大，对公司经营成果存在较大影响。

（七）政府补助

报告期内，公司分别采用总额法与净额法对政府补助进行计量。公司会根据经济业务的实质，确定某一类政府补助业务应当采用总额法还是净额法进行会计处理。针对政府补助文件中明确规定资金专项用途，且该资金使用后公司将最终

1-1-181华虹半导体有限公司招股说明书

形成长期资产，或明确规定资金用途为补贴公司已经发生的或将要发生的费用的政府补助，公司会采用净额法进行会计处理，除此之外的政府补助公司会按照总额法进行会计处理。报告期内，公司采用净额法冲减相关资产账面价值和相关成本费用金额如下：

单位：万元

冲减相关资产、成本金额项目或费用损失的项目2022年度2021年度2020年度

在建工程-38030.6952019.26与资产相

关的政府固定资产26652.7712904.872298.00补助

无形资产103.77--

研发费用20436.3441689.7418384.16与收益相

关的政府管理费用1322.71-1417.07补助

财务费用7848.83--

其余政府补助，详见本章节“九、经营成果分析”之“（五）利润表其他项目”之“3、其他收益”以及“十一、偿债能力与流动性分析”之“（一）公司负债分析”之“1、流动负债情况”之“（8）其他流动负债”。

公司针对政府补助的会计处理符合《企业会计准则第16号——政府补助》的规定。

（八）纳税情况

报告期内，公司主要税种纳税情况如下：

单位：万元

2020年1月1日至2022年12月31日止已缴税

截至2020年1额截至2022年12税种月1日未缴数月31日未缴数

2020年2021年2022年合计

企业

所得19594.4116569.5813123.6033999.2163692.3953052.11税增值

5835.2012696.9723301.1834739.1670737.312611.42

税公司主要税种的税率及税收优惠情况，详见本招股说明书“第六节财务会计信息与管理层分析”之“七、主要税种税率、享受的主要税收优惠政策”。

1-1-182华虹半导体有限公司招股说明书

（九）累计未弥补亏损

1、累计未弥补亏损基本情况

报告期各期末，公司合并报表的未弥补亏损分别为415379.58万元、

271800.53万元和3956.61万元。报告期内公司未弥补亏损金额持续下降，主要

系公司净利润弥补亏损所致。

2、累计未弥补亏损的产生的原因

公司存在的累计未弥补亏损主要来自于公司起步期的亏损。晶圆代工行业普遍具有前期投入大且由于产能爬坡和工艺稳定需要一定的时间，销售收入的提升通常滞后于设备投入；加上公司在建厂初期行业环境和研发投入较大的影响，导致公司在起步期积累了较大金额的累计未弥补亏损。

3、累计未弥补亏损的影响分析

上述累计未弥补亏损主要来源于公司起步期的亏损，符合公司所处晶圆代工行业的特点。近年来，随着半导体行业发展以及公司特色工艺晶圆代工技术的提升，公司盈利能力显著提升，公司最近十年保持持续盈利；报告期内，公司分别实现归属母公司净利润50545.75万元、165999.74万元和300861.26万元，经营活动产生的现金流量净额分别为243612.02万元、390548.51万元和552429.34万元，持续保持在较高水平。经营性现金流量的持续流入，为公司业务拓展、人才吸引、团队稳定性、研发投入、战略性投入及可持续的经营带来了有力的保障。

公司存在累计未弥补亏损的相关风险，具体详见本招股说明书之“第三节风险因素”之“一、与发行人相关的风险”“（四）财务风险”之“（九）公司存在与累计未弥补亏损相关的风险”。

4、累计未弥补亏损的趋势分析

近年来随着行业景气度的上升以及公司经营效率的提升，公司持续实现大幅盈利；随着公司产能提升、销量增加以及特色工艺技术平台完善，公司将继续保持持续盈利能力。公司本次发行上市后，将进一步提高公司的资本实力、市场影响力，有利于公司加快发展，进一步提升公司盈利能力。预计未来累计未弥补亏损将进一步减少。

1-1-183华虹半导体有限公司招股说明书

5、投资者保护措施及承诺

（1）应当披露依法落实保护投资者合法权益规定的各项措施关于依法落实保护投资者合法权益规定的各项措施具体详见本招股说明书

“第九节投资者保护”的相关内容。

（2）本次发行前累计未弥补亏损是否由新老股东共同承担以及已履行的决策程序关于本次发行前累计未弥补亏损是否由新老股东共同承担以及已履行的决

策程序详见本招股说明书“第九节投资者保护”之“一、本次发行前滚存利润分配安排”的相关内容。

十、资产质量分析

（一）公司资产结构分析

1、资产的构成及变化

报告期各期末，公司资产规模及构成情况如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比

流动资产2142118.9644.74%1522757.0039.72%915089.0332.02%

非流动资产2645542.4755.26%2311033.9760.28%1942551.1267.98%

资产总计4787661.43100.00%3833790.97100.00%2857640.15100.00%

报告期各期末，公司资产规模呈现增长趋势，主要系公司扩大经营规模及公司盈利能力增强所致。报告期各期末，公司资产结构较为稳定，非流动资产占比较高。

2、流动资产分析

报告期各期末，公司流动资产主要由货币资金、存货、应收账款等构成，具体情况如下：

1-1-184华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比

货币资金1406736.3565.67%1036274.8468.05%605600.8866.18%

应收票据44598.672.08%18122.241.19%16155.141.77%

应收账款160059.377.47%97663.536.41%63895.096.98%

预付款项2008.980.09%7156.710.47%67106.057.33%其他应收

17160.370.80%10167.450.67%4828.650.53%

款

存货496424.8723.17%347403.7122.81%148317.9516.21%其他流动

15130.350.71%5968.530.39%9185.281.00%

资产

合计2142118.96100.00%1522757.00100.00%915089.03100.00%

（1）货币资金

报告期各期末，公司的货币资金构成情况如下：

单位：万元项目2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

现金12.6717.5218.12

银行存款1399011.641026559.38602090.62

应计利息6986.418264.413258.11

其他货币资金725.631433.53234.03

合计1406736.351036274.84605600.88

报告期各期末，公司货币资金主要由银行存款、应计利息及其他货币资金等构成。其中应计利息为活期存款及结构性存款的利息。其他货币资金主要为商务卡保证金、保函保证金、借款保证金和证券账户余额等。

报告期内，公司货币资金呈稳定增长趋势，主要原因系公司因经营规模扩大增加借款融资以及销售回款所致。

（2）应收票据

报告期各期末，公司应收票据及坏账准备计提情况如下：

单位：万元

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

银行承兑汇票42793.2217798.9713823.49

1-1-185华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

商业承兑汇票1806.70323.562333.37

小计44599.9218122.5316156.86

减：应收票据坏账准备1.260.291.73

合计44598.6718122.2416155.14

报告期各期末，公司应收票据账面价值分别为16155.14万元、18122.24万元、44598.67万元，占流动资产总额的比例分别为1.77%、1.19%、2.08%。

公司接受个别客户使用银行承兑汇票、商业承兑汇票进行结算，报告期内不存在票据违约的情况，公司已按会计准则要求对应收商业承兑汇票及时足额计提坏账准备。

（3）应收账款

*应收账款规模与变动情况分析

报告期各期末，应收账款账面价值分别为63895.09万元、97663.53万元和

160059.37万元，占各期末流动资产的比例分别为6.98%、6.41%和7.47%，公司

应收账款规模随着公司业务规模的扩大而有所增加。公司应收账款构成情况及应收账款账面余额占营业收入比例的变动情况如下所示：

单位：万元

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

应收账款账面余额161166.5298739.5565150.52

坏账准备1107.151076.031255.43

应收账款账面价值160059.3797663.5363895.09

营业收入1678571.801062967.75673702.63应收账款账面余额占

9.60%9.29%9.67%

营业收入比例

报告期各期末，公司应收账款余额占营业收入比例分别为9.67%、9.29%和

9.60%，呈现逐年下降趋势。整体而言，公司应收账款与营业收入增长情况相匹配。

*应收账款账龄和坏账准备的计提情况

报告期各期末，公司应收账款账龄及坏账准备计提情况如下：

1-1-186华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

1年以内160203.6497841.6063630.83

1-2年--477.56

3年以上962.89897.951042.13

小计161166.5298739.5565150.52

减：应收账款坏账准备1107.151076.031255.43

合计160059.3797663.5363895.09

公司应收账款质量较高，账龄主要集中在1年以内，应收账款对应的主要客户信用良好。报告期内，公司制定了稳健的坏账准备计提政策，并已按会计准则要求及时足额计提坏账准备。对于不含重大融资成分的应收款项，公司运用简化计量方法，按照相当于整个存续期内的预期信用损失金额计量损失准备。

*公司应收账款前五名情况

报告期各期末，公司应收账款前五名客户的余额汇总如下：

单位：万元

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

余额前五名的应收账款

59304.2142131.3426388.20

总额

占应收账款的比例36.80%42.67%40.50%

报告期各期末，公司应收账款前五名客户应收账款余额占比分别为40.50%、

42.67%和36.80%，应收账款较为集中。

*公司应收账款信用政策

公司基于对客户的财务状况、从第三方获取担保的可能性、信用记录及其它因素诸如目前市场状况等评估客户的信用资质并设置相应信用期。公司会定期对客户信用记录进行监控，对于信用记录不良的客户，会采用书面催款、缩短信用期或取消信用期等方式，以确保公司的整体信用风险在可控的范围内。

报告期内发行人对主要客户的信用政策未发生重大变化。

（4）预付款项

1-1-187华虹半导体有限公司招股说明书

公司预付款项主要为预付采购款、预付土地使用权购置款及预付海关的款项等。报告期各期末，公司预付账款分别为67106.05万元、7156.71万元和2008.98万元，其中2020年末金额较大主要系预付无锡市国土资源交易中心的购置土地使用权款项所致。

（5）其他应收款

公司其他应收款主要为应收押金以及保证金、代收代付款项、应收保险赔款、

应收股权激励行权成本等。报告期各期末，公司其他应收款账面金额分别为

4828.65万元、10167.45万元和17160.37万元，整体金额较小，具体情况如下

所示：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

款项性质金额占比金额占比金额占比代收代付款

7657.8644.63%4052.0839.85%1717.6635.57%

项应收保险赔

8002.1346.63%----

款应收押金以

750.774.38%4710.6946.33%635.8413.17%

及保证金应收股权激

270.571.58%444.064.37%1840.4438.12%

励行权成本

其他479.042.79%960.619.45%634.7113.14%

账面净额17160.37100.00%10167.45100.00%4828.65100.00%

报告期各期末，公司其他应收款账龄构成及坏账计提情况如下：

单位：万元账龄2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

1年以内（含1年）16503.979569.954359.10

1-2年（含2年）70.33167.46181.68

2-3年（含3年）161.27165.939.97

3年以上1050.65873.24891.37

账面余额17786.2210776.585442.12

减：坏账准备625.86609.13613.47

其他应收款净额17160.3710167.454828.65

（6）存货

*存货构成分析

1-1-188华虹半导体有限公司招股说明书

报告期各期末，公司存货具体构成情况如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目账面价值占比账面价值占比账面价值占比

原材料161206.7532.47%108768.8931.31%69928.4447.15%

在产品122272.5124.63%87962.8825.32%41214.3727.79%

产成品84563.2417.03%45098.0312.98%25453.7917.16%委托加

31651.296.38%34185.389.84%11176.757.54%

工物资在途物

2901.860.58%1437.850.41%544.590.37%

资房地产

开发成93829.2318.90%69950.6720.14%--本

合计496424.87100.00%347403.71100.00%148317.95100.00%

报告期各期末，公司存货净值分别为148317.95万元、347403.71万元和

496424.87万元。随着公司生产经营规模的扩大，存货规模呈现逐期上涨趋势。

公司存货主要由原材料、在产品、产成品、委托加工物资等构成，前述四项存货在报告期末各期末合计占比分别为99.64%、79.45%和80.52%。公司子公司无锡置业以房地产业务为主，其将土地使用权、建筑开发成本等列入“房地产开发成本”科目核算，剔除开发成本后，报告期各期末存货的构成及变动如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目账面价值占比账面价值占比账面价值占比

原材料161206.7540.04%108768.8939.20%69928.4447.15%

在产品122272.5130.37%87962.8831.70%41214.3727.79%

产成品84563.2421.00%45098.0316.25%25453.7917.16%委托加工物

31651.297.86%34185.3812.32%11176.757.54%

资

在途物资2901.860.72%1437.850.52%544.590.37%

合计402595.64100.00%277453.04100.00%148317.95100.00%

2020年至2022年，公司原材料、在产品、产成品、委托加工物资规模均呈

增长趋势，与其经营规模增长相匹配。

*存货跌价准备分析

1-1-189华虹半导体有限公司招股说明书

报告期各期末，公司存货余额（剔除开发成本）以及计提的存货跌价准备情况如下：

单位：万元

2022年12月31日

项目账面余额存货跌价准备账面价值跌价计提比例

原材料175052.0813845.33161206.757.91%

在产品125021.192748.68122272.512.20%

产成品87292.372729.1484563.243.13%

委托加工物资31829.29178.0031651.290.56%

在途物资2901.86-2901.86-

合计422096.7919501.15402595.644.62%

2021年12月31日

项目账面余额存货跌价准备账面价值跌价计提比例

原材料118294.899526.00108768.898.05%

在产品89103.271140.3887962.881.28%

产成品46197.771099.7345098.032.38%

委托加工物资34211.9726.5834185.380.08%

在途物资1437.85-1437.85-

合计289245.7411792.70277453.044.08%

2020年12月31日

项目账面余额存货跌价准备账面价值跌价计提比例

原材料78450.908522.4669928.4410.86%

在产品43152.201937.8341214.374.49%

产成品26837.251383.4625453.795.16%

委托加工物资11246.5769.8211176.750.62%

在途物资544.59-544.59-

合计160231.5211913.57148317.957.44%

报告期内公司存货跌价准备计提的方法如下：

对于原材料：公司根据生产计划或技术进步情况确认的未来使用的物料清单

判断原材料是否陈旧或过时，同时考虑原材料用途、库龄、损毁、退货等因素的影响，按成本与可变现净值孰低计提存货跌价准备。公司以存货的预计销售价格

1-1-190华虹半导体有限公司招股说明书

减去估计的销售费用、相关税费、为达到预定可销售状态后续可能发生的加工成

本后的金额作为可变现净值的计算基础，并计提跌价准备。

对于在成品：考虑到其后续仍要继续加工产成品，以产成品的预计销售价格减去估计的销售费用、相关税费、为达到预定可销售状态后续可能发生的加工成本后的金额作为可变现净值的计算基础；公司根据在产品可变现净值与账面价值的差额计提存货跌价准备。

对于产成品以及委托加工物资：公司以销售订单的价格减去估计的销售费用和相关税费后的金额作为可变现净值的计算基础；公司根据产成品可变现净值与账面价值的差额计提存货跌价准备。

报告期各期末，公司计提的存货跌价准备金额分别为11913.57万元、

11792.70万元和19501.15万元，占当期存货余额（剔除开发成本）的比例分别

为7.44%、4.08%和4.62%。公司2021年末及2022年末存货跌价计提比例降低，主要系公司产品售价提高导致可变现净值较高，存货跌价准备计提相应减少所致。

（7）其他流动资产

公司其他流动资产主要为待抵扣进项税额。报告期各期末，公司其他流动资产账面价值分别为9185.28万元、5968.53万元和15130.35万元，具体情况如下表所示，2022年较2021年末上升幅度较大主要系待抵扣进项税额增加所致。

单位：万元项目2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

预缴税金4815.97343.93456.85

待抵扣进项税额9590.855624.608728.43

上市中介费723.53--

合计15130.355968.539185.28

3、非流动资产分析

公司非流动资产主要由固定资产、其他权益工具投资、在建工程、无形资产、

长期股权投资等构成，报告期各期末，具体情况如下：

1-1-191华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比

长期股权投资45374.511.72%34583.221.50%26187.241.35%其他权益工具

124409.734.70%164358.167.11%150245.867.73%

投资

投资性房地产23299.440.88%25264.321.09%27229.201.40%

固定资产1866371.1970.55%1836491.8079.47%1074144.8255.30%

在建工程479067.7018.11%150685.796.52%560863.7428.87%

使用权资产11256.530.43%9652.780.42%12310.720.63%

无形资产66336.532.51%63724.692.76%63982.813.29%

长期待摊费用40.370.00%20.720.00%26.240.00%递延所得税资

23994.440.91%16114.740.70%17696.240.91%

产其他非流动资

5392.030.20%10137.740.44%9864.240.51%

产

合计2645542.47100.00%2311033.97100.00%1942551.12100.00%

（1）长期股权投资

公司长期股权投资主要为对联营企业的投资，报告期各期末，账面价值分别为26187.24万元、34583.22万元和45374.51万元。具体如下表所示：

单位：万元项目2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

联营企业：

华虹科技32391.1829723.4426187.24

华虹投资12983.324859.79-

合计45374.5134583.2226187.24

（2）其他权益工具投资

公司其他权益工具投资主要为对华力微、上海艾为电子技术股份有限公司、

上海矽睿科技股份有限公司的投资，系以公允价值计量且其变动计入其他综合收益的金融资产。报告期各期末，账面价值分别为150245.86万元、164358.16万元和124409.73万元，上述变动主要系减持上海艾为电子技术股份有限公司股票以及根据上述投资公允价值变动所致；其中，华力微报告期内账面价值分别为148609.50万元、153808.80万元和121302.70万元，其估值采用市场法估值，

1-1-192华虹半导体有限公司招股说明书

华力微账面价值波动主要系同行业可比公司二级市场估值波动以及华力微净资产金额变动所致。

报告期各期末，公司参考外部估值机构艾华迪商务咨询（上海）有限公司出具的基准日为2020年至2021年末的估值报告以及万隆（上海）资产评估有限公

司出具的基准日为2022年末的估值报告作为公允价值依据。同时，公司已聘请万隆（上海）资产评估有限公司出具《关于<关于华虹半导体金融资产估值项目>估值报告价值分析复核报告》对前述艾华迪商务咨询（上海）有限公司出具的估

值报告进行复核。其他权益工具投资具体如下表所示：

单位：万元项目2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

华力微121302.70153808.80148609.50上海艾为电子技术股份

1700.439123.84-

有限公司上海矽睿科技股份有限

1406.601425.521636.36

公司

合计124409.73164358.16150245.86

截至报告期末，公司其他权益工具投资的投资占比及投资目的如下所示：

项目投资占比投资目的

华力微6.3428%战略投资性质

上海艾为电子技术股份有限公司0.1072%战略投资性质

上海矽睿科技股份有限公司0.6220%战略投资性质

（3）投资性房地产

公司投资性房地产主要用于经营租赁，报告期各期末，公司投资性房地产账面价值分别为27229.20万元、25264.32万元和23299.44万元。公司投资性房地产采用成本模式进行后续计量，报告期内公司投资性房地产基本保持稳定。

单位：万元

2022年12月31日

项目原值累计折旧减值准备账面价值

房屋及建筑物51239.5528440.86-22798.69

土地使用权842.98342.23-500.75

合计52082.5328783.09-23299.44项目2021年12月31日

1-1-193华虹半导体有限公司招股说明书

原值累计折旧减值准备账面价值

房屋及建筑物51239.5526493.75-24745.79

土地使用权842.98324.45518.53

合计52082.5326818.20-25264.32

2020年12月31日

项目原值累计折旧减值准备账面价值

房屋及建筑物51239.5524546.65-26692.90

土地使用权842.98306.67536.31

合计52082.5324853.32-27229.20

（4）固定资产

报告期各期末，公司固定资产主要构成具体如下表所示：

单位：万元

2022年12月31日

项目原值累计折旧减值准备账面价值

房屋及建筑物292038.78140341.247892.71143804.82

厂务设施684169.71383585.0555924.63244660.02

机器设备3940491.652274696.92199908.661465886.06

运输工具1049.19751.58-297.61

办公设备43044.8730566.97755.2311722.67

合计4960794.192829941.77264481.241866371.19

2021年12月31日

项目原值累计折旧减值准备账面价值

房屋及建筑物290994.68129829.467892.71153272.50

厂务设施632210.54350740.9755909.57225560.01

机器设备3673412.432029066.48199755.251444590.70

运输工具1150.93793.23-357.71

办公设备48620.9734780.011130.0812710.88

合计4646389.552545210.14264687.611836491.80

2020年12月31日

项目原值累计折旧减值准备账面价值

房屋及建筑物290679.53119309.677892.71163477.15

厂务设施620853.88324792.1455926.47240135.28

机器设备2729059.141874905.60196698.92657454.62

1-1-194华虹半导体有限公司招股说明书

运输工具1268.111029.25-238.86

办公设备47491.4033610.131042.3612838.91

合计3689352.062353646.79261560.451074144.82

公司固定资产包括房屋及建筑物、厂务设施、机器设备、运输工具和办公设备组成，其中机器设备主要包括光刻机、离子注入机等生产制造设备。报告期各期末，机器设备账面价值分别为657454.62万元、1444590.70万元和1465886.06万元，2020年至2021年增幅较快，主要系公司为扩充产能新增机器设备所致。

与同行业可比公司的固定资产折旧年限对比如下：

单位：年台积格罗联华中芯世界高塔半华润晶合德州发行项目电方德电子国际先进导体微集成仪器人房屋最高

及建10-207-56252010-252520-305-4025

26年

筑物厂务未披未披未披未披未披未披

10未披露1010

设施露露露露露露机器

52-106-75-1053-1585-102-105-7

设备运输未披未披未披未披未披

6-7未披露545

工具露露露露露办公未披未披未披

553-5未披露53-55

设备露露露

注1：因格罗方德仅披露电脑产品的折旧年限，其办公设备为电脑的折旧年限。

注2：世界先进厂务设施主要指机电动力设备及工程、无尘洁净室系统的折旧年限。

注3：华润微厂房设施主要指动力及基础设施的折旧年限。

注4：晶合集成办公设备主要指电子设备及其他的折旧年限

由上可见，公司固定资产折旧年限与同行业可比公司不存在显著差异。

（5）在建工程

报告期各期末，公司在建工程具体如下表所示：

单位：万元

2022年12月31日

项目原值减值准备账面价值

产能优化升级-上海华虹宏力2021年项目6966.51-6966.51

产能优化升级-上海华虹宏力2022年项目5576.28-5576.28

华虹无锡一期扩产项目25912.24-25912.24

华虹无锡一期增资扩产2.95万片/月项目422753.18-422753.18

上海华虹宏力维持改善项目14585.9010768.053817.85

1-1-195华虹半导体有限公司招股说明书

其他14041.63-14041.63

合计489835.7510768.05479067.70

2021年12月31日

项目原值减值准备账面价值

产能优化升级-上海华虹宏力2019年项目911.53-911.53

产能优化升级-上海华虹宏力2020年项目0.56-0.56

产能优化升级-上海华虹宏力2021年项目2091.61-2091.61

华虹无锡一期项目11178.87-11178.87

华虹无锡一期扩产项目129273.87-129273.87

上海华虹宏力维持改善项目17783.7510768.057015.70

其他213.65213.65

合计161453.8410768.05150685.79

2020年12月31日

项目原值减值准备账面价值

产能优化升级-上海华虹宏力2018年项目54.82-54.82

产能优化升级-上海华虹宏力2019年项目22621.33-22621.33

产能优化升级-上海华虹宏力2020年项目3932.39-3932.39

华虹无锡一期项目516616.65-516616.65

上海华虹宏力维持改善项目29079.0211440.4617638.56

合计572304.2111440.46560863.74

公司在建工程主要为上海华虹宏力和华虹无锡的产能优化及扩建扩产项目，报告期各期末，公司在建工程账面价值分别为560863.74万元、150685.79万元和479067.70万元。2021年末在建工程减少较多，主要系华虹无锡一期项目转固所致；2022年末在建工程有所增加，主要系华虹无锡一期增资扩产2.95万片/月项目增加所致。报告期内，在建工程不存在减值迹象，未计提减值准备。

主要在建工程的变动情况如下所示：

单位：万元

2022年12月31日

项目本年转入固定资其他增预算数期初余额本期增加期末余额

产加/减少产能优化升级

-上海华虹宏91491.00911.53103.87-1015.40--力2019年项目产能优化升级

-上海华虹宏14863.000.5692.21-92.77--力2020年项目

1-1-196华虹半导体有限公司招股说明书

产能优化升级

-上海华虹宏54809.332091.6129477.28-24602.38-6966.51力2021年项目产能优化升级

-上海华虹宏39759.50-8837.02-3260.74-5576.28力2022年项目华虹无锡一期

1631197.6011178.871601.73-12325.12-455.48-

项目华虹无锡一期

520026.00129273.8736997.19-140814.29455.4825912.24

扩产项目华虹无锡一期

增资扩产2.95758664.00-557570.03-134816.85-422753.18

万片/月项目

合计-143456.44634679.33-316927.56-461208.22

2021年12月31日

项目本年转入固定资其他减预算数期初余额本年增加期末余额产少产能优化升级

-上海华虹宏28300.0054.82382.90-437.72--力2018年项目产能优化升级

-上海华虹宏91491.0022621.3310406.23-32116.04-911.53力2019年项目产能优化升级

-上海华虹宏14863.003932.39140.57-4072.40-0.56力2020年项目产能优化升级

-上海华虹宏54809.33-12245.44-10153.83-2091.61力2021年项目华虹无锡一期

1631197.60516616.65117086.74-622524.52-11178.87

项目华虹无锡一期

520026.00-388664.49-259390.62-129273.87

扩产项目

合计-543225.19528926.38-928695.13-143456.44

2020年12月31日

项目本年转入固定资其他减预算数期初余额本年增加期末余额产少产能优化升级

-上海华虹宏28300.00369.891826.53-2141.60-54.82力2018年项目产能优化升级

-上海华虹宏91491.0020866.4446935.99-45181.10-22621.33力2019年项目产能优化升级

-上海华虹宏14863.00-11375.96-7443.57-3932.39力2020年项目华虹无锡一期

1631197.60245961.93592083.67-321428.94-516616.65

项目

合计-267198.26652222.14-376195.21-543225.19

（6）使用权资产

1-1-197华虹半导体有限公司招股说明书

公司自2019年1月1日起，对除应用简化处理的短期租赁和低价值资产租赁外，确认相关使用权资产和租赁负债。报告期各期末，公司使用权资产具体情况如下：

单位：万元

2022年12月31日

项目成本累计折旧账面价值

房屋及建筑物24844.6013588.0711256.53

合计24844.6013588.0711256.53

2021年12月31日

项目成本累计折旧账面价值

房屋及建筑物20598.6310945.859652.78

合计20598.6310945.859652.78

2020年12月31日

项目成本累计折旧账面价值

房屋及建筑物20598.638287.9112310.72

合计20598.638287.9112310.72

（7）无形资产

公司无形资产主要为土地使用权、生产管理软件和非专利技术。报告期各期末，公司无形资产账面价值分别为63982.81万元、63724.69万元和66336.53万元，报告期内公司无形资产基本保持稳定。报告期内，公司无形资产不存在减值迹象，未计提减值准备。无形资产主要构成情况如下：

单位：万元

2022年12月31日

项目原值累计摊销减值准备账面价值

土地使用权53538.2710219.29-43318.98

生产管理软件102374.0084178.123179.4715016.40

非专利技术188555.13171848.258705.728001.15

合计344467.39266245.6611885.2066336.53

2021年12月31日

项目原值累计摊销减值准备账面价值

土地使用权50144.088977.69-41166.39

生产管理软件95019.7879645.483179.4712194.83

1-1-198华虹半导体有限公司招股说明书

非专利技术187918.89168849.698705.7210363.47

合计333082.75257472.8611885.2063724.69

2020年12月31日

项目原值累计摊销减值准备账面价值

土地使用权47236.397900.53-39335.86

生产管理软件90081.8275577.153176.8511327.82

非专利技术187918.89165894.048705.7213319.12

合计325237.10249371.7211882.5763982.81

（8）其他非流动资产

公司其他非流动资产主要系预付设备采购款和预付工程款等，报告期各期末，公司其他非流动资产分别为9864.24万元、10137.74万元和5392.03万元，整体占比较小。

（二）资产周转能力分析

报告期内，公司的资产周转能力指标如下：

单位：次项目2022年度2021年度2020年度

应收账款周转率13.0313.168.85

存货周转率2.553.084.42

1、应收账款周转率分析

单位：次名称2022年度2021年度2020年度

台积电10.549.229.37

格罗方德6.125.943.30

联华电子-6.826.66

中芯国际10.769.768.88

世界先进7.175.796.19

高塔半导体11.379.918.76

华润微-9.627.83

晶合集成-8.948.11

德州仪器11.1411.7811.62

均值9.528.647.86

1-1-199华虹半导体有限公司招股说明书

名称2022年度2021年度2020年度

均值（剔除台积电、德州仪器、

8.867.866.98华润微）

发行人13.0313.168.85

注：应收账款周转率=营业收入/应收账款平均净额

报告期内，报告期内应收账款周转率分别为8.85次、13.16次和13.03次，报告期整体呈现上升趋势，主要系公司报告期内营业收入增长，同时应收账款整体账龄较短，回款效率较高所致，整体水平优于同行业可比公司。

2、存货周转率分析

单位：次名称2022年度2021年度2020年度

台积电4.424.655.70

格罗方德4.775.468.75

联华电子-6.196.23

中芯国际2.923.934.36

世界先进5.606.987.08

高塔半导体4.515.445.28

华润微-4.254.36

晶合集成-5.085.98

德州仪器2.683.092.62

均值4.155.015.59

均值（剔除台积电、德州仪器、

4.455.516.28华润微）

发行人2.553.084.42发行人（剔除存货中房地产开

3.173.594.42发成本）

报告期内，公司存货周转率分别为4.42次、3.08次和2.55次，呈现下降趋势，主要系公司因生产规模扩大，原材料等采购增加所致。2021年下降明显主要系存货中新增房地产开发成本金额较大所致，剔除存货中房地产开发成本后的存货周转率分别为4.42次、3.59次和3.17次。

十一、偿债能力与流动性分析

（一）公司负债分析

报告期各期末，公司负债规模及构成情况如下：

1-1-200华虹半导体有限公司招股说明书

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比

流动负债962795.7047.34%690241.1842.96%431951.2054.77%非流动负

1070802.2852.66%916283.8257.04%356728.2745.23%

债

负债总计2033597.98100.00%1606525.00100.00%788679.47100.00%

报告期各期末，公司负债总额分别为788679.47万元、1606525.00万元和2033597.98万元，报告期内逐年增长，主要原因系：*随着公司经营规模扩大，

应付账款、合同负债、应付职工薪酬、应交税费、其他应付款等相应增长；*公司2020年增加了银行贷款以满足项目建设需求。

1、流动负债情况

报告期各期末，公司的流动负债结构如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比

短期借款218715.2022.72%115877.7116.79%28231.906.54%

应付账款173445.3718.01%132215.6019.15%90311.5520.91%

预收款项2121.000.22%2299.350.33%2488.350.58%

合同负债134730.0313.99%105072.7015.22%50311.9211.65%

应付职工薪酬57518.225.97%45002.386.52%27148.796.29%

应交税费58238.836.05%44291.926.42%23195.315.37%

其他应付款194180.5720.17%179948.4526.07%162712.4337.67%一年内到期的

81779.288.49%10350.011.50%5807.631.34%

非流动负债

其他流动负债42067.204.37%55183.067.99%41743.329.66%

合计962795.70100.00%690241.18100.00%431951.20100.00%

公司流动负债主要由短期借款、应付账款、合同负债、应付职工薪酬、应交

税费、其他应付款及其他流动负债等组成。

（1）短期借款

报告期各期末，公司短期借款分别为28231.90万元、115877.71万元和

218715.20万元，占各期末流动负债的比例分别为6.54%、16.79%和22.72%，全

1-1-201华虹半导体有限公司招股说明书

部为银行的信用借款。2020年以来随着经营规模扩大，流动资金需求增加，公司新增了银行借款。

（2）应付账款

公司应付账款主要为应付货款。报告期各期末，公司应付账款账面金额分别为90311.55万元、132215.60万元和173445.37万元。公司应付账款逐年增长主要系随着公司经营规模扩大，原材料采购金额增长，从而导致报告期各期末对供应商应付账款规模增长。

（3）合同负债

公司合同负债主要系预收货款。报告期各期末，公司合同负债分别为

50311.92万元、105072.70万元和134730.03万元，呈现逐年增长趋势，主要系

公司经营规模扩大，预收货款增多所致。

（4）应付职工薪酬

报告期各期末，公司应付职工薪酬余额分别为27148.79万元、45002.38万元和57518.22万元，占各期末流动负债的比例分别为6.29%、6.52%和5.97%。

公司应付职工薪酬主要为应付职工的工资、奖金、津贴和福利费等。

报告期各期末，公司应付职工薪酬有所上升，主要原因系公司业务规模和业绩的增长，员工人数与薪酬水平的提升。

（5）应交税费

报告期各期末，公司应交税费明细情况如下：

单位：万元

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

企业所得税53052.1134775.1115771.60

增值税2611.426769.156011.79

代扣代缴个人所得税1580.801247.87962.72

其他994.50201499.79449.20

合计58238.8344291.9223195.31

报告期各期末，公司应交税费余额分别为23195.31万元、44291.92万元和

58238.83万元，占各期末流动负债的比例分别为5.37%、6.42%和6.05%，2022

1-1-202华虹半导体有限公司招股说明书

年末余额较2021年末增加13946.91万元，主要系公司盈利能力提升，企业所得税增加所致。

（6）其他应付款

公司其他应付款主要包括应付资产采购款、应付技术使用费、应付水电费、

应付维修费及其他。报告期各期末，公司其他应付款情况如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比应付资产采购

160080.8282.44%154619.5785.92%143659.4788.29%

款

应付维修费9408.934.85%7996.574.44%5719.093.51%应付技术使用

9163.534.72%5707.803.17%3259.862.00%

费

应付水电费3611.311.86%2909.641.62%2531.911.56%

其他11915.996.14%8714.874.84%7542.104.64%

合计194180.57100.00%179948.45100.00%162712.43100.00%

报告期各期末，其他应付款呈逐步上升趋势，主要系公司扩大产能增加资产设备采购，应付资产采购款增加所致。其他应付款中，应付资产采购款占比较高，报告期各期末，应付资产采购款分别为143659.47万元、154619.57万元和

160080.82万元，占其他应付款的88.29%、85.92%和82.44%。

（7）一年内到期的非流动负债

报告期各期末，公司一年内到期的非流动负债具体构成如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比一年内到期的

78503.3195.99%9281.5089.68%3044.5852.42%

长期借款一年内到期的

3275.974.01%1068.5110.32%2763.0547.58%

租赁负债

合计81779.28100.00%10350.01100.00%5807.63100.00%

报告期各期末，公司一年内到期的非流动负债余额分别为5807.63万元、

10350.01万元和81779.28万元，占流动负债总额比例分别为1.34%、1.50%和

8.49%。

1-1-203华虹半导体有限公司招股说明书

（8）其他流动负债

报告期各期末，公司其他流动负债具体构成如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比与政府补助

26266.4062.44%42613.3877.22%35770.7885.69%

相关的收款待转销项税

15800.8037.56%12569.6822.78%5972.5414.31%

额

合计42067.20100.00%55183.06100.00%41743.32100.00%

报告期各期末，公司其他流动负债主要为与政府补助相关的收款，报告期内其变动情况如下：

单位：万元

2022年

项目

期初余额本期新增抵销资产本期计入损益期末余额与资产/收益相关

技术研发项目18565.0010689.1215101.42-14152.70资产相关

技术研发项目24048.3890.75-12338.4511800.68收益相关

产业升级项目-11968.1311655.11-313.02资产相关

产业升级项目-31179.43-31179.43-收益相关

合计42613.3853927.4326756.5343517.8826266.40

2021年

项目

期初余额本期新增抵销资产本期计入损益期末余额与资产/收益相关

技术研发项目9500.0021969.8712904.87-18565.00资产相关

技术研发项目10948.2830424.37-17324.2724048.38收益相关

产业升级项目-38030.6938030.69--资产相关

产业升级项目15322.509262.88-24585.37-收益相关

合计35770.7899687.8150935.5641909.6442613.38

2020年

项目

期初余额本期新增抵销资产本期计入损益期末余额与资产/收益相关

技术研发项目9500.006167.426167.42-9500.00资产相关

技术研发项目12799.2110940.56-12791.4910948.28收益相关

1-1-204华虹半导体有限公司招股说明书

产业升级项目-48149.8448149.84--资产相关

产业升级项目5490.5519703.69-9871.7415322.50收益相关

合计27789.7584961.5154317.2622663.2335770.78

2、非流动负债情况

报告期各期末，公司非流动负债构成如下：

单位：万元

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

项目金额占比金额占比金额占比

长期借款1031861.2796.36%889587.9497.09%338245.0094.82%

租赁负债10199.240.95%10288.171.12%11356.683.18%

递延所得税负债28741.772.68%16407.721.79%7126.592.00%

非流动负债总额1070802.28100.00%916283.82100.00%356728.27100.00%

报告期各期末，公司的非流动负债金额分别为356728.27万元、916283.82万元和1070802.28万元，包括长期借款、租赁负债、递延所得税负债。

（1）长期借款

公司长期借款均为抵押借款。报告期各期末，公司长期借款余额分别为

338245.00万元、889587.94万元和1031861.27万元，占非流动负债总额比例

分别为94.82%、97.09%和96.36%。长期借款的增加主要系公司生产经营规模扩大所致，截至2022年12月31日，公司的长期借款具体情况如下：

单位：万元银行名称借款日期到期日期余额

国家开发银行2015/12/302025/12/296000.00

国家开发银行2020/12/282030/12/27198817.22

国家开发银行2021/9/182030/12/27139292.00

国家开发银行2021/9/302029/9/2924550.22

国家开发银行2021/10/292029/9/2924550.22

国家开发银行2021/12/292030/12/27139292.00

国家开发银行2022/12/302032/12/2920893.80

上海银行2021/9/182030/12/2721639.01

1-1-205华虹半导体有限公司招股说明书

银行名称借款日期到期日期余额

招商银行2021/9/222030/12/2716283.23

招商银行2022/1/282027/1/202853.00

招商银行2022/2/252027/1/20300.00

招商银行2022/4/222027/1/20519.79

招商银行2022/5/252027/1/201483.10

招商银行2022/6/282027/1/202172.79

招商银行2022/7/282027/1/20500.00

招商银行2022/7/282027/1/202821.72

招商银行2022/8/312027/1/202068.07

招商银行2022/9/282027/1/201246.05

招商银行2022/11/12027/1/202130.76

招商银行2022/11/292027/1/204009.81

中国建设银行行2020/12/282030/12/2712814.86

中国建设银行行2021/3/172030/12/2754323.88

中国建设银行行2021/7/262030/12/278357.52

中国建设银行行2021/9/182030/12/2720893.80

中国建设银行行2021/9/182030/12/2741386.00

中国建设银行行2021/9/302029/9/298183.41

中国建设银行行2021/10/292029/9/298183.41

中国农业银行2020/12/282030/12/2739907.16

中国农业银行2021/3/172030/12/273482.30

中国农业银行2021/7/262030/12/2729947.78

中国农业银行2021/9/182030/12/2728812.55

中国农业银行2022/12/212030/12/2714834.60

中国农业银行2022/12/212030/12/2717736.00

中国银行2020/12/292030/12/2710746.38

中国银行2021/3/172030/12/2711839.82

中国银行2021/7/272030/12/2711665.71

1-1-206华虹半导体有限公司招股说明书

银行名称借款日期到期日期余额

中国银行2021/9/182030/12/2729690.09

中国银行2022/12/222030/12/2713379.00

中信银行2020/12/282030/12/279757.40

中信银行2021/7/262030/12/2719675.00

中信银行2021/9/182030/12/2716276.27

中信银行2022/12/222030/12/278545.56

合计1031861.27

（2）租赁负债

报告期各期末，公司租赁负债余额分别为11356.68万元、10288.17万元和

10199.24万元，占非流动负债总额比例分别为3.18%、1.12%和0.95%。

（3）递延所得税负债

报告期各期末，公司递延所得税负债余额分别为7126.59万元、16407.72万元和28741.77万元，占非流动负债总额比例分别为2.00%、1.79%和2.68%。

（二）偿债能力分析

截至报告期末，公司的银行借款余额为1329079.79万元，对应未来12个月内预计将偿还的本金和利息合计金额约为369293.51万元；报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额分别为243612.02万元、390548.51万元和552429.34万元，公司经营活动产生的现金流量净额持续为正，具有良好的偿债能力。

报告期内各期末，公司主要偿债能力指标如下：

2022年2021年2020年

项目

12月31日12月31日12月31日

流动比率（倍）2.222.212.12

速动比率（倍）1.711.701.78

资产负债率（合并）42.48%41.90%27.60%息税折旧摊销前利润（万

678635.96403931.69159948.73

元）

利息保障倍数（倍）19.0346.6979.66

注：利息保障倍数=息税折旧摊销前利润/利息支出（财务费用项下）

报告期内，公司与同行业可比上市公司主要偿债能力指标对比情况如下：

1-1-207华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

项目公司名称

12月31日12月31日12月31日

台积电40.37%41.73%32.97%

格罗方德44.17%46.54%41.23%

联华电子-41.37%39.11%

中芯国际33.89%29.56%30.77%

世界先进55.07%46.35%32.32%

高塔半导体25.87%27.60%30.53%资产负债率

华润微-21.14%28.62%（合并）

晶合集成-68.38%54.24%

德州仪器46.42%45.97%52.52%

均值40.97%40.96%38.03%

均值（剔除台积电、德州仪器、华39.75%43.30%38.03%

润微）

发行人42.48%41.90%27.60%

台积电2.172.171.77

格罗方德1.731.671.58

联华电子2.152.07

中芯国际2.423.584.20

世界先进2.192.281.94

高塔半导体3.864.334.04流动比率

华润微-3.413.60

（倍）

晶合集成-0.573.30

德州仪器4.705.334.28

均值2.852.832.98

均值（剔除台积电、德州仪器、华2.552.432.85

润微）

发行人2.222.212.12

台积电1.941.911.55

格罗方德1.331.321.09

速动比率联华电子-1.941.78

（倍）中芯国际2.143.303.98

世界先进1.912.011.67

高塔半导体3.083.483.31

1-1-208华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

项目公司名称

12月31日12月31日12月31日

华润微-3.053.18

晶合集成-0.503.05

德州仪器3.774.583.47

均值2.362.462.57

均值（剔除台积电、德州仪器、华2.122.092.48

润微）

发行人1.711.701.78

2020年、2021年及2022年公司流动比率、速动比率低于行业平均水平。报告期内，公司资产负债率有所上升，逐渐趋近于行业平均水平，主要系公司所处行业属于技术密集型和资本密集型行业，扩充产能需要大量资金，公司通过借款方式筹集资金，形成较大金额的各类借款。

（三）现金流量分析

报告期内公司现金流量情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

经营活动产生的现金流量净额552429.34390548.51243612.02

投资活动产生的现金流量净额-673607.97-613669.12-328330.52

筹资活动产生的现金流量净额463290.56654598.99366956.35汇率变动对现金及现金等价物

30335.47-7010.22-12395.87

的影响

现金及现金等价物净增加额372447.40424468.16269841.99年初现金及现金等价物余额1026576.91602108.74332266.75年末现金及现金等价物余额1399024.311026576.91602108.74

1、经营活动产生的现金流量分析

报告期内，公司经营活动产生的现金流量情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

销售商品、提供劳务收到的现金1763828.791179641.54791948.34

收到的税费返还65288.1580506.39149831.12

收到其他与经营活动有关的现金96015.32127073.98112611.34

1-1-209华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年度2021年度2020年度

经营活动现金流入小计1925132.251387221.911054390.80

购买商品、接受劳务支付的现金918221.87682170.64534784.64

支付给职工以及为职工支付的现金295577.92214649.98175724.21

支付的各项税费78332.2041327.2331401.46

支付其他与经营活动有关的现金80570.9258525.5568868.47

经营活动现金流出小计1372702.91996673.41810778.78

经营活动产生的现金流量净额552429.34390548.51243612.02

净利润272545.62146313.144680.50

经营活动产生的现金流量净额/净

202.69%266.93%5204.82%

利润

报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额分别为243612.02万元、

390548.51万元和552429.34万元，随着公司经营规模的扩大，经营活动产生的

现金流量也呈逐年增长的趋势。

报告期各期，公司将净利润调节为经营活动现金流量的过程如下：

单位：万元项目2022年2021年2020年净利润272545.62146313.144680.50

加：资产减值准备14247.627117.935844.04

固定资产折旧295522.33194529.11134688.70

使用权资产折旧2642.222657.942860.74

无形资产摊销8772.808073.915397.72

投资性房地产折旧与摊销1964.881964.881964.88

长期待摊费用摊销8.855.521.38

处置固定资产损失-1.4949.286.55公允价值变动损失（收益以“－”号--2608.52

填列）

财务费用（收益以“－”号填列）94284.675394.84-3660.28

投资收益-6033.52-3595.99-8368.50

股份支付费用798.01218.555622.36递延所得税资产减少（增加以“－”-4812.5274.03-876.58号填列）递延所得税负债增加（减少以“－”

16526.729281.13-3918.10号填列）

存货的减少（增加以“－”号填列）-166036.92-203748.47-53310.37

1-1-210华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年2021年2020年经营性应收项目的减少（增加以“－”-96829.5815942.8336481.20号填列）

经营性应付项目的增加118829.67206269.88113589.25

经营活动产生的现金流量净额552429.34390548.51243612.02

报告期内，公司经营活动产生的现金流量净额与当期净利润存在一定差异，主要原因系公司处于资本密集型行业，报告期各期固定资产折旧、无形资产摊销的金额较大。

2、投资活动产生的现金流量

报告期内，公司投资活动产生的现金流量情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

收回投资收到的现金4051.81-925833.40

取得投资收益收到的现金42.24-6349.46

处置固定资产、无形资产和其他

76.4837.4038.00

长期资产收回的现金净额

投资活动现金流入小计4170.5437.40932220.87

购建固定资产、无形资产和其他

672978.51604844.02743551.39

长期资产支付的现金

投资支付的现金4800.008862.50517000.00

投资活动现金流出小计677778.51613706.521260551.39

投资活动产生的现金流量净额-673607.97-613669.12-328330.52

报告期内，公司投资活动产生的现金流量净额分别为-328330.52万元、-613669.12万元和-673607.97万元。公司为扩充产能持续购置机器设备等长期资产，导致购建固定资产、无形资产和其它长期资产支出的现金规模相对较大。

2020年收回投资收到的现金系公司理财赎回，2021年及2022年未购买理财。

3、筹资活动产生的现金流量

报告期内，公司筹资活动产生的现金流量情况如下：

单位：万元项目2022年度2021年度2020年度

吸收投资收到的现金282944.584790.435643.00

取得借款收到的现金352360.32693413.25598858.20

1-1-211华虹半导体有限公司招股说明书

项目2022年度2021年度2020年度

筹资活动现金流入小计635304.90698203.68604501.20

偿还债务支付的现金131294.6330774.45233237.00

分配股利、利润或偿付利息支付的

34236.616979.261253.73

现金

支付其他与筹资活动有关的现金6483.105850.973054.12

筹资活动现金流出小计172014.3443604.69237544.85

筹资活动产生的现金流量净额463290.56654598.99366956.35

报告期内，公司筹资活动产生的现金流量净额分别为366956.35万元、

654598.99万元和463290.56万元。其中，筹资活动现金流入分别为604501.20

万元、698203.68万元和635304.90万元，主要为公司综合运用股权融资及债权融资所筹集的资金。

（四）股利分配的实施情况

根据2019年5月9日通过的2018年度股东大会决议，公司向全体股东每股派发现金红利港币0.31元，共计派发现金红利港币39846.28万元，折合人民币

34130.55万元。

十二、持续经营能力分析

（一）财务状况及未来趋势分析

报告期内，随着公司下游需求量逐步放大，公司盈利能力显著增强，资产负债结构良好，偿债能力优于同行业可比上市公司。

本次公开发行后，公司净资产将大幅增加，资产负债率将有所降低，偿债能力将进一步提高，流动比率短期内将大幅上升。随着募集资金的逐步投入，固定资产的规模将逐步增加，产品制造能力增强，核心竞争优势更加突出，从而使得公司处于良性的可持续成长状态，财务状况将更为良好，资本结构将更为合理。

（二）盈利能力及未来趋势分析

未来几年，公司的主营业务将持续增长，下列因素决定了公司具有持续盈利能力：

1-1-212华虹半导体有限公司招股说明书

1、行业前景确保公司发展趋势稳中向好

半导体产品是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，也是电子产品的核心和信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快等特点。近年来，随着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网等新兴产业的快速发展，全球半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织的统计，

2017年至2021年，按照销售额口径，全球半导体市场规模从4122亿美元增长

至5559亿美元，年均复合增长率为7.76%。未来，在新兴产业的驱动下，半导体市场规模有望实现持续增长趋势。

目前，中国已经是全球最大的半导体消费市场。巨大的下游市场配合积极的国家产业政策与活跃的社会资本，正在全方位、多角度地支持国内半导体行业发展。我国在新能源、显示面板、LED 等高新技术行业经过多年发展已达到领先水平，也大力拉动了上游各类芯片产品的市场需求。随着半导体产业链相关技术的不断突破，加之我国在新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网等下游市场走在世界前列，更多细分市场需求有望加速国内半导体供应链的完善与升级。

公司深耕晶圆制造特色工艺，主要工艺平台覆盖嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频、传感器等多个领域，良好的行业前景确保公司未来发展趋势稳中向好。

2、公司全方位的优势为盈利能力提供保障

技术和研发方面，公司自成立以来专注于特色工艺的技术开发，建立了完善的研发创新体系，拥有多个全球领先的特色工艺技术平台。

在人才和管理方面，公司的核心管理团队均在半导体行业任职多年，涵盖了研发、生产、质量、产品工艺控制、市场销售、行政、知识产权和法律等各领域，对产业发展趋势与技术发展方向的把握有较高的敏感性和前瞻性。团队成员拥有超过数十年的半导体制造领域技术研发、制备和量产经验并掌握关键技术，拥有深厚的行业背景及经验，出色的领导能力和管理能力。公司的核心技术人员均在半导体领域耕耘数十年，在不同的技术方向具有丰富的研发经验，并对行业未来

1-1-213华虹半导体有限公司招股说明书

的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的市场敏锐度和科研水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。

在服务和客户资源方面，经过在行业内多年的深耕发展，公司在嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺领域积累了业内领

先的工艺组合，能够为客户提供丰富的芯片产品与系统解决方案，领先的技术水平和丰富的产品组合为公司带来了优质的客户群体，覆盖汽车、通讯、工业、消费电子等多个终端领域，地域分布方面则遍及全球多个国家和地区。

综上所述，公司全方位的优势为盈利能力提供保障。

十三、资本性支出情况分析

（一）报告期内重大资本性支出情况

报告期内公司重大资本性支出主要为购建固定资产、无形资产等资本性支出。

报告期内，公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金分别为

743551.39万元、604844.02万元和672978.51万元。

（二）未来可预见的重大资本性支出计划及资金需要量

截至本招股说明书签署日，公司未来可预见的重大资本性支出及资金需要量详见本章节之“十五、重要承诺及或有事项”之“（一）承诺事项”及本招股说

明书之“第七节募集资金运用与未来发展规划”。

（三）重大资本开支计划对公司未来发展战略的影响

关于重大资本开支计划对公司未来发展战略的影响，详见本招股说明书之

“第七节募集资金运用与未来发展规划”。

十四、重大资产重组

报告期内，公司不存在重大资产重组事项。

1-1-214华虹半导体有限公司招股说明书

十五、重要承诺及或有事项

（一）承诺事项

以下为公司于资产负债表日，已签约而尚不必在资产负债表上列示的资本性支出承诺：

单位：万元项目2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日已签约但未拨备

198006.00147715.83116627.99

资本承诺

合计198006.00147715.83116627.99

（二）或有事项

截至报告期期末，公司不存在其他应披露的或有事项。

十六、资产负债表日后事项

截至本招股说明书签署日，公司不存在其他应披露的资产负债表日后事项。

十七、境内外信息披露差异

公司作为香港联交所上市公司，按照香港财务报告准则编制财务报表。公司按企业会计准则编制的财务报表和按照香港财务报告准则编制的财务报表之间

的差异项目及金额如下：

单位：万元归属于母公司股东的净利润项目

2022年2021年2020年

按中国企业会计准

300861.26165999.7450545.75

则

差异调整-采用公允价值模式对投资

4178.632529.0017389.53

性房地产进行后续计量

差异调整-其他--167.9771.01按香港财务报告准

305039.89168360.7768006.30

则归属于母公司股东的净资产项目

2022年12月31日2021年12月31日2020年12月31日

按中国企业会计准

1984479.371708137.661530223.83

则

1-1-215华虹半导体有限公司招股说明书

差异调整-采用公允价值模式对投资

126124.29121945.66119416.66

性房地产进行后续计量

差异调整-其他--167.97按香港财务报告准

2110603.651830083.321649808.46

则

企业会计准则下，公司采用成本模式对投资性房地产进行后续计量。在香港财务报告准则下，公司采用公允价值模式对投资性房地产进行后续计量。

公司境外会计师事务所为安永会计师事务所，境内外会计师事务所的审计意见类型不存在差异。

十八、盈利预测报告公司未编制盈利预测报告。

十九、财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况公司财务报告审计截止日后主要财务信息及经营状况详见本招股说明书之

“第二节概览”之“一、重大事项提示”之“（五）财务报告审计截止日后主要财务信息和经营情况”。

1-1-216华虹半导体有限公司招股说明书

第七节募集资金运用与未来发展规划

一、募集资金投资项目概况

（一）募集资金投资方向与使用安排2022年6月27日，公司召开的股东特别大会审议通过了《有关人民币股份发行及特别授权的决议案》及《有关人民币股份发行募集资金用途的决议案》，公司拟向社会公开发行不超过43373万股人民币普通股（包括行使超额配售选择权），实际募集资金扣除发行费用后的净额计划投入以下项目：

单位：亿元序号项目名称拟使用募集资金金额拟使用募集资金比例

1华虹制造（无锡）项目125.0069.44%

28英寸厂优化升级项目20.0011.11%

3特色工艺技术创新研发项目25.0013.89%

4补充流动资金10.005.56%

合计180.00100.00%

本次募集资金投资项目符合国家有关产业政策和公司发展战略，有助于进一步扩大产能规模，增强研发实力，丰富工艺平台，以更好地满足市场需求、提升公司在晶圆代工行业的市场地位和核心竞争力。

如果募集资金超过上述投资项目的总额，公司将按照有关规定履行必要的程序后将超募资金用于公司主营业务。如果本次发行募集资金不足，公司将通过自筹资金解决募投项目资金缺口。

本次募集资金到位之前，公司可以根据项目进展情况使用自筹资金先行投入。

募集资金到位后，公司将首先置换前期投入的自筹资金，剩余款项按照募集资金使用的相关规定用于募投项目的后续建设。

（二）募集资金投资项目对同业竞争和独立性的影响

本次募集资金投资项目为华虹制造（无锡）项目、8英寸厂优化升级项目、

特色工艺技术创新研发项目以及补充流动资金，项目实施主体均为发行人及其控股子公司。募集资金投资项目与发行人主营业务、生产经营规模、财务状况、技

1-1-217华虹半导体有限公司招股说明书

术条件、管理能力、发展目标相匹配。本次募集资金项目实施后不会产生新的同业竞争，不会对发行人独立性产生不利影响。

（三）募集资金使用管理制度

公司已制定《募集资金管理制度》，实行募集资金专户存储制度，将严格按照相关规定管理和使用本次募集资金。本次募集资金存放于专户集中管理，做到专款专用，并接受保荐人、开户银行、证券交易所和其他有权部门的监督。

（四）募集资金重点投向科技创新领域的具体安排

本次计划实施的募集资金投资项目均围绕公司主营业务进行，主要目标是扩大产能规模、增强研发实力、丰富工艺平台，提升公司核心竞争力。

本次募集资金重点投向科技创新领域的具体安排详见本节“二、募集资金运用情况”。

（五）募集资金对发行人主营业务发展的贡献、未来经营战略的影响

公司本次募集资金投资项目在公司现有业务、技术积累的基础上扩大规模，增强研发实力，以更好地满足市场需求、提升公司在晶圆代工行业的市场地位和核心竞争力，有助于全面提升公司生产能力、研发能力和盈利能力，实现公司的可持续发展。

二、募集资金运用情况

（一）华虹制造（无锡）项目

1、项目基本情况

华虹制造（无锡）项目计划建设一条投产后月产能达到8.3万片的12英寸

特色工艺生产线，实施主体为控股子公司华虹半导体制造（无锡）有限公司。该项目依托上海华虹宏力在车规级工艺与产品积累的技术和经验，进一步完善并延展嵌入式/独立式存储器、模拟与电源管理、高端功率器件等工艺平台。该项目将显著提升公司产能并助力公司的特色工艺技术迈上新台阶，增强公司核心竞争力并提升公司行业地位。

1-1-218华虹半导体有限公司招股说明书

2、项目投资概算

本项目预计总投资67亿美元，具体情况如下：

序号名称金额（亿美元）占投资总额比例（%）

1生产设备购置及安装费50.0074.63

2建筑安装工程11.8917.75

3工程建设其他费用2.133.18

4预备费1.562.33

5建设期利息0.170.26

6铺底流动资金1.241.85

合计67.00100.00

注：最终投资金额以实际发生为准

3、项目周期和时间进度

本项目新建生产厂房预计2023年初开工，2024年四季度基本完成厂房建设并开始安装设备。2025年开始投产，产能逐年增长，预计最终达到8.3万片/月。

4、项目选址及土地情况

本项目建设地点位于无锡高新区（新吴区）内高新技术产业开发区，本项目厂区西临锡兴路，北临新洲路，东临312国道，南侧通过锡钦路连接新华路。华虹无锡将以其已取得的部分土地使用权转让予华虹制造作为该项目的募投用地，转让总对价为170100450元（不包括税项）；前述转让的完成尚需履行取得抵

押权人同意、相关主管部门的审批/登记/备案等程序，预计华虹制造将于2023年上半年完成该等土地使用权分割转让手续并取得不动产权证。

5、项目备案及环评情况

本项目已取得《江苏省投资项目备案证》（锡新行审投备〔2023〕9号）和《关于华虹半导体制造（无锡）有限公司华虹制造（无锡）项目环境影响报告表的批复》（锡行审环许【2023】7005号）。

6、项目资金需求、投入方式和未来安排

华虹制造（无锡）项目预计总投资额为67亿美元，其中40.2亿美元将由该项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金，发行人的出资来源为本次发行的募集资金，如果本次发行募集资金不足，公司将通过自筹资金解决募投项

1-1-219华虹半导体有限公司招股说明书

目资金缺口其他股东将同比例增资；剩余26.8亿美元将以债务融资方式筹集，相关银行已出具贷款意向承诺的函。

发行人、上海华虹宏力、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（以下简称“大基金二期”）及无锡锡虹国芯投资有限公司（以下简称“锡虹国芯”，与大基金二期合称为“华虹制造少数股东”）于2023年1月18日签订《关于华虹半导体制造（无锡）有限公司的合资经营合同》（以下简称“《合资经营合同》”）

《关于华虹半导体制造（无锡）有限公司之投资协议》（以下简称《“投资协议》”），约定引入大基金二期及锡虹国芯作为华虹制造股东，各股东投资共计402000万美元。其中，发行人、上海华虹宏力、大基金二期及锡虹国芯将分别向华虹制造投资88038万美元、116982万美元、116580万美元及80400万美元以分别持

有华虹制造21.9%、29.1%、29%、20%的股权。根据《合资经营合同》及《投资协议》的约定，各股东将按出资比例分三期对华虹制造出资，具体安排如下表所示，在以下各付款时点各股东均系同比例提供资金：

款项付款比例主要付款条件

(1)合资各方及华虹制造内部已经批准该交易；

(2)发行人股东已批准本次交易；

(3)该交易及华虹制造（无锡）项目符合主管部门相关政

第一笔付款15%策要求，并取得立项核准或备案文件；

(4)关于该交易的交易文件都已正式签署；

(5)工商变更等程序已完成。

(1)合资各方第一笔出资全部缴纳完毕后九个月（或各方一致同意的其他期限）内；

第二笔付款60%(2)华虹制造已办理完毕相应的国有资产产权登记；

(3)发行人已完成首次公开发行人民币普通股股票并在科创板上市。

第三笔付款25%合资各方第二笔出资全部缴纳完成后三个月内。

截至本招股说明书出具日，华虹制造注册资本已增加至402000万美元，华虹制造各股东已按约定支付第一笔投资款完成增资。

根据《合资经营合同》和《投资协议》的约定，本次募集资金的125亿元将以股东增资形式投入，其他股东将在三个付款节点同比例提供资金增资。

1-1-220华虹半导体有限公司招股说明书

（二）8英寸厂优化升级项目

1、项目基本情况

8英寸厂优化升级项目实施主体为上海华虹宏力。本项目计划升级8英寸厂的

部分生产线，以匹配嵌入式非易失性存储器等特色工艺平台技术需求；同时，计划升级8英寸厂的功率器件工艺平台生产线。本项目通过更新生产线部分设备，适应各大特色工艺平台的技术升级需求，进一步提高公司核心竞争力以及抗风险能力。

2、项目投资概算

本项目预计总投资200000万元人民币，具体情况如下：

序号名称金额（万元人民币）占投资总额比例（%）设备购置费（含附带、安装、物

118920094.60流和保险等费用）

2配套动力费108005.40

合计200000100.00

3、项目周期和时间进度

本项目建设期为3年，预计2025年底前实施完毕。

4、项目选址及土地情况

本项目实施地点位于发行人现有金桥与张江各厂区范围，不涉及新取得土地或房产的情况。

5、项目备案及环评情况本项目已取得《上海市外商投资项目备案证明》（国家代码：2208-310115-

04-02-898613、2208-310115-04-02-347082、2208-310115-04-02-202491），作为

优化升级项目不涉及申请办理环评相关手续的情况。

（三）特色工艺技术创新研发项目

1、项目基本情况

公司结合实际经营情况与未来发展目标，将本次募集资金中的25亿元人民币用于特色工艺技术创新研发项目，拓展公司在相关领域的自主创新能力和研发水平，保持公司特色工艺平台技术领先地位。

1-1-221华虹半导体有限公司招股说明书

2、项目投资概算

本项目投资资金将用于公司各大特色工艺平台技术研发，包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等方向，具体将用于包括但不限于与上述研发活动相关的设备和无形资产购置费用、维护维修费、研发人员的薪

资福利、直接材料等。

3、项目选址及土地情况

本项目将在公司各厂区内实施，不涉及新取得土地或房产的情况。

4、项目备案及环评情况

本项目不涉及向相关部门申请项目备案和环评相关手续的情况。

（四）补充流动资金本次发行募集资金在满足上述项目资金需求的同时拟使用10亿元人民币补充流动资金。公司通过使用部分募集资金以补充流动资金，将有效增加营运资金，提高经营效率，增强经营能力，满足公司业务规模的扩张带来的新增营运资金需求，对公司发展战略的实施提供充分的资金支持。

本项目不直接涉及环保投入，不涉及环境影响评价，符合国家和地方环保要求。

未来，本次募投项目在实施过程中，如根据届时适用的法律法规及相关政策需要履行相应的审批、备案等程序，或主管部门如对项目具体实施程序提出要求的，发行人将按照相关要求办理。

三、募投项目必要性与可行性分析

（一）募投项目必要性分析

1、公司现有产能已无法满足快速增长的市场需求，即将成为公司发展的制约瓶颈，亟需扩充产能近年来，随着新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源等新兴市场的不断发展，全球半导体行业市场规模整体呈现增长趋势。根据全球半导体贸易统计组织的统计，2017年至2021年，按照销售额口径，全球半导体市

1-1-222华虹半导体有限公司招股说明书

场规模从4122亿美元增长至5559亿美元，年均复合增长率为7.76%。根据中国半导体行业协会的统计，2017年至2021年，中国大陆半导体市场规模从5411.3亿元增长至10458.3亿元，年均复合增长率为17.91%。

从目前国内半导体产业发展来说，一方面，国家陆续出台政策支持境内晶圆代工行业的发展；另一方面，部分境内半导体设计企业积极寻找满足其需求的境内晶圆代工产能，以保证境内供应链持续稳定。在以上的产业环境下，预计未来中国大陆晶圆代工行业产能需求将保持较高速的增长趋势。

报告期内，公司的产能利用率饱和，2020年度、2021年度和2022年度公司当年产能利用率分别为92.70%、107.50%和107.40%，随着各个产品线的不断上量以及国内市场需求日益旺盛，产能即将成为公司发展的制约瓶颈，公司迫切需要通过扩大生产规模以进一步提高市场竞争地位。

2、公司亟需提升相关工艺平台产品广度及柔性制造能力，进一步提高公司

核心竞争力以及抗风险能力特色工艺平台的丰富性是衡量半导体晶圆代工企业综合实力的重要考量因素，其不仅体现在单一技术平台所涵盖工艺节点的全面性，也体现在单一工艺节点可应用于不同技术平台的多样性。经过在行业内多年的深耕发展，公司在嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺领域积累了

丰富的产品组合，能够为客户提供多样化的产品与系统解决方案。公司是行业内工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业，能够满足不同终端市场的应用场景以及同一细分市场中不同客户的多元化需求。

为提升相关工艺平台产品广度并提升部分特色工艺平台的柔性制造能力，公司亟需优化现有工厂生产线、并投入研发资金以拓展公司在相关领域的自主创新

能力和研发水平，保持公司特色工艺平台技术领先地位，并进一步提高公司抗风险能力。

（二）募投项目可行性分析

1、公司具备深厚的技术基础公司在半导体制造领域拥有超过20年的技术积累，逐步形成了先进“特色IC+功率器件”的产品布局，自主研发了嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器

1-1-223华虹半导体有限公司招股说明书

件、模拟与电源管理等特色工艺平台。其中，在嵌入式非易失性存储器领域，公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及国内最大的 MCU 制造代工企业；

在功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业，拥有全球领先的深沟槽式超级结 MOSFET 以及 IGBT 技术；在模拟与电源管理领域，公司已成为全球领先的模拟与电源管理工艺技术提供商。

2、公司具备完善的研发体系与人才队伍

公司始终重视人才队伍的培养和建设，不断积累核心技术人才、研发创新人才与项目管理人才，并建立了自主的研发团队、完善的研发流程以及高效的研发管理体系，由研发团队进行研发、改进，对工艺流程及参数指标进行优化，形成了公司现有核心技术平台。公司以自身发展战略与竞争优势为依托，经过长期技术积累与工艺迭代，在主要业务领域形成并掌握了一系列具有自主知识产权的核心技术。

3、丰富的客户资源保证了公司及时掌握市场需求，确保公司在市场竞争中

保持领先优势

过去二十余年，公司依靠卓越的特色工艺技术实力、稳定的产品性能和供给能力赢得了全球客户的广泛认可，客户覆盖中国大陆及中国台湾地区、美国及欧洲等地，客户产品应用覆盖汽车、通讯、工业、消费电子等多个终端领域。在全球排名前50名的芯片产品公司中，超过三分之一与公司开展了业务合作，其中多家与公司达成研发、生产环节的战略性合作。丰富的全球客户资源以及多样化的终端市场，使得公司及时了解和把握市场最新需求，准确地进行工艺平台技术研发以及更新升级，确保公司在市场竞争中保持领先优势。

四、未来发展规划

（一）公司战略规划

1、发展战略

半导体行业作为一个资金密集、人才密集，对科技水平要求极高的重要国民经济战略性产业，已成为全球高科技竞争与发展的焦点。作为全球领先的特色工艺晶圆代工厂商，着眼于国家对半导体行业的战略性发展规划，以及国内相关行

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业高度依赖进口的现状，华虹半导体始终明确自身发展的重要使命与目标，结合自身定位与竞争优势提出了“8 英寸+12 英寸”及先进“特色 IC+功率器件”两大发展战略。

其中，基于半导体行业工艺平台、产品领域众多的特征，公司强调多元化的产品路线，在嵌入式非易失性存储器及功率器件等特色工艺平台建立起了丰富的工艺和产品组合，未来仍将围绕该优势工艺领域，打造更具竞争力，工艺制程更领先的代工能力。具体而言，在非易失性存储器领域，公司将巩固嵌入式产品优势并进一步开发独立式存储产品，向更小线宽、更大存储单元密度和更优读写性能的代工产品迈进；在功率器件领域，公司将继续巩固 MOSFET 和 IGBT 工艺平台的已有优势，继续优化产品性能指标，丰富器件规格，以满足新能源汽车以及新能源等新兴应用领域快速增长的需求，从而巩固公司特色工艺平台的核心竞争力；在电源管理领域，持续优化 BCD 平台工艺水平，力争开发更丰富的器件种类和集成度更高的工艺，以达到海内外知名客户的需求；在图像传感器领域，公司将进一步提升像素水平、像素单元密度和产品综合质量。

另一方面，基于全球半导体代工行业产能无法满足新兴应用市场需求不断增长的背景，公司在8英寸平台继续优化改造既有产品线的同时亦积极投入12英寸平台工艺研发及提升产能，以满足广阔的下游市场对各类特色工艺代工产品的需求。随着华虹无锡项目产能持续爬坡，未来进一步的资本投入将大幅提升12英寸生产线的产能，及基于90-55纳米节点各项工艺平台代工的产品组合丰富度，巩固作为全球领先的半导体特色工艺代工厂商的行业地位。

（二）报告期内为实现战略目标已采取的措施及实施效果

为实现公司的总体发展战略和经营目标，公司在报告期内具体实施了以下举措：

1、持续加大科研投入

作为全球领先的特色工艺晶圆代工企业之一，公司拥有全面的特色工艺平台和产品组合，强大的技术和服务能力，向客户提供从0.35微米至65/55纳米等制程节点范围的产品，并应用于各类下游终端市场。未来公司将巩固已有特色工艺

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领域的优势，积极提升基于12英寸平台各项工艺领域的综合竞争力，为境内外客户提供更优的产品性能与更高的产品质量。

报告期内，公司坚持技术和产品的持续创新，始终保持较高的研发投入。报告期内的研发费用分别为73930.73万元、51642.14万元和107667.18万元，占各年营业收入的比例分别为10.97%、4.86%和6.41%。

此外，公司承担了多个重大科研项目，为我国的半导体行业发展，迈向更尖端的前沿技术，建设独立自主的创新体系和生产布局，做出应有的贡献。

2、持续建设优秀人才体系，强化激励机制，加强技术保护

作为一家于香港联交所上市的红筹企业，公司一贯秉承对公司治理及社会责任的重视，通过对行业优秀研发人才的吸引、任用、培养与保留等一系列政策，构建公司与员工共同进步的价值理念。公司通过具有市场竞争力的薪酬体系、业绩激励机制激励研发人才队伍不断进取、持续创新，通过专项福利补贴及多样化的人才关爱与发展项目保持研发队伍稳定发展。

其中，在薪酬体系方面，公司于2015年制定了股票期权计划，强化对优秀人才的激励措施，以保持对研发人才的吸引及保留。截至2022年12月31日，公司分4次共计授出67732000份期权，相关信息详见本招股书“第四节发行人基本情况”之“十、公司正在执行的股权激励及其他制度安排和执行情况”。同时，

公司也已建立了业绩激励机制和研发项目激励机制，制定清晰明确的业绩和研发指标，分项分阶段考察并奖励相关出色完成业务的团队和人员。未来，公司将基于自身发展需求，充分利用 A 股以及香港资本市场平台，通过股权激励等方式继续强化激励机制，加强人才与技术保护。

3、提升产能并拓展主要工艺平台的产品应用领域

由于全球半导体行业的代工需求持续攀升，公司产能处于饱和运行状态，一定程度上限制了公司收入规模及盈利能力的提升。报告期内，公司完成了无锡

12英寸产线的规模化量产，实现90纳米-55纳米不同工艺平台产能的稳步推进。

应用领域方面，公司持续优化升级既有工艺平台技术，在嵌入式非易失性存储器、功率器件及电源管理等领域建立起强大的核心竞争优势，并在其他诸如独立式存

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储器等领域亦建立起向境内外各行业客户及产品需求提供高质量产品服务的能力。

（三）发行人未来具体发展计划及采取的措施

人才是半导体行业竞争的根本，公司将继续优化薪酬体系、提出合宜的业绩激励机制、进一步通过员工持股、期权激励等方式实现对核心员工有效激励，强化对优秀人才的激励措施，加强人才队伍建设，满足公司未来发展的人才需求。

未来公司将继续坚定先进“特色 IC+功率器件”的多元化竞争发展战略，积极进行研发投入，从优势的特色工艺领域到其他新型工艺平台，持续优化工艺技术，升级代工产品性能与品质，从而满足各下游行业对晶圆产品的高标准需求。

公司计划对已投产8英寸生产线进行优化升级，并进一步大幅提升基于12英寸生产线的代工产能，以满足下游新兴行业的旺盛需求，巩固和提升公司作为全球领先的特色工艺晶圆代工企业的地位。

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第八节公司治理与独立性

一、公司治理存在的缺陷及改进情况公司设立以来，已按照中国香港法律的规定，结合公司实际情况制定了《公司章程》，建立了股东大会、董事会等基础性制度，中国香港法律不要求公司设立监事会。

公司遵循《联交所上市规则》，多年来形成了规范的公司治理结构。公司股东大会、董事会按照中国香港法律、《联交所上市规则》《公司章程》等相关规定，独立运作并切实履行职责。公司董事会下设审核委员会、薪酬委员会、提名委员会。此外，公司聘任了三名专业人士担任公司独立非执行董事，参与决策和监督，增强董事会决策的客观性、科学性。

公司根据中国香港法律设立，并在香港联交所上市，其适用的相关规定在多个方面与中国境内适用的法律、法规和规范性文件有所不同。

根据《科创板上市规则》，在境内发行股票并在科创板上市的红筹企业，其股权结构、公司治理、运行规范等事项适用境外注册地公司法等法律法规，其投资者权益保护水平包括资产收益、参与重大决策、剩余财产分配等权益，总体上应不低于境内法律法规的要求。

基于上述原则，结合《公司条例》《联交所上市规则》《科创板上市规则》等注册地、境外上市地、中国境内适用法律、法规和规范性文件的具体规定，公司对《公司章程》《审核委员会的职权范围》《薪酬委员会的职权范围》《提名委员会的职权范围》进行了修订，公司制定了《股东大会议事规则》《董事会议事规则》《对外担保管理制度》《对外投资管理制度》《关连（联）交易管理制度》《募集资金管理制度》《投资者关系管理制度》《信息披露管理制度》《信息披露境内代表工作细则》等具体制度和细则。

截至本招股说明书签署日，公司已经按照《证券法》《科创板上市规则》等中国境内适用法律、法规和规范性文件的具体规定建立了完善的公司治理制度，股东大会、董事会及其专门委员会顺利运行。公司在投资者权益保护水平包括资

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产收益、参与重大决策、剩余财产分配等权益，总体上不低于境内法律法规的要求。

报告期内，公司治理情况良好，不存在重大缺陷。

二、注册地的公司法律制度、《公司章程》与境内《公司法》等法律制度的主要差异

（一）利润分配机制、重大事项决策程序、剩余财产分配等方面的主要差异

公司为一家根据香港《公司条例》设立的公司。根据《若干意见》的规定，试点红筹企业的股权结构、公司治理、运行规范等事项可适用境外注册地公司法

等法律法规规定。公司的公司治理制度需遵守香港《公司条例》和《组织章程细则》的规定，与目前适用于注册在中国境内的一般境内 A 股上市公司的公司治理模式在利润分配机制、重大事项决策程序、剩余财产分配等方面存在一定差异，具体如下：

1、利润分配机制的差异

香港《公司条例》中不存在“法定公积金”及“任意公积金”的概念，根据香港《公司条例》第297条规定，公司只可从可供分派的利润中拨款作出分派。公司可供分派的利润是将公司以往尚未透过分派或资本化运用的累积已实现利润，减去以往尚未因股本减少或股本重组而冲销的累积已实现亏损的款项。在利润分配机制上与境内 A 股上市公司存在差异。在此基础上，公司出具了《关于利润分配政策的承诺函》并制定了《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》，前述文件有利于保障公司 A 股股东的资产收益权。

2、重大事项决策程序的差异

根据公司适用的法律、证券交易所规则和《组织章程细则》的规定以及香港

公司的治理实践，除应当由股东大会批准的事项外，公司的其他重大事项主要由董事会负责决策。其中，与在境内注册 A 股上市公司相比，公司董事会将有权审议批准部分通常应由 A 股上市公司股东大会审议批准的事项。

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根据《组织章程细则》，公司董事会的职权主要包括：

（1）召集股东大会，并向股东大会报告工作

（2）执行股东大会的决议；

（3）制订本公司的利润分配方案和弥补亏损方案；

（4）制订本公司增加或减少已发行股份的方案；

（5）制订本公司重大收购、合并、清盘或者更改公司地位（包括公众公司变更为私人公司等）的方案；

（6）在适用法律法规、上市规则及本章程细则的规限下，决定公司的对外

投资、收购出售资产、资产抵押、对外担保、委托理财、关连交易、关联交易、对外捐赠等事项；

（7）决定委任或罢免本公司总裁及其他高级管理人员、公司秘书，并决定有关其薪酬和奖惩事项；

（8）向股东大会提请委任或更换负责本公司审计的核数师；

（9）制订修订章程细则的方案；

（10）在适用法律法规、上市规则允许的范围内，就本公司发行一般债券（须取得股东批准的可换股债券发行除外）作出决定；

（11）适用法律法规、上市规则、章程细则等规定的其他职权。

虽然公司董事会的审议事项范围与在境内注册的 A 股上市公司存在差异，但根据《组织章程细则》，与公司存续、股本变动、董事选举等相关的重大事项的审议权限仍归属于股东大会。公司已经在香港联交所上市，运行规范，公司目前采用的公司治理模式符合一般香港上市公司的惯例。

3、投资者获取剩余财产分配的权利

根据《公司法》及《上市公司章程指引》等相关规定，公司财产在分别支付清算费用、职工的工资、社会保险费用和法定补偿金，缴纳所欠税款，清偿公司债务后的剩余财产，应按照股东持有的股份比例进行分配。

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根据《公司（清盘及杂项条文）条例》等相关规定，公司资产在按先后次序拨付完固定押记持有人及相关接管人费用（如有）、清盘的费用及开支、全体债

权人费用后，剩余资产（如有）按照股东所享有的权利及权益予以分配派发。

根据《组织章程细则》的规定，如果公司清盘，在支付所有债权人之后，剩余资产将根据实缴资本比例分配给各成员。

因此，本次发行上市后，投资者获取剩余财产分配的权利与根据《公司法》设立并登记在中国境内的 A 股上市公司之间不存在重大差异。

（二）其他主要差异

除上文所述差异以外，公司其他相关安排与在境内注册的 A 股上市公司相比主要差异如下：

1、监事会制度相对于在境内注册的 A 股上市公司，公司未设置监事及监事会。香港《公司条例》及《联交所上市规则》均无设置公司监事和监事会的相关要求，如比照境内相关规则设置监事会亦缺乏公司注册地法律支持。因此，公司无需设置监事会。

此外，公司目前已依据《联交所上市规则》的规定聘任了独立非执行董事，并设置了审核委员会等董事会专门委员会。公司的独立非执行董事和审核委员会依照相关规定起到了监督公司规范运作的作用，可以行使境内《公司法》《证券法》下规定的属于监事会的监督职权，满足红筹企业投资者权益保护要求。

2、独立董事任职资格及发表意见的范围

在境内注册的 A 股科创板上市公司应遵守的《科创板上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》《上市公司独立董事规则》《上市公司独立董事履职指引》等规定明确了独立董事的任期、职责、

限制、任职资格等内容。

公司是一家注册于香港并且在香港上市的公司，对于独立非执行董事的任职资格及发表意见的规定应按照《联交所上市规则》相关规则执行。

1-1-231华虹半导体有限公司招股说明书

在独立非执行董事任职资格方面，《联交所上市规则》要求上市公司董事会必须包括至少三名独立非执行董事，独立非执行董事至少占董事会成员人数的三分之一。至少一名独立非执行董事必须具备适当的专业资格，或具备适当的会计或相关的财务管理专长。若独立非执行董事在任已过9年，其是否获续任应以独立决议案形式由股东审议通过。如独立非执行董事候选人将担任第7家上市公司的董事，需在提出决议案以选任其为独立非执行董事的股东通函中解释其仍有足够时间履行独立非执行董事责任的理由。《联交所上市规则》同时对独立非执行董事的独立性标准予以了明确要求。

《联交所上市规则》对独立非执行董事的任职资格与境内的相关规定要求的

任期、职责、限制、任职资格等内容有一定差异，对于公司来说主要体现在目前公司部分独立非执行董事连任时间已超过境内对于独立董事任期要求，但公司的独立非执行董事均为业界知名人士，具备相应的知识、能力与经验，能够有效履行独立董事职责，提供独立意见，维护公司及股东的整体利益，维护中小股东的合法权益不受损害。

此外，《联交所上市规则》与中国大陆地区关于独立非执行董事（独立董事）应发表意见的事项范围略有不同，但在重大交易、关联（连）交易等涉及投资者权益的主要事项上均要求独立非执行董事（独立董事）发表独立意见。

公司现行董事会成员熟悉《联交所上市规则》，独立非执行董事具备相应的知识、能力与经验，能够胜任规则要求。公司按照《联交所上市规则》所规定的独立非执行董事相关规则执行亦可以实现对于 A 股投资者权益的保护。

3、董事选举的差异

根据《上市公司章程指引》《科创板上市规则》等 A 股的相关规定：

（1）董事由股东大会选举或者更换，并可在任期届满前由股东大会解除其职务；该等决议由股东大会以普通决议通过；

（2）董事会、监事会以及单独或者合并持有公司3%以上股份的股东有权向

股东大会提出提案，提名董事候选人；

（3）董事会、监事会、单独或者合并持有上市公司已发行股份1%以上的股

东可以提出独立董事候选人，并经股东大会选举决定。

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但根据《组织章程细则》的规定，董事会可委任愿意担任董事职位之人士为董事，以填补空缺或作为新增董事，惟该等委任不应导致董事人数超出已定上限。

任何按此获委任的董事仅任职至本公司下届股东周年大会，并于该大会上符合资格膺选连任，惟于厘定将于会上轮换卸任的董事或董事人数时不会计入其中。

因此，根据《组织章程细则》，董事会可自行选出董事以填补临时空缺或增加董事名额，与 A 股上市公司董事产生的程序要求存在差异。但董事会委任的董事至下一次股东周年大会召开时仍需经股东周年大会审议后方可连任，上述制度安排系对董事席位空缺或为完善董事会成员结构的情况下，对董事会成员的补足机制，增补董事有利于完善公司决策机制，实质上不会损害投资者的权益。

三、公司内部控制制度情况

（一）公司管理层对内部控制的自我评价

公司管理层认为，公司于2022年12月31日按照财政部会同证监会、审计署、银监会、保监会制定的《企业内部控制基本规范》的要求在所有重大方面保持了有效的财务报告内部控制。

（二）注册会计师对本公司内部控制的鉴证意见安永会计师为公司出具的“安永华明(2023)专字第 60985153_B01 号”《内部控制审核报告》认为，“于2022年12月31日华虹半导体有限公司及其子公司在上述内部控制评估报告中所述与财务报表相关的内部控制在所有重大方面

有效地保持了按照《企业内部控制基本规范》（财会[2008]7号）建立的与财务报表相关的内部控制。”四、报告期内违法违规及受处罚、监管措施、纪律处分或自律监管措施情况

（一）行政处罚情况发行人报告期内不存在受到处罚金额超过10000元的行政处罚。

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（二）境外上市期间的合规情况

自2014年10月发行人在联交所上市之日至本招股说明书签署日，发行人在信息披露、股权交易、董事会或股东大会决策等方面不存在受到香港联交所或香港证券及期货事务监察委员会处罚的情形。

（三）监管措施、纪律处分或自律监管措施情况

发行人报告期内不存在受到中国证监会、中国境内证券交易所、证券业协会

所作出的监管措施、纪律处分或自律监管措施的情况。

五、境内外信息披露差异情况公司本次在上海证券交易所科创板发行的信息披露与在香港联交所上市期间的信息披露内容不存在重大实质性差异。

六、公司资金的占用与担保情况

截至本招股说明书签署日，公司不存在资金被控股股东、实际控制人及其控制的其他企业占用的情况，也不存在为控股股东、实际控制人及其控制的其他企业担保的情形。

七、公司独立经营情况

公司在资产、人员、财务、机构和业务方面均具备独立性，具有完整的业务体系和直接面向市场独立持续经营的能力。

（一）资产完整方面

公司主要从事晶圆代工业务，拥有开展业务所需的相关资质、资产和配套设施及经营所需的土地、房产、设备、专利等的所有权或使用权，具有独立的原料采购和产品销售系统，具备与经营有关的业务体系及相关资产。

（二）业务独立方面

公司拥有完整、独立的研发、采购、生产和销售的运营管理体系。公司与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业间不存在对公司构成重大不利影响的同业竞争，以及严重影响独立性或者显失公平的关联（连）交易。公司的业务独立于其控股股东、实际控制人及其控制的其他企业。

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（三）财务独立方面

公司设立了独立的财务会计部门，配备了专职财务人员，建立了独立、完整的会计核算体系，制订了内部财务管理制度并建立了对下属公司的财务管理制度，能够独立作出财务决策。公司及其子公司拥有独立的银行账户，公司作为独立纳税人，履行独立纳税义务。

（四）机构独立方面

公司已建立了健全且适应自身发展需要的内部组织机构，建立了相应的内部管理制度，拥有独立的职能部门并独立行使经营管理职权，公司不存在各职能机构在经营场所和管理制度等各方面与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业混同而影响公司独立性的情形。

（五）人员独立方面

公司建立了健全的法人治理结构，董事、高级管理人员按照《公司章程》等相关规章制度产生。公司高级管理人员、财务人员不存在在公司控股股东、实际控制人及其控制的其他企业中担任除董事、监事以外的其他职务并领取薪酬的情形。

（六）关于公司主营业务、控制权、管理团队和核心技术人员的变动

1、公司主营业务稳定

公司主要向客户提供以8英寸及12英寸晶圆为基础的特色工艺代工服务，在不同工艺平台上运用半导体专用设备和材料，按照客户需求为其制造多种类的半导体产品；同时为客户提供包括 IP 设计、测试等配套服务。公司主营业务稳定，最近2年内没有发生变化。

2、公司控制权稳定公司控股股东、实际控制人持有公司股份的情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“七、持有发行人5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（一）控股股东、实际控制人基本情况”。

公司控制权稳定，控股股东所持公司的股份权属清晰，最近2年实际控制人没有发生变更，不存在可能导致控制权变更的重大权属纠纷。

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3、公司管理团队和核心技术人员稳定公司董事、高级管理人员及核心技术人员的任职情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”。

公司管理团队和核心技术人员稳定，最近2年内董事、高级管理人员及核心技术人员均没有发生重大不利变化。

（七）影响持续经营重大影响的事项

公司不存在主要资产、核心技术、商标的重大权属纠纷，重大偿债风险，重大担保、诉讼、仲裁等或有事项，经营环境已经或将要发生的重大变化等对持续经营有重大影响的事项。

八、同业竞争

（一）公司与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业不存在重大不利影响的同业竞争

公司主要向客户提供8英寸及12英寸晶圆的特色工艺晶圆代工服务，在不同工艺平台上，按照客户需求为其制造多种类的半导体产品；同时为客户提供包括掩模版、探针卡、IP 设计、测试等配套服务。

发行人控股股东及其控制的除发行人外的一级子公司和实际控制人上海市

国资委监管的企业的基本情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“七、持有发行人5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（三）发行人控股股东、实际控制人控制的其他企业情况”。

截至2022年12月31日，除本公司及其直接或间接控制的子公司以外，华虹集团控制的其他企业中，上海华力从事先进逻辑工艺晶圆代工服务，具体如下：

1、华虹半导体和上海华力业务定位存在明显差异

华虹半导体和上海华力是华虹集团基于半导体制造行业的不同技术发展路

径所设立的两大业务板块。华虹半导体定位于特色工艺晶圆代工，上海华力定位于先进逻辑工艺晶圆代工，差异明显，两者的发展历程汇总如下：

主体名称华虹半导体上海华力发展定位特色工艺的领先者先进逻辑工艺的追赶者

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厂区8英寸厂12英寸厂12英寸厂项目投建

1997年2006年2000年2018年2009年2017年

时间

主要工艺 95nm 0.18μm 90nm 65/55nm 65/55nm 及

28nm

节点定位及以上及以上及以上及以上以下

华虹半导体自成立以来始终布局特色工艺领域，覆盖了 MOSFET、IGBT 等功率器件代工以及嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器、模拟与电源

管理等特色工艺晶圆代工，工艺节点主要覆盖 0.35μm 到 55nm 等，特色工艺以拓展摩尔定律为指导，不完全依赖向更小线宽的工艺节点演进，而是通过持续优化器件结构与制造工艺，最大化发挥不同器件的物理特性以提升产品性能及可靠性。

上海华力自2009年成立便定位于遵循摩尔定律使线宽不断缩小的先进逻辑

工艺领域，旨在追赶台积电等全球领先的集成电路代工企业，主要覆盖逻辑集成电路代工服务，工艺制程规划最先进已达到 28nm。双方在经营思路、技术发展、市场布局上存在明显差异。华虹半导体与上海华力各自根据客户需求进行晶圆代工。

2、华虹半导体与上海华力保持独立

公司的资产来自于股东投入及持续经营累积，资产独立；公司的人员保持独立聘任，人员独立；公司独立开展市场采购和销售，价格公允，运营及业务独立；

公司拥有独立、完整的研发体系与研发团队，核心技术主要来自于自主研发，公司不存在与上海华力共有专利的情形，公司的财务人员由公司独立聘任，财务账户独立，与上海华力不存在资金占用、核算方面不存在混同的情形，财务独立，机构保持独立；报告期内，公司与上海华力之间的交易均为正常的业务交易，交易具有商业合理性，交易价格公允。公司与上海华力独立经营，在资产、人员、运营、业务、机构、财务等方面完全独立。

近年来，晶圆代工市场需求旺盛，各晶圆代工企业产能均不足以满足市场需求，公司与上海华力在从事同类晶圆代工业务时，按照市场情况进行定价，结合产能、技术要求、客户需求等方面综合考虑后独立作出决策，不存在非公平竞争。

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华虹集团作为上海市国资委出资企业，通过与各下属企业的股权关系依法依规行使股东权利。公司与上海华力不存在因同受华虹集团控制而导致的非公平竞争、利益输送或让渡商业机会的情形。

3、发行人与华虹集团及其控制的其他企业间不存在对发行人构成重大不利

影响的同业竞争

报告期内，发行人与华力微存在不同工艺节点的重合平台和相同工艺节点的重合工艺平台。其中，不同工艺节点的重合平台不具有竞争和替代关系，相同工艺节点的重合工艺平台存在同业竞争，但不构成重大不利影响的同业竞争，具体如下：

（1）双方的总体定位和工艺路线存在显著差异

报告期内，发行人和上海华力均从事晶圆代工业务。总体定位方面，华虹半导体定位于特色工艺晶圆代工，上海华力定位于先进逻辑工艺晶圆代工。在各工艺节点上，发行人的工艺路线核心均为特色工艺，上海华力的工艺路线核心为逻辑工艺，但华力微在 65/55nm 工艺节点上还涉及特色工艺。

（2）不同工艺节点代工的重合工艺平台上，双方代工能力存在本质差异，客户设计的产品只能通过特定的工艺节点实现，不能相互替代和竞争在重合工艺平台上，客户在产品定义时根据主频、运算速度或存储容量等方面的需求确定工艺节点，双方不同工艺节点上代工能力存在显著差异，客户根据产品定义选择相应的工艺节点，无法在其他工艺节点上代工，不同工艺节点上代工的重合工艺平台产品也无法通过叠加等方式实现直接替换，双方在不同工艺节点的重合工艺平台业务不具有替代、竞争关系。

（3）重合工艺节点的重合工艺平台代工能力存在差异，但结合行业特点和

相关法律法规，双方存在同业竞争在重合工艺节点的重合工艺平台，双方的代工能力在器件的规格、类型和丰富度、配套的 IP 服务、测试服务等方面存在差异，从而使得双方客户也存在较大差异，并且在报告期内，发行人和华力微的客户群体较为稳定，双方并未在商业机会的获取上发生相互竞争或让渡的情形。尽管在重合工艺节点的重合工艺平台层面，发行人和华力微的代工能力存在差异，但是考虑到晶圆代工行业属于高

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度精密制造业务，代工能力的差异主要体现在纳米级别的微观结构层面，而工艺节点系衡量代工能力的关键因素，因此在重合工艺节点的重合工艺平台，客观上存在客户进行比较选择的可能性。有鉴于此，从审慎角度出发，并为便于投资者直观理解，结合2023年2月17日实施的《证券期货法律适用意见第17号》相关规定，发行人和华力微在 65/55nm 工艺节点的重合工艺平台上存在同业竞争。

（4）华力微 65/55nm 工艺节点重合工艺平台业务占比已降至 30%以内

双方的同类业务为相同工艺节点下的重合工艺平台的代工业务，即 65/55nm工艺节点下的独立式非易失性存储器、嵌入式非易失性存储器和逻辑与射频三个重合工艺平台。2022年各主体相关数据已经过审计，华力微同类收入或者毛利占发行人主营业务收入或者毛利的比例均低于30%，符合监管规则对同业竞争收入、毛利测算时的财务数据要求。

综上所述，结合华虹集团做出的明确的业务承接划分、相关业务占比控制在

30%以内的承诺和资产注入安排，发行人与华虹集团及其控制的其他企业间不存

在对发行人构成重大不利影响的同业竞争，符合相关法律法规规定。

4、65/55nm 工艺节点下相同工艺平台的资产、人员和业务安排情况

（1）业务安排

虽然发行人与上海华力作出了清晰的业务划分，即 65/55nm 独立式非易失性存储器和嵌入式非易失性存储器工艺平台相关业务由华虹半导体承接，65/55nm逻辑与射频工艺平台相关业务由华力微承接，但是客户选择晶圆代工厂时的评判标准是晶圆厂的代工能力与其需求的匹配程度，由于发行人与华力微在 65/55nm工艺节点重合工艺平台的代工路径和代工能力存在差异，且市场上的晶圆厂选择也不仅限于发行人与上海华力，因此发行人放弃承接的新客户或现有客户的新产品需求，不必然能够被华力微获取，反之亦然。

未来，发行人和华力微将严格按照上述业务划分，一方面尽力争取对方放弃承接的新客户和新产品需求，另一方面在自身承接的工艺平台上不断加强核心竞争力，实现业务划分的平稳过渡。

（2）资产安排

1-1-239华虹半导体有限公司招股说明书

在 65/55nm 工艺节点下，发行人及华力微在重合工艺平台下，除 ONO 炉管为华力微嵌入式非易失性存储器工艺平台 SONOS 工艺路线下的专用设备外，其余均为晶圆制造所需的通用设备。此外，前述专用设备价格及数量占比较小。

因此，根据业务规划，发行人与华力微将继续服务现有客户的现有产品，双方设备、厂房等生产资产无需作出处置或转让等特定安排。双方亦不存在专用于研发的机台设备。

（3）人员安排

在目前设备不做调整的前提下，生产人员不做相应调整安排。而对于双方的研发人员而言，其均是基于发行人或华力微目前各自的公司发展路线展开研发，因此对于重合工艺平台的研发人员将在各自内部做转岗或调整研发方向。

对于发行人而言，针对 65/55nm及以下工艺节点的逻辑与射频平台研发项目未来将仅从事基础性和支持性研发，不再涉及产业化的研发，本项目仅涉及研发方向的调整，不涉及人员的转岗；对于华力微而言，独立式/嵌入式非易失性存储器平台的专职研发人员的专业背景包括微电子、材料、化学、物理等，其知识结构均具有通用性和延展性。因此，未来华力微将调整独立式/嵌入式非易失性存储器平台研发项目的专职研发人员至其他工艺平台的研发工作中。

5、保荐人及发行人律师关于同业竞争的核查意见经核查，保荐人和发行人律师认为：发行人和华力微在历史沿革、资产、人员、商标商号等方面相互独立，双方在总体定位和工艺路线方面存在显著差异；

在不同工艺节点的重合工艺平台，工艺节点是衡量代工能力的关键因素，双方不具有替代性、竞争性和利益冲突，不存在同业竞争；但在重合工艺节点的重合工艺平台，双方存在同业竞争，但不存在利益输送或相互让渡商业机会等情形；2022年度，华力微 65/55nm 重合工艺平台收入和毛利占发行人主营业务收入和毛利的比例低于30%，发行人与华虹集团及其控制的其他企业间不存在对发行人构成重大不利影响的同业竞争，符合相关法律法规规定。

发行人与控股股东、实际控制人及其控制的其他企业间不存在对发行人构成重大不利影响的同业竞争。

1-1-240华虹半导体有限公司招股说明书

（二）避免同业竞争的承诺

为避免与发行人发生重大不利影响的同业竞争，直接控股股东华虹国际出具了《关于避免同业竞争的承诺函》、间接控股股东华虹集团出具了《关于避免同业竞争的承诺函》及其补充承诺，具体承诺内容详见本招股说明书附录之“附表七：承诺事项”之“(八)控股股东避免新增同业竞争的承诺”。

九、关联（连）方和关联（连）关系

根据《科创板上市规则》《联交所上市规则》《企业会计准则第36号-关联方披露》《香港财务报告准则》等相关法律、法规和规范性文件的规定，报告期内公司的主要关联（连）方如下：

（一）控股股东、实际控制人

发行人直接控股股东为华虹国际，直接持有发行人26.60%的股份；发行人间接控股股东为华虹集团，直接持有华虹国际100%的股份；发行人实际控制人为上海市国资委，直接持有华虹集团51.59%的股权。控股股东及实际控制人详细情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“七、持有发行人5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（一）控股股东、实际控制人基本情况”。

（二）直接有公司5%以上股份的股东及其控制的其他企业、间接持有公司

5%以上股份的股东

截至2022年12月31日，直接持有公司5%以上股份的股东及其控制的其他企业、间接持有公司5%以上股份的股东如下：

序号关联（连）方名称关联（连）关系

直接持有以及通过全资子公司 Wisdom Power

1联和国际

间接持有公司14.46%的股份

2鑫芯香港直接持有公司13.67%的股份

通过联和国际及Wisdom Power间接持有公司

3上海联和

14.46%的股份

4巽鑫（上海）投资有限公司通过鑫芯香港间接持有公司13.67%的股份

通过巽鑫（上海）投资有限公司间接持有公

5大基金

司13.67%的股份

1-1-241华虹半导体有限公司招股说明书

（三）控股股东控制的除发行人及其子公司外的其他企业

截至2022年12月31日，发行人控股股东控制的除发行人及其子公司外的其他企业详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“七、持有发行人5%以上股份或表决权的主要股东及实际控制人情况”之“（三）发行人控股股东控制的其他企业情况”。

（四）发行人的董事、高级管理人员及其关系密切的家庭成员

公司的董事、高级管理人员为公司的关联（连）自然人，详细情况详见本招股说明书之“第四节发行人基本情况”之“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”。

发行人董事、高级管理人员关系密切的家庭成员为公司的关联（连）方，包括配偶、年满18周岁的子女及其配偶、父母及配偶父母、兄弟姐妹及其配偶、

配偶的兄弟姐妹、子女配偶的父母。

（五）发行人的联营公司、合营公司

截至2022年12月31日，发行人合营公司、联营公司详见本招股说明书之

“第四节发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分公司及参股公司情况”

之“（二）参股公司情况”。

（六）公司控股股东的董事、监事和高级管理人员

公司的关联（连）自然人还包括公司直接控股股东华虹国际董事、高级管理

人员以及间接控股股东华虹集团的董事、监事和高级管理人员。

截至本招股说明书签署日，华虹国际董事、高级管理人员，华虹集团董事、监事和高级管理人员如下：

序号关联（连）方名称关联（连）关系

华虹半导体董事会主席，华虹国际董事会主席、高级

1张素心

管理人员，华虹集团董事长华虹半导体董事，华虹国际董事，华虹集团董事、高

2王靖

级管理人员

3朱伟强华虹集团董事

4周磊华虹集团董事

5李军华虹集团董事

1-1-242华虹半导体有限公司招股说明书

序号关联（连）方名称关联（连）关系

6李向农华虹集团董事

7张国铭华虹集团董事

8赵蓉华虹集团董事

9姜海涛华虹集团董事

10李一萌华虹集团监事

11陈一敏华虹集团监事

12郭丽娟华虹集团监事

13任志宏华虹集团监事

14陈剑波华虹国际董事，华虹集团高级管理人员

15徐任重华虹集团高级管理人员

（七）关联（连）自然人直接或者间接控制的，或者担任董事、高级管理人员（独立董事除外）的其他企业

截至本招股说明书签署日，发行人董事、高级管理人员担任董事、高级管理人员（独立董事除外）的其他企业详见本招股说明书之“第四节发行人基本情况”之“九、发行人董事、高级管理人员及核心技术人员情况”之“（二）董事、高级管理人员及核心技术人员的兼职情况”。

发行人董事、高级管理人员关系密切的家庭成员直接或间接控制的企业或其

担任董事、高级管理人员的法人或其他组织为发行人关联（连）方。

发行人控股股东董事、监事和高级管理人员（独立董事除外）担任董事、高

级管理人员的法人或其他组织为发行人关联（连）方。

关联（连）自然人直接或者间接控制的，或者担任董事、高级管理人员（独立董事除外）的除上述企业外的其他与公司存在关联（连）交易企业如下：

序号关联（连）方名称关联（连）关系

1上海银行股份有限公司公司董事担任其非执行董事

2上海矽睿科技股份有限公司公司董事担任其董事长

3芯原微电子（上海）股份有限公司公司董事担任其董事

4华海清科股份有限公司华虹集团董事担任其董事兼总经理

1-1-243华虹半导体有限公司招股说明书

（八）报告期内曾经的关联（连）方

报告期内，与公司发生交易或形成往来款余额的曾经存在的关联（连）方如下表所示：

序号关联（连）方名称关联（连）关系

1 NEC Management Partner，Ltd. 原直接持股 5%以上股东 NEC 的子公司

2公司一公司董事报告期内曾担任其董事

3北京北方华创微电子装备有限公司华虹集团董事报告期内曾担任其董事

4上海新微技术研发中心有限公司上海联和控制的企业

5上海南洋万邦软件技术有限公司仪电集团控制的企业

6上海南洋软件系统集成有限公司仪电集团控制的企业

7上海仪电智能电子有限公司仪电集团控制的企业

8上海华鑫物业管理顾问有限公司仪电集团控制的企业

国家集成电路产业投资基金二期股份有

9华虹集团原董事报告期内曾担任其董事

限公司

（九）根据《联交所上市规则》所界定的关连方

根据《联交所上市规则》所界定的关连方亦属于发行人的关联（连）方。

十、关联（连）交易情况

根据《上市规则》规定关连交易必须按照一般商务条款或更佳条款进行，并事先在上市发行人的股东大会上取得独立股东批准。若所有百分比率（盈利比率除外）均符合下列其中一个水平界线规定，交易将可获得豁免遵守有关通函（包括独立财务意见）及独立股东批准的规定：(a) 低于 5%；或(b) 低于 25%，而总代价（如属财务资助，财务资助的总额连同付予关连人士或共同持有实体的任何金钱利益）亦低于1000万港元。

根据公司《关连（联）交易管理制度》规定，公司对关联人提供的担保需经公司股东大会审议批准；公司与关联人发生的交易金额(提供担保除外)占公司最

近一期经审计总资产或市值1%以上的交易，且超过3000万元人民币，应当提供评估报告或审计报告，并提交股东大会审议。

公司将上述需股东大会批准的关联（连）交易定为重大关联（连）交易。报告期内，发行人及其子公司上海华虹宏力、华虹无锡与大基金、国家集成电路产

1-1-244华虹半导体有限公司招股说明书

业投资基金二期股份有限公司及无锡锡虹联芯投资有限公司签订增资协议，共同增资华虹无锡构成重大关联（连）交易。

报告期内，公司一般关联（连）交易情况汇总如下：

单位：万元项目2022年2021年2020年采购商品/接受服务20361.7130340.6139290.97

销售商品/提供服务15046.5316854.6214144.61关联（连）租赁（出租）9580.869354.709005.26

经常性关联关联（连）租赁（承租）2226.721866.101917.75

（连）交易关联（连）方银行贷款23630.8918655.30-

代收代付水电物业费等22186.8019850.4318394.65关联（连）方利息费用582.0520.69-26.98

关键管理人员薪酬1996.532608.542073.15

偶发性关联购买无形资产19899.15405.4912741.63

（连）交易共同投资-9600.00-关联（连）往应收项目12345.127891.946170.81

来款项应付项目39020.6135986.3021135.84

（一）经常性关联（连）交易

1、向关联（连）方采购商品及接受服务

报告期内，公司向关联（连）方采购商品、接受服务情况如下：

单位：万元关联（连）关联（连）方2022年度2021年度2020年度交易内容

上海华虹虹日电子有限公司购买商品12397.3911804.8910568.79

华海清科股份有限公司购买商品6884.079566.155550.26

公司一购买商品74.092405.511253.12北京北方华创微电子装备有限公

购买商品--14743.26司

NEC Management Partner，Ltd. 购买商品 388.46 1428.41 947.30上海华虹挚芯电子科技有限公司购买商品556.00444.30362.45

华力集购买商品47.68331.070.44上海华虹计通智能系统股份有限

购买商品14.01161.20194.52公司

华力微购买商品-3.841263.16

1-1-245华虹半导体有限公司招股说明书关联（连）关联（连）方2022年度2021年度2020年度交易内容

上海集成购买商品--1411.74

上海仪电智能电子有限公司接受劳务-3381.762718.30

上海南洋万邦软件技术有限公司接受劳务-28.26254.72

上海南洋软件系统集成有限公司接受劳务-15.0422.91

上海华鑫物业管理顾问有限公司接受劳务-770.18-关联（连）采购合计20361.7130340.6139290.97

占营业成本比例1.89%3.97%7.15%

2、向关联（连）方销售商品及提供服务

报告期内，公司向关联（连）方销售商品、提供服务情况如下：

单位：万元关联（连）交关联（连）方2022年度2021年度2020年度易内容

上海集成销售商品2979.615657.976146.58上海华虹挚芯电子科技有限

销售商品6592.934150.622130.80公司

上海矽睿科技股份有限公司销售商品2757.913930.003290.56

上海华虹虹日电子有限公司销售商品2248.912205.321418.02上海新微技术研发中心有限

销售商品226.08788.821007.44公司

芯原微电子（上海）股份有限

销售商品241.09121.89123.55公司

华力集提供劳务--27.66关联（连）销售合计15046.5316854.6214144.61

占营业收入比例0.90%1.59%2.10%

3、关联（连）方租赁

（1）本公司作为出租方

单位：万元关联（连）交关联（连）方2022年度2021年度2020年度易内容

华力微房屋租赁9580.869354.709005.26

合计9580.869354.709005.26

（2）本公司作为承租方

单位：万元关联（连）方关联（连）交2022年度2021年度2020年度

1-1-246华虹半导体有限公司招股说明书

易内容

华虹科技及其子公司房屋租赁1474.781150.381153.53租赁负债利息

华虹科技及其子公司480.57512.99543.89支出

华虹科技及其子公司物业管理费等271.36202.73220.33

合计2226.721866.101917.75

报告期内，华虹半导体向华虹科技子公司华虹置业租赁房产并签订期限20年的长期租赁合同及短期租赁合同，华虹科技子公司华虹置业及其孙公司华锦物业向发行人提供物业管理等服务。

4、代收代付水电物业费等

单位：万元关联（连）方2022年度2021年度2020年度

华力微22178.7319842.6918386.37

Hua Hong International

8.077.748.28

(Americas)Inc.

合计22186.8019850.4318394.65

报告期内，华力微的代收代付水电物业费等系华力微租赁上海华虹宏力厂房及洁净室等用于生产经营，上海华虹宏力代收代付其在租赁场地内消耗的电费、水费、物业费等费用。

5、关联（连）方银行贷款

单位：万元关联（连）关联（连）方2022年度2021年度2020年度交易内容

上海银行股份有限公司银行借款23630.8918655.30-

6、关联（连）方利息收支

单位：万元关联（连）关联（连）方2022年度2021年度2020年度交易内容

上海银行股份有限公司利息收入-55.15-54.22-26.98

上海银行股份有限公司利息支出637.2074.91-

利息费用合计582.0520.69-26.98

1-1-247华虹半导体有限公司招股说明书

7、关键管理人员薪酬

报告期内，发行人向关键管理人员（含董事、高级管理人员）支付薪酬，关联（连）交易金额（包括工资、奖金及股权激励费用）分别为2073.15万元、2608.54

万元和1996.53万元。

（二）偶发性关联（连）交易

1、向关联（连）方购买无形资产

单位：万元关联（连）方2022年度2021年度2020年度

华力微--11853.57

上海集成--888.06

上海南洋万邦软件技术有限公司-405.49

合计-405.4912741.63

报告期内，发行人向华力微及上海集成采购技术，向上海南洋万邦软件技术有限公司采购软件。

2、与关联（连）方共同投资

2020年11月20日，发行人子公司上海华虹宏力与华虹集团及华力微共同

投资设立华虹投资，华虹集团以现金出资2.88亿元，占注册资本的60%，华力微和上海华虹宏力分别以现金出资9600万元，分别占注册资本的20%。截至2022年12月31日，上海华虹宏力完成出资人民币6720万元。

2022年6月29日，发行人及其子公司上海华虹宏力、华虹无锡与大基金、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司及无锡锡虹联芯投资有限公司签订增资协议。华虹无锡注册资本由180000.00万美元增加至253685.18万美元，其中，发行人出资17777.76万美元等值人民币认购华虹无锡16374.47万美元新增注册资本，上海华虹宏力出资23022.24万美元等值人民币认购华虹无锡有限公司21204.97万美元新增注册资本，无锡锡虹联芯投资有限公司出资16000.00万美元等值人民币认购华虹无锡14737.04万美元新增注册资本，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司出资23200.00万美元等值人民币认购华虹无锡

21368.70万美元新增注册资本。截至2022年12月31日，上述投资方均已完成增资。

1-1-248华虹半导体有限公司招股说明书

（三）关联（连）方往来余额

报告期内，关联（连）交易形成的应收应付款项情况如下：

1、应收项目

单位：万元

2022年2021年2020年

项目关联（连）方

12月31日12月31日12月31日

存放关联（连）上海银行股份有限公司3136.963080.953083.47

方的货币资金合计3136.963080.953083.47上海矽睿科技股份有限

5.19401.97251.98

公司上海华虹挚芯电子科技

1006.82245.86316.72

有限公司

应收账款上海集成384.9991.91764.26

芯原微电子（上海）股

51.69--

份有限公司

合计1448.69739.741332.96

华力微7657.864052.081717.66上海华虹挚芯电子科技

6.0013.032.55

有限公司

其他应收款上海矽睿科技股份有限95.615.3717.40公司

上海集成0.010.76-

合计7759.484071.241737.61上海华虹计通智能系统

其他非流动资--16.77股份有限公司产

合计--16.77

总计12345.127891.946170.81

2、应付项目

单位：万元

2022年2021年2020年

项目关联（连）方

12月31日12月31日12月31日

上海华虹虹日电子有限

1399.88965.221932.74

公司上海仪电智能电子有限

--644.79公司

应付账款 NEC Management - 433.83 226.31

Partner，Ltd.上海华虹挚芯电子科技

16.78122.72121.52

有限公司

华海清科股份有限公司123.3857.3831.65

1-1-249华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

项目关联（连）方

12月31日12月31日12月31日

华力集51.6339.62-

华虹科技及其子公司199.0218.6210.38上海华虹计通智能系统

19.1712.4814.98

股份有限公司上海南洋软件系统集成

--3.03有限公司

华力微-1.2866.87

上海集成电路研发中心--0.52

合计1809.851651.163052.78

华海清科股份有限公司560.00736.00540.00上海南洋万邦软件技术

--122.42有限公司

公司一-240.00460.00

NEC Management

其他应付款-38.2412.14

Partner，Ltd.上海华虹计通智能系统

-7.803.89股份有限公司

华力微--1115.76

合计560.001022.042254.21

华力微2118.732299.352488.35预收款项

合计2118.732299.352488.35上海华虹虹日电子有限

371.49835.551013.05

公司

上海集成46.75264.04269.78上海新微技术研发中心

81.61206.78367.30

有限公司合同负债上海华虹挚芯电子科技

113.1263.0339.77

有限公司上海矽睿科技股份有限

-6.926.92公司

合计612.961376.321696.82

华虹科技及其子公司727.96693.96661.54一年内到期的

上海银行股份有限公司1991.88153.02-非流动负债

合计2719.84846.98661.54

上海银行股份有限公司21639.0118502.28-长期借款

合计21639.0118502.28-

华虹科技及其子公司9560.2110288.1710982.13租赁负债

合计9560.2110288.1710982.13

1-1-250华虹半导体有限公司招股说明书

2022年2021年2020年

项目关联（连）方

12月31日12月31日12月31日

总计39020.6135986.3021135.84

（四）关联（连）交易对公司财务状况和经营成果的影响

报告期内，公司生产经营上不存在依赖关联（连）方的情形。公司主要关联（连）交易事项均按照市场原则定价，价格合理，不存在损害公司及其他非关联（连）股东利益的情况。公司报告期内发生的关联（连）交易对公司的财务状况和经营成果无重大影响。

（五）关联（连）交易制度安排及决策程序

公司已在《关连（联）交易管理制度》中明确了关联（连）交易的决策权限

和程序等相关内容。报告期内，公司关联（连）交易均按照《公司章程》《联交所上市规则》等有关规定履行了程序，交易条件公平、合理，定价政策、定价依据及交易价格以市场价格为基础，合理、公允，不影响公司的独立性，不存在重大违反《联交所上市规则》的情形，也不存在损害公司及股东特别是非关联（连）股东利益的情形。

（六）公司规范和减少关联（连）交易的措施

为避免控股股东可能在关联（连）交易中损害公司或其他非关联股东利益，公司将进一步采取以下措施，以规范和减少关联（连）交易：

（1）严格按照上市地相关法规要求履行法定关联（连）交易审批程序，并

严格执行关联（连）交易回避制度；

（2）保证独立非执行董事依法行使职权，确保关联（连）交易价格的公允

性和批准程序的合规性，最大程度保护其他股东利益；

（3）严格按照《关连（联）交易管理制度》的规定，履行关联（连）交易

决策程序，及时进行信息披露，保证不通过关联（连）交易损害公司及其他股东的合法权益。

（4）为减少并规范公司与关联方之间未来可能产生的关联交易，公司直接

控股股东华虹国际、间接控股股东华虹集团就减少并规范关联交易事项出具了

1-1-251华虹半导体有限公司招股说明书

《关于规范和减少关联交易的承诺函》，具体承诺内容详见本招股说明书附录之“附表七：承诺事项”之“(九)关于规范和减少关联交易的承诺函”。

1-1-252华虹半导体有限公司招股说明书

第九节投资者保护

一、本次发行前滚存利润分配安排2022年6月27日，公司召开股东特别大会，审议通过了《有关人民币股份发行前滚存利润分配的计划的决议案》，于本次发行完成前，本公司可根据《公司章程》及相关内部控制规则进行利润分配；于本次发行完成后，本公司于本次发行前滚存的未分配利润将由全体股东按照各自持股比例共同享有。未分配利润为负数表示存在未弥补亏损，因此本次发行前累计未弥补亏损将由全体新老股东按照各自持股比例共同承担。

二、公司本次发行后的股利分配政策、决策程序及监督机制

（一）本次发行后的股利分配政策、决策程序及监督机制

根据经本公司股东大会审议通过的公司首次公开发行 A 股股票并上市后适用的《组织章程细则》以及《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》，本公司本次发行后实施的股利分配政策如下：

1、股东分红回报规划的原则

公司实行持续、稳定的利润分配政策，公司的利润分配应重视投资者的合理投资回报，兼顾公司的可持续发展，公司董事会和股东大会对利润分配政策的决策和论证过程应当充分考虑独立非执行董事和公众投资者的意见。

2、股东分红回报规划的具体方案

（1）公司的利润分配形式

公司可以采取现金、股票、现金与股票相结合或法律、法规及规范性文件允

许的其他方式分配利润。具备现金分红条件的，应当优先采用现金分红的利润分配方式。

（2）公司现金分红的条件

在符合现金分红的条件下，公司应当采取现金分红的方式进行利润分配。符合现金分红的条件为：

1-1-253华虹半导体有限公司招股说明书

*公司累计未分配利润为正、当年度实现盈利且该年度实现的可分配利润为正，现金分红后公司现金流仍可以满足公司持续经营和长期发展的需要；

*审计机构对公司的该年度财务报告出具标准无保留意见的审计报告；

*公司未来十二个月内无重大对外投资计划或重大现金支出（本次发行的募集资金投资项目除外）；

*满足法律、法规及规范性文件规定的其他现金分红条件。

（3）公司现金形式分红的比例与时间间隔

在满足现金分红条件的前提下，公司原则上每年进行一次现金分红，公司每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的可分配利润的10%，且公司最近三年以现金方式累计分配的利润不少于最近三年实现的年均可分配利润的30%。

公司董事会应当综合考虑所处行业特点、发展阶段、自身经营模式、盈利水

平以及是否有重大资金支出安排等因素，在满足现金分红条件的前提下，区分下列情形，并按照公司章程规定的程序，提出差异化的现金分红政策：

*当公司发展阶段属成熟期且无重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到80%；

*当公司发展阶段属成熟期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到40%；

*当公司发展阶段属成长期且有重大资金支出安排的，进行利润分配时，现金分红在本次利润分配中所占比例最低应达到20%；

当公司发展阶段不易区分但有重大资金支出安排的，可以按照前项规定处理。

现金分红在本次利润分配中所占比例为现金股利除以现金股利与股票股利之和。

（4）发放股票股利的条件

若公司经营情况良好，并且董事会认为公司股票价格与公司股本规模不匹配、每股净资产偏高、发放股票股利有利于公司全体股东整体利益时，可以提出实施

1-1-254华虹半导体有限公司招股说明书

股票股利分配预案。采用股票股利进行股利分配的，应当考虑公司成长性、每股净资产的摊薄等真实合理因素。

（5）利润分配的决策程序和机制

公司董事会在制定利润分配方案时，应当认真研究和论证现金分红的时机、条件和最低比例、调整的条件及其决策程序要求等事项，独立非执行董事应当发表明确意见。股东大会对利润分配方案进行审议前，公司应当通过多种渠道主动与股东（尤其是中小股东）进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见。

（6）公司利润分配政策调整的决策机制和程序

公司认为确有必要对利润分配政策进行调整或者变更的，应当将修订后的利润分配政策提交股东大会审议。

公司在特殊情况下无法按照既定的现金分红政策或最低现金分红比例确定

当年利润分配方案的，应当按照中国证券监督管理委员会、上海证券交易所的相关规定执行。

3、股东分红回报规划的生效机制

股东分红回报规划经公司股东特别大会审议通过，自公司首次公开发行人民币普通股股票并在上海证券交易所科创板上市之日起生效并实施。

（二）公司本次发行前后的股利分配政策差异情况

本次发行前，公司根据《证券法》《中国证券监督管理委员会关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》《上市公司监管指引第3号-上市公司现金分红（2022年修订）》《科创板上市规则》等法律、法规及规范性文件的规定，配合适用《公司条例》及香港联交所的有关规定，结合《公司章程》及公司实际情况，公司制定《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》。

根据该计划，公司进一步完善了本次发行后的股利分配政策，对利润分配原则及分配形式、公司现金分红的具体条件、现金形式分红的比例与时间间隔、发

放股票股利的条件、利润分配的决策程序和机制等事项进行了明确规定。

1-1-255华虹半导体有限公司招股说明书

（三）发行人重要子公司分红政策

华虹半导体境内主要运营子公司为上海华虹宏力、华虹无锡，上海华虹宏力、华虹无锡公司章程中关于分红政策的规定如下：

序号公司名称《公司章程》中的分红政策

公司依照中国税法规定缴纳所得税后的利润，应当提取储备基金和职工奖励及福利基金，职工奖励及福利基金的提取比例和使用由董事会决上海华虹

1定。公司净利润提取上述三项基金后为可供分配利润，由投资者按投资

宏力比例或有关协议分配。公司以往会计年度亏损未弥补前不得分配使用利润。

公司依照中国税法规定缴纳所得税后的利润，应当提取利润的百分之十列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的百分之五十以上的，可以不再提取。公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏

2华虹无锡损的，在依照前款规定提取法定公积金之前应当先用当年利润弥补亏损。公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，由股东决定分配。公司以往会计年度亏损未弥补前不得分配使用利润。

三、特别表决权股份、协议控制的特殊安排

《公司章程》和《组织章程细则》未针对特定股东设置特别表决权股份，公司股东亦不存在协议控制的特殊安排情况。

1-1-256华虹半导体有限公司招股说明书

第十节其他重要事项

一、重大合同

本部分所列示的重大合同，是指对公司报告期内经营活动、财务状况或未来发展等具有重要影响的已履行或正在履行的合同。报告期内，公司签署的重大合同主要涉及正常生产经营活动，不存在重大不利或潜在风险和纠纷情况。

（一）重大销售合同

截至2022年12月31日，发行人及其控股子公司与报告期累计前五大客户正在履行的销售框架协议或金额最大的订单如下：

截至2022年销售产品及合同/订单合同期限或订单签序号客户名称12月31日服务金额订日期履行情况

初始有效期3年，无锡新洁能股份

1晶圆制造框架协议除约定情形外，到正在履行

有限公司期后自动延期1年初始有效期5年，格科微电子（上

2晶圆制造框架协议除约定情形外，到正在履行

海）有限公司期后自动延期5年

7762.32

3客户三晶圆制造2022年6月2日正在履行

万元

初始有效期3年，

4客户五晶圆制造框架协议除约定情形外，到正在履行

期后自动延期1年初始有效期2年，

5公司二晶圆制造框架协议除约定情形外，到正在履行

期后自动延期1年初始有效期3年，苏州东微半导体

6晶圆制造框架协议除约定情形外，到正在履行

股份有限公司期后自动延期1年注：相关合同由按最终控制方合并计算的客户合并范围内的公司签署。

（二）重大原材料采购合同

截至2022年12月31日，发行人及其控股子公司与报告期累计前五大原材料供应商正在履行或履行完毕的金额最大的订单如下：

截至2022年12序号供应商名称合同标的合同/订单金额月31日履行情况

1供应商一硅片1421.40万美元正在履行

2供应商二硅片3339万美元正在履行

1-1-257华虹半导体有限公司招股说明书

3供应商三硅片190.19万美元正在履行

4供应商四硅片695.40万美元正在履行

5供应商五备件847.45万美元正在履行

（三）重大设备采购合同

截至2022年12月31日，发行人及其控股子公司与报告期内主要设备供应商正在履行的采购框架协议或金额最大的订单如下：

截至2022年序号供应商名称采购内容合同金额合同期限12月31日履行情况

初始有效期3年，除

1供应商五生产设备框架协议约定情形外，到期后正在履行

自动延期1年初始有效期3年，除

2供应商七生产设备框架协议约定情形外，到期后正在履行

自动延期1年初始有效期3年，除

3供应商八生产设备框架协议约定情形外，到期后正在履行

自动延期1年

6624.67万2022年2月8日签

4供应商九生产设备正在履行

欧元署

初始有效期5年，除

5供应商十量测设备框架协议约定情形外，到期后正在履行

自动延期1年

（四）重大借款合同

截至2022年12月31日，公司正在履行的50000万元及以上的银行授信和借款合同情况如下：

借款期限/贷款序号合同名称借款方贷款方合同金额额度有效期自首次提款日美元

国家开发银行上海市分行、中起至96个月届

122000000上海华虹12200万

1国建设银行股份有限公司上满之日

元银团贷款宏力美元海张江分行（2021/9/30-202合同

9/9/29）

国家开发银行江苏省分行、中国建设银行股份有限公司无

锡分行、中国农业银行股份有

限公司无锡分行、中国银行股

银团贷款合1500002020/12/28-2030

2华虹无锡份有限公司无锡分行、中信银

同万美元/12/27

行股份有限公司无锡分行、上海银行股份有限公司无锡分

行、招商银行股份有限公司无锡分行

1-1-258华虹半导体有限公司招股说明书

借款期限/贷款序号合同名称借款方贷款方合同金额额度有效期

固定资产借招商银行股份有限公司无锡14.00亿2022/1/21-2027/

3无锡置业

款合同分行元人民币1/20自该合同约定建设项目外

20000万的第一笔贷款

4汇资金短期华虹无锡国家开发银行江苏省分行

美元提款日起12个贷款合同月期满之日止自首次提款日外汇中长期起至本合同约

13500万

5项目贷款合华虹无锡国家开发银行江苏省分行定的最后一笔

美元同贷款的最后一个还本日止

二、公司对外担保情况

截至2022年12月31日，公司不存在为发行人及其控股子公司之外的第三方提供担保的情形。

三、重大诉讼或仲裁事项

（一）发行人或控股子公司的重大诉讼或仲裁事项

截至本招股说明书签署日，发行人及其控股子公司不存在作为一方当事人对公司财务状况、经营成果、声誉、业务活动、未来前景等可能产生重大不利影响的诉讼或仲裁事项。

（二）控股股东、董事、高级管理人员及核心技术人员的刑事诉讼、重大诉讼或仲裁事项

截至本招股说明书签署日，发行人控股股东以及发行人董事、高级管理人员与核心技术人员均不存在作为一方当事人的刑事诉讼、重大诉讼或仲裁事项，亦不存在尚未了结或可能面临的重大诉讼。

（三）发行人董事、高级管理人员和核心技术人员最近三年涉及行政处罚、被司法机关立案侦查、被中国证监会立案调查情况

截至本招股说明书签署日，发行人董事、高级管理人员和核心技术人员最近三年不存在涉及行政处罚、被司法机关立案侦查或被中国证监会立案调查的情况。

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第十一节声明

一、发行人全体董事、高级管理人员声明

本公司及全体董事、高级管理人员承诺本招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。

全体董事签字：

张素心唐均君孙国栋王靖叶峻张祖同王桂壎叶龙蜚

除董事以外的全体高级管理人员签字：

Daniel Yu-Cheng周卫平倪立华

Wang（王鼎）

Weiran Kong（孔蔚然）华虹半导体有限公司年月日

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1-1-261华虹半导体有限公司招股说明书

1-1-262华虹半导体有限公司招股说明书

1-1-263华虹半导体有限公司招股说明书

二、发行人控股股东、实际控制人声明

本公司承诺本招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。

SHANGHAI HUA HONG INTERNATIONAL INC（. 上海华虹国际公司）（公章）

董事会主席：

张素心年月日

1-1-264华虹半导体有限公司招股说明书

二、发行人控股股东、实际控制人声明

本公司承诺本招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，按照诚信原则履行承诺，并承担相应的法律责任。

上海华虹（集团）有限公司（公章）

法定代表人：

张素心年月日

1-1-265华虹半导体有限公司招股说明书

三、保荐人（主承销商）声明

本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

项目协办人：

陈是来

保荐代表人：

寻国良李淳

法定代表人/董事长：

贺青国泰君安证券股份有限公司年月日

1-1-266华虹半导体有限公司招股说明书

三、保荐人（主承销商）声明

本人已认真阅读本招股说明书的全部内容，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

总经理（总裁）：

王松

董事长：

贺青国泰君安证券股份有限公司年月日

1-1-267华虹半导体有限公司招股说明书

三、保荐人（主承销商）声明（一）

本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

项目协办人签名：

朱威

保荐代表人签名：

邬凯丞刘勃延

法定代表人签名：

周杰海通证券股份有限公司年月日

1-1-268华虹半导体有限公司招股说明书

三、保荐人（主承销商）声明（二）

本人已认真阅读华虹半导体有限公司招股说明书的全部内容，确认招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对招股说明书真实性、准确性、完整性、及时性承担相应法律责任。

总经理签名：

李军

董事长签名：

周杰海通证券股份有限公司年月日

1-1-269华虹半导体有限公司招股说明书

四、发行人律师声明本所及经办律师已阅读华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A股）股票并在科创板上市招股说明书（以下简称“招股说明书”），确认招股说明书与本所出具的法律意见书无矛盾之处。本所及经办律师对发行人在招股说明书中引用的法律意见书的内容无异议，确认招股说明书不致因上述内容而出现虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

经办律师：

李仲英张征轶郭珣夏青

律师事务所负责人：

韩炯上海市通力律师事务所年月日

1-1-270华虹半导体有限公司招股说明书

五、会计师事务所声明

1-1-271华虹半导体有限公司招股说明书

六、联席主承销商声明

本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

法定代表人签名：

张佑君中信证券股份有限公司年月日

1-1-272华虹半导体有限公司招股说明书

六、联席主承销商声明

本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

法定代表人签名：

沈如军中国国际金融股份有限公司年月日

1-1-273华虹半导体有限公司招股说明书

六、联席主承销商声明

本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

法定代表人签名：

崔洪军东方证券承销保荐有限公司年月日

1-1-274华虹半导体有限公司招股说明书

六、联席主承销商声明

本公司已对招股说明书进行核查，确认招股说明书的内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。

法定代表人签名：

孙孝坤国开证券股份有限公司年月日

1-1-275华虹半导体有限公司招股说明书

第十二节附件

（一）发行保荐书；

（二）上市保荐书；

（三）法律意见书；

（四）财务报表及审计报告；

（五）公司章程；

（六）落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投票机制建立情况；

（七）与投资者保护相关的承诺；

（八）发行人及其他责任主体作出的与发行人本次发行上市相关的承诺事项；

（九）内部控制鉴证报告；

（十）经注册会计师鉴证的非经常性损益明细表；

（十一）股东大会、董事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全及运行情况说明；

（十二）审核委员会及其他专门委员会的设置情况说明；

（十三）募集资金具体运用情况；

（十四）子公司、参股公司简要情况；

（十五）其他与本次发行有关的重要文件。

1-1-276华虹半导体有限公司招股说明书

附录

附表一：房屋建筑物情况建筑面积所有权限序号所有权人权证编号位置用途（m2） 制情况

上海华虹沪房地浦字（2015）第

1郭守敬路668号56004.80厂房否

宏力010982号

上海华虹沪（2021）浦字不动产权

2郭守敬路818号198837.30厂房否

宏力第132930号川桥路1188号

上海华虹沪（2020）浦字不动产权

31-3，5-11，13-1593345.32厂房是

宏力第074885号幢

苏（2020）无锡市不动产新洲路28，30，工业、交

4华虹无锡219880.97是

权第0178538号锡兴路27，29通、仓储

附表二：租赁房产情况

序号 承租方 出租方 租赁地址 租赁面积（m2） 租赁期限 用途金桥出口加工

上海华住友仓储（中国）2022年6月15日至

1区王桥路6005000.00仓库

虹宏力有限公司2024年6月14日号仓库

上海华住友仓储（中国）申东路251弄42022年6月15日至

23700.00仓库

虹宏力有限公司号仓库2024年6月14日上海金山区浦上海华上海北芳储运集2022年6月1日至

3卫公路10481500.00仓库

虹宏力团有限公司2024年5月31日号香港中环夏慤申联国际投资

道12号美国银360.00平方英2021年1月1日至

4发行人（香港）有限公办公

行中心22楼尺2023年12月31日司

2212室

自2013年6月3日至

2015年6月2日为止。

横浜市港北区

HHGrace 但在合同期满前 6 个

5有限会社枫商事新横滨二丁目518.77坪办公

Japan 月无拒绝更新的意思番地10表示时，此后自动延长2年自2014年12月1日至2016年11月30日东京都港区虎

HHGrace 富山电气大厦株 为止。在合同期满前

6之门一丁目219.99坪办公

Japan 式会社 6 个月无不延长的意番20号

思表示时，此后自动延长2年

530 Alder

HHGrace WH Silicon 5770 平方英 2018 年 7 月 1 日至

7 Drive， 办公

USA Valley VI LP 尺 2023 年 6 月 30 日

MilpitasCA上海市浦东新上海华区锦绣东路自交付日（2014年1员工翻

8华虹置业17412.87虹宏力2777弄华虹创月1日）起20年班宿舍新园上海市浦东新上海华区锦绣东路2023年1月1日至员工翻

9华虹置业7726.32

虹宏力2777弄华虹创2025年12月31日班宿舍新园

注：附表二为发行人及其子公司的经营性主要租赁房产。

1-1-277华虹半导体有限公司招股说明书

附表三：土地使用权情况宗地面积取得方权利终止序号所有权人权证编号位置用途

（㎡）式日期沪房地浦字上海华虹郭守敬路6682051年9工业用

1（2015）第83186.00出让

宏力号月4日地

010982号

沪（2021）浦字上海华虹郭守敬路8182051年3高科技

2不动产权第240888.00出让

宏力号月8日用地

132930号

沪（2020）浦字川桥路1188上海华虹2046年6工业用

3不动产权第号1-3，5-11，93756.00出让

宏力月17日地

074885号13-15幢苏（2020）无锡新洲路28，

2068年2工业用

4华虹无锡市不动产权第30，锡兴路466456.10出让

月27日地

0178538号27，29

新吴区清源路

苏（2021）无锡居住、与净慧西道交2061年1

5无锡置业市不动产权第34617.80出让办公用

叉口西南侧月6日

0040696号地

（A 地块）新吴区清源路

苏（2021）无锡居住、与净慧西道交2061年1

6无锡置业市不动产权第34883.20出让办公用

叉口西南侧月6日

0040699号地

（B 地块）

1-1-278华虹半导体有限公司招股说明书

附表四：主要专利情况

（一）境内专利情况

截至2022年12月31日，对发行人主营业务有重要影响的境内专利情况如下表所示，其中通过继受方式取得的发明专利均因由合并重组继受自合并前主体而形成。

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式具有双超浅隔离结构的2009年10上海华虹继受

1 发明 绝缘体上硅晶体管及其 ZL200910197884.3 月 29 日起 无

宏力取得制作方法20年

2009年11

一种垂直双扩散 MOS 晶 上海华虹 继受

2 发明 ZL200910198981.4 月 18 日起 无

体管的制备方法宏力取得

20年

2010年3月

VDMOS 晶体管测试结 上海华虹 继受

3 发明 ZL201010133570.X 26 日起 20 无

构宏力取得年

2009年9月上海华虹继受

4 发明 场效应晶体管制造方法 ZL200910195617.2 无

7日起20年宏力取得

2009年12

SONOS 的存储单元及其 上海华虹 继受

5 发明 ZL200910201932.1 月 15 日起 无

操作方法宏力取得

20年

2009年9月

一种浮栅为SONOS结构 上海华虹 继受

6 发明 ZL200910196452.0 25 日起 20 无

的闪存宏力取得年

SONOS 闪存器件采用氧 2009 年 11上海华虹继受

7 发明 化铝作隧穿电介质膜的 ZL200910201852.6 月 24 日起 无

宏力取得制作方法20年

2009年11

上海华虹继受

8 发明 LDMOS 及其制造方法 ZL200910201753.8 月 5 日起 20 无

宏力取得年

2009年11

OTP 器件的单元结构及 上海华虹 继受

9 发明 ZL200910201782.4 月 9 日起 20 无

其制造方法宏力取得年

功率 MOS 晶体管内集成 2009 年 12上海华虹继受

10 发明 肖特基二极管的器件及 ZL200910201907.3 月 8 日起 20 无

宏力取得制造方法年

2010年2月

超结 VDMOS 器件及其 上海华虹 继受

11 发明 ZL201010108871.7 11 日起 20 无

制造方法宏力取得年

2010年3月

上海华虹继受

12 发明 一种存储器的编程方法 ZL201010121436.8 10 日起 20 无

宏力取得年超级结器件的终端保护2010年4月上海华虹继受

13 发明 ZL201010141072.X 无

结构及其制造方法6日起20年宏力取得

2009年10

上海华虹继受

14 发明 一种存储器阵列 ZL200910197806.3 月 28 日起 无

宏力取得

20年

小线宽沟槽 DMOS 的实 2010 年 1 月 上海华虹 继受

15 发明 ZL201010027229.6 无

现方法6日起20年宏力取得

1-1-279华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2009年11

上海华虹继受

16 发明 闪存芯片的测试方法 ZL200910198561.6 月 10 日起 无

宏力取得

20年

2010年1月

SONOS 器件及其制造方 上海华虹 继受

17 发明 ZL201010027280.7 18 日起 20 无

法宏力取得年

2010年1月

上海华虹继受

18 发明 检测晶圆的方法 ZL201010027297.2 18 日起 20 无

宏力取得年

2009年9月

外延片形成方法及使用上海华虹继受

19 发明 ZL200910196119.X 22 日起 20 无

该方法形成的外延片宏力取得年

2010年1月

EEPROM 器件的制作方 上海华虹 继受

20 发明 ZL201010100501.9 25 日起 20 无

法宏力取得年

2009年12

上海华虹继受

21 发明 LDMOS 及其制造方法 ZL200910201890.1 月 3 日起 20 无

宏力取得年

2010年1月

上海华虹继受

22 发明 EEPROM 器件 ZL201010027349.6 21 日起 20 无

宏力取得年

2009年12

沟槽型 MOSFET 结构及 上海华虹 继受

23 发明 ZL200910201943.X 月 15 日起 无

其制备方法宏力取得

20年

2009年12

上海华虹继受

24 发明 SONOS 及其制造方法 ZL200910201933.6 月 15 日起 无

宏力取得

20年

2010年1月

上海华虹继受

25 发明 SONOS 器件 ZL201010027326.5 20 日起 20 无

宏力取得年

用于 NVM 测试中不同

2010年1月上海华虹继受

26 发明 品种参数之间坐标的对 ZL201010027218.8 无

5日起20年宏力取得

应方法

2009年11

一种存储单元读取装置上海华虹继受

27 发明 ZL200910198986.7 月 18 日起 无

及读取方法宏力取得

20年

2009年9月

上海华虹继受

28 发明 一种 ESD 保护装置 ZL200910195956.0 17 日起 20 无

宏力取得年

2009年12

BCD 工艺中的自对准高 上海华虹 继受

29 发明 ZL200910201967.5 月 18 日起 无

压 CMOS 制造工艺方法 宏力 取得

20年

2009年12

EEPROM 器件的制作方 上海华虹 继受

30 发明 ZL200910202026.3 月 24 日起 无

法宏力取得

20年

2010年8月

超级结 LDMOS 器件及 上海华虹 继受

31 发明 ZL201010265250.X 26 日起 20 无

制造方法宏力取得年

2010年8月

超级结半导体器件的制上海华虹继受

32 发明 ZL201010265294.2 26 日起 20 无

作方法宏力取得年

2010年9月

SONOS 工艺中 5 伏 上海华虹 继受

33 发明 ZL201010290313.7 25 日起 20 无

PMOS 器件及制造方法 宏力 取得年

1-1-280华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2011年7月上海华虹继受

34 发明 IGBT 器件的制备方法 ZL201110183356.X 无

1日起20年宏力取得

2011年11

结合超级结穿通型沟槽上海华虹继受

35 发明 ZL201110383157.3 月 25 日起 无

IGBT 器件制造方法 宏力 取得

20年

超级结器件的终端保护2011年7月上海华虹继受

36 发明 ZL201110186069.4 无

结构及制造方法5日起20年宏力取得

2009年12

MTP 器件的单元结构及 上海华虹 继受

37 发明 ZL200910201913.9 月 8 日起 20 无

其操作方法宏力取得年

2009年12

在 CMOS 工艺中集成光 上海华虹 继受

38 发明 ZL200910201940.6 月 15 日起 无

电二极管的方法宏力取得

20年

在SONOS非挥发性存储 2010 年 10上海华虹继受

39 发明 器工艺中嵌入高压器件 ZL201010503967.3 月 12 日起 无

宏力取得的方法20年

2011年1月

隔离型 LDMOS 的制造 上海华虹 继受

40 发明 ZL201110009456.0 17 日起 20 无

方法宏力取得年

2009年9月上海华虹继受

41 发明 一种静电放电保护装置 ZL200910195567.8 无

7日起20年宏力取得

2010年7月

存储器以及制造存储器上海华虹继受

42 发明 ZL201010241550.4 30 日起 20 无

的方法宏力取得年

2010年11

超级结半导体器件及其上海华虹继受

43 发明 ZL201010553535.3 月 22 日起 无

制作方法宏力取得

20年

用于功率金属氧化物晶2010年11上海华虹继受

44 发明 体管芯片的缺陷失效定 ZL201010547545.6 月 17 日起 无

宏力取得位方法20年

2010年9月

超级结半导体器件的终上海华虹继受

45 发明 ZL201010290451.5 25 日起 20 无

端保护结构及制作方法宏力取得年

2010年7月

上海华虹继受

46 发明 DMOS 器件及制造工艺 ZL201010227093.3 15 日起 20 无

宏力取得年

2011年11

RFCMOS 射频相关性噪 上海华虹 继受

47 发明 ZL201110352944.1 月 9 日起 20 无

声的模型宏力取得年

2011年8月

隔离型功率晶体管的制上海华虹继受

48 发明 ZL201110242328.0 23 日起 20 无

造方法宏力取得年

2011年10

提高 SOA 能力的功率器 上海华虹 继受

49 发明 ZL201110310516.2 月 13 日起 无

件结构及其制造方法宏力取得

20年

2011年9月

深亚微米半导体器件的上海华虹继受

50 发明 ZL201110283488.X 22 日起 20 无

工艺集成方法宏力取得年

2011年3月

基于 NMOS 的 OTP 器件 上海华虹 继受

51 发明 ZL201110076611.0 29 日起 20 无

的制造方法宏力取得年超级结器件及其制作方2012年9月上海华虹继受

52 发明 ZL201210325859.0 无

法5日起20年宏力取得

1-1-281华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2011年10

分栅闪存单元及其形成上海华虹继受

53 发明 ZL201110335656.5 月 28 日起 无

方法宏力取得

20年

2010年2月

上海华虹继受

54 发明 CDMESD 保护电路 ZL201010111101.8 10 日起 20 无

宏力取得年

2010年10

上海华虹继受

55 发明 CMOS 图像传感器 ZL201010518422.X 月 25 日起 无

宏力取得

20年

2011年8月上海华虹继受

56 发明 SONOS 器件 ZL201110225676.7 无

8日起20年宏力取得

BiCMOS 工艺中的垂直 2011 年 12上海华虹继受

57 发明 寄生型 PNP 器件及其制 ZL201110412637.8 月 12 日起 无

宏力取得造方法20年

2010年6月

上海华虹继受

58 发明 探针电阻的检测方法 ZL201010198398.6 11 日起 20 无

宏力取得年

2010年10

提高沟槽栅顶角栅氧可上海华虹继受

59 发明 ZL201010518386.7 月 25 日起 无

靠性的方法宏力取得

20年

2011年4月

分栅式存储器制造方法上海华虹继受

60 发明 ZL201110103156.9 25 日起 20 无

以及分栅式存储器宏力取得年

超级结结构、超级结2011年9月上海华虹继受

61 发明 MOS 晶体管及其制造方 ZL201110295521.0 30 日起 20 无

宏力取得法年

2012年5月

上海华虹继受

62 发明 超级结制备工艺方法 ZL201210163767.7 23 日起 20 无

宏力取得年

2011年10

防止晶圆边缘器件良率上海华虹继受

63 发明 ZL201110328154.X 月 25 日起 无

低的方法宏力取得

20年

2011年1月

上海华虹继受

64 发明 RC 振荡器及其实现方法 ZL201110009105.X 17 日起 20 无

宏力取得年

2011年11

一种 5VCMOS 器件结构 上海华虹 继受

65 发明 ZL201110348591.8 月 7 日起 20 无

及其制造方法宏力取得年

2011年12

晶圆级测试结构和测试上海华虹继受

66 发明 ZL201110440591.0 月 23 日起 无

方法宏力取得

20年

2012年3月

逆导型 IGBT 半导体器 上海华虹 继受

67 发明 ZL201210064071.9 12 日起 20 无

件及制造方法宏力取得年

2012年3月

非挥发性存储器的数据上海华虹继受

68 发明 ZL201210073811.5 20 日起 20 无

自动比较测试电路宏力取得年

2012年7月

IGBT 器件及其制作工艺 上海华虹 继受

69 发明 ZL201210262423.1 27 日起 20 无

方法宏力取得年

2011年3月

上海华虹继受

70 发明 闪存及其编程方法 ZL201110061751.0 15 日起 20 无

宏力取得年

1-1-282华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2011年4月

自对准多晶硅化物工艺上海华虹继受

71 发明 ZL201110103325.9 25 日起 20 无

方法及半导体器件宏力取得年

2011年12

上海华虹继受

72 发明 接触孔的形成方法 ZL201110436358.5 月 22 日起 无

宏力取得

20年

2011年4月

上海华虹继受

73 发明 静电保护结构 ZL201110103518.4 25 日起 20 无

宏力取得年

2011年11

上海华虹继受

74 发明 一种 SRAM 的旁路结构 ZL201110385627.X 月 28 日起 无

宏力取得

20年

2010年5月

上海华虹继受

75 发明 探针检测装置及其方法 ZL201010187373.6 28 日起 20 无

宏力取得年

2011年7月

CMOS 图像传感器及其 上海华虹 继受

76 发明 ZL201110213090.9 28 日起 20 无

形成方法宏力取得年

2012年3月

上海华虹继受

77 发明 MEMS 器件的制造方法 ZL201210085879.5 27 日起 20 无

宏力取得年

2011年12

无缺陷选择性外延的生上海华虹继受

78 发明 ZL201110407665.0 月 9 日起 20 无

长方法宏力取得年以具有外延层的衬底制2011年12上海华虹继受

79 发明 造场终止型 IGBT 器件 ZL201110394424.7 月 2 日起 20 无

宏力取得的方法年

2012年3月

非挥发性存储器的擦除上海华虹继受

80 发明 ZL201210082555.6 26 日起 20 无

方法宏力取得年

CMOS 工艺中集成 2012 年 8 月上海华虹继受

81 发明 SONOS 器件和 LDMOS ZL201210306805.X 24 日起 20 无

宏力取得器件的方法年

2012年9月

一种改善硅片翘曲度的上海华虹继受

82 发明 ZL201210378133.3 29 日起 20 无

深沟槽制造方法宏力取得年

2012年11

场截止型绝缘栅双极晶上海华虹继受

83 发明 ZL201210439400.3 月 6 日起 20 无

体管及其制造方法宏力取得年

2011年12

ONO 结构及其制作方 上海华虹 继受

84 发明 ZL201110436603.2 月 22 日起 无

法、存储器及其制作方法宏力取得

20年

2011年5月

一种 SOI 体接触MOS 晶 上海华虹 继受

85 发明 ZL201110135857.0 24 日起 20 无

体管及其形成方法宏力取得年

2011年12

上海华虹继受

86 发明 光刻对准精度检测方法 ZL201110436380.X 月 22 日起 无

宏力取得

20年

微机电系统压力传感器2012年3月上海华虹继受

87 发明 ZL201210061933.2 无

的制作方法9日起20年宏力取得光刻对准参数预测方法2012年5月上海华虹继受

88 发明 ZL201210142948.1 无

以及光刻方法9日起20年宏力取得

SRAM 存储器及其形成 2011 年 7 月 上海华虹 继受

89 发明 ZL201110185892.3 无

方法4日起20年宏力取得

1-1-283华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2012年4月

上海华虹继受

90 发明 锁相环电路 ZL201210133450.9 28 日起 20 无

宏力取得年

2012年7月

集成过流保护的上海华虹继受

91 发明 ZL201210248220.7 18 日起 20 无

MOSFET 及制造方法 宏力 取得年自对准接触孔的小尺寸2012年7月上海华虹继受

92 发明 MOSFET 结构及制作方 ZL201210239999.6 11 日起 20 无

宏力取得法年

2012年8月上海华虹继受

93 发明 TVS 器件及制造方法 ZL201210276113.5 无

3日起20年宏力取得

2012年12

上海华虹继受

94 发明 版图的 DFM 方法 ZL201210552740.7 月 18 日起 无

宏力取得

20年

2012年11

精确控制晶圆减薄厚度上海华虹继受

95 发明 ZL201210468683.4 月 19 日起 无

的方法宏力取得

20年

2011年6月

形成于 SOI 衬底上的静 上海华虹 继受

96 发明 ZL201110159604.7 14 日起 20 无

态随机存取存储器宏力取得年一种晶圆盒清洗装置及2012年5月上海华虹继受

97 发明 ZL201210142935.4 无

其清洗方法9日起20年宏力取得

2011年6月

上海华虹继受

98 发明 MIM 电容器 ZL201110176520.4 28 日起 20 无

宏力取得年

2011年12

一次可编程存储器以及上海华虹继受

99 发明 ZL201110436602.8 月 22 日起 无

制造方法宏力取得

20年

2011年10

一种深沟槽的硅外延填上海华虹继受

100 发明 ZL201110332561.8 月 28 日起 无

充方法宏力取得

20年

2011年11

上海华虹继受

101 发明 平面型超级结制备方法 ZL201110391342.7 月 30 日起 无

宏力取得

20年

2011年11

结合快复管的 IGBT 器 上海华虹 继受

102 发明 ZL201110383511.2 月 25 日起 无

件制造方法宏力取得

20年

2012年11

上海华虹继受

103 发明 MOM 电容 ZL201210488405.5 月 26 日起 无

宏力取得

20年

2012年12

上海华虹继受

104 发明 硅背面的离子注入方法 ZL201210550558.8 月 18 日起 无

宏力取得

20年

2011年9月

上海华虹继受

105 发明 晶圆弯曲度测算方法 ZL201110296332.5 30 日起 20 无

宏力取得年

2014年8月

集成 MEMS 器件及其制 上海华虹 原始

106 发明 ZL201410428773.X 27 日起 20 无

作方法宏力取得年

2014年3月上海华虹原始

107 发明 晶圆自动测试系统 ZL201410083969.X 无

7日起20年宏力取得

2014年7月

半导体晶圆的刷洗装置上海华虹原始

108 发明 ZL201410352938.X 23 日起 20 无

和刷洗方法宏力取得年

1-1-284华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式图像传感器的像素单元2014年3月上海华虹原始

109 发明 ZL201410084191.4 无

及其形成方法7日起20年宏力取得利用红外光谱检测键合

2014年1月上海华虹原始

110 发明 晶圆之间的气密性的方 ZL201410010304.6 无

9日起20年宏力取得

法

2014年3月上海华虹原始

111 发明 闪存的数据修复方法 ZL201410083702.0 无

7日起20年宏力取得

2014年1月上海华虹原始

112 发明 SOI 结构及其制作方法 ZL201410006921.9 无

7日起20年宏力取得

2014年3月上海华虹原始

113 发明 闪存的形成方法 ZL201410078727.1 无

5日起20年宏力取得

EEPROM 结构、存储阵

2014年3月上海华虹原始

114 发明 列及其编程、擦除和读取 ZL201410083736.X 无

7日起20年宏力取得

方法

2014年7月

存储器单元阵列及其形上海华虹原始

115 发明 ZL201410353747.5 23 日起 20 无

成方法和驱动方法宏力取得年

2014年3月

上海华虹原始

116 发明 比特失效检测方法 ZL201410098678.8 17 日起 20 无

宏力取得年

2014年11

沟槽栅半导体器件的制上海华虹原始

117 发明 ZL201410663729.7 月 19 日起 无

造方法宏力取得

20年

2014年8月

闪存存储单元及其形成上海华虹原始

118 发明 ZL201410425321.6 26 日起 20 无

方法宏力取得年

2014年3月

沟槽功率器件及其制作上海华虹原始

119 发明 ZL201410098298.4 17 日起 20 无

方法宏力取得年

2014年7月

上海华虹原始

120 发明 负压电荷泵反馈电路 ZL201410342481.4 18 日起 20 无

宏力取得年

2014年11

上海华虹原始

121 发明 RC 振荡器 ZL201410667550.9 月 20 日起 无

宏力取得

20年

2015年6月上海华虹原始

122 发明 颗粒物缺陷的监控方法 ZL201510309136.5 无

7日起20年宏力取得

2015年8月

上海华虹原始

123 发明 化学机械研磨方法 ZL201510491035.4 11 日起 20 无

宏力取得年

2014年7月

太鼓减薄工艺的去环方上海华虹原始

124 发明 ZL201410363960.4 29 日起 20 无

法宏力取得年

2014年9月

上海华虹原始

125 发明 IGBT 器件的栅极结构 ZL201410490036.2 23 日起 20 无

宏力取得年

2014年12

包含中压 SGT 结构的 上海华虹 原始

126 发明 ZL201410842303.8 月 29 日起 无

MOSFET 及其制作方法 宏力 取得

20年

2014年12

射频 LDMOS 器件的制 上海华虹 原始

127 发明 ZL201410837468.6 月 24 日起 无

造方法宏力取得

20年

2014年9月

改善 FLASH 可靠性的方 上海华虹 原始

128 发明 ZL201410520493.1 30 日起 20 无

法宏力取得年

1-1-285华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2014年3月上海华虹原始

129 发明 非易失性存储器系统 ZL201410084253.1 无

7日起20年宏力取得

2014年11

半导体器件及其形成方上海华虹原始

130 发明 ZL201410682247.6 月 24 日起 无

法宏力取得

20年

2015年1月

改善 IGBT 背面金属化 上海华虹 原始

131 发明 ZL201510050448.9 30 日起 20 无

的工艺方法宏力取得年

2014年12

上海华虹原始

132 发明 电压产生电路和存储器 ZL201410855162.3 月 30 日起 无

宏力取得

20年

2014年12

上海华虹原始

133 发明 低噪声放大器 ZL201410857355.2 月 30 日起 无

宏力取得

20年

2015年5月

IGBT 背面金属化退火的 上海华虹 原始

134 发明 ZL201510270323.7 25 日起 20 无

工艺方法宏力取得年

2014年12

闪存产品自对准光刻工上海华虹原始

135 发明 ZL201410844354.4 月 26 日起 无

艺测试方法宏力取得

20年

2014年10

OSC 频率自动校准电路 上海华虹 原始

136 发明 ZL201410527935.5 月 9 日起 20 无

及自动校准方法宏力取得年

2015年2月

ADC 的自适应滤波数字 上海华虹 原始

137 发明 ZL201510067902.1 10 日起 20 无

校准电路和方法宏力取得年

2014年9月

嵌入式闪存的结构及嵌上海华虹原始

138 发明 ZL201410466050.9 12 日起 20 无

入式闪存的制造方法宏力取得年

2014年12

OTP 器件的结构和制作 上海华虹 原始

139 发明 ZL201410842288.7 月 29 日起 无

方法宏力取得

20年

2014年9月

提高电感器 Q 值的方法 上海华虹 原始

140 发明 ZL201410465851.3 12 日起 20 无

以及电感器宏力取得年

2015年6月上海华虹原始

141 发明 一种光刻版图 OPC 方法 ZL201510309042.8 无

7日起20年宏力取得

2014年6月

IGBT 负阻问题的改善方 上海华虹 原始

142 发明 ZL201410307058.0 30 日起 20 无

法宏力取得年

2014年9月

OPC 前期对版图的处理 上海华虹 原始

143 发明 ZL201410466059.X 12 日起 20 无

方法宏力取得年

2013年8月

MEMS 器件及晶圆级密 上海华虹 继受

144 发明 ZL201310386021.7 29 日起 20 无

封性的测量方法宏力取得年

2015年8月

一种降低SONOS存储器 上海华虹 原始

145 发明 ZL201510505846.5 18 日起 20 无

串联电阻的方法宏力取得年

2015年12

太鼓减薄工艺的环切工上海华虹原始

146 发明 ZL201510977067.5 月 22 日起 无

艺方法宏力取得

20年

屏蔽栅-深沟槽 MOSFET 2016 年 1 月上海华虹原始

147 发明 的屏蔽栅氧化层及其形 ZL201610064114.1 29 日起 20 无

宏力取得成方法年

1-1-286华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2016年3月

上海华虹原始

148 发明 晶圆测试方法 ZL201610192125.8 30 日起 20 无

宏力取得年

2017年1月上海华虹原始

149 发明 高压 BCD 器件 ZL201710004113.2 无

4日起20年宏力取得

EEPROM 存储器及其操 2017 年 1 月 上海华虹 原始

150 发明 ZL201710004047.9 无

作方法4日起20年宏力取得

2017年6月

上海华虹原始

151 发明 超级结的沟槽填充方法 ZL201710519255.2 30 日起 20 无

宏力取得年

1.5T耗尽型SONOS非挥 2017 年 8 月

上海华虹原始

152 发明 发性存储器及其制造方 ZL201710768034.9 31 日起 20 无

宏力取得法年

2017年7月

划片槽测试结构及测试上海华虹原始

153 发明 ZL201710600058.3 21 日起 20 无

方法宏力取得年

2017年10

上海华虹原始

154 发明 MTP 器件及其制造方法 ZL201710960907.6 月 17 日起 无

宏力取得

20年

2017年11

上海华虹原始

155 发明 沟槽外延的填充方法 ZL201711075799.0 月 6 日起 20 无

宏力取得年

2018年2月上海华虹原始

156 发明 CMP 研磨方法 ZL201810112566.1 无

5日起20年宏力取得

2018年9月

上海华虹原始

157 发明 ONO 膜层的制造方法 ZL201811053724.7 11 日起 20 无

宏力取得年

2019年1月

BCD 器件深沟槽隔离方 上海华虹 原始

158 发明 ZL201910061588.4 23 日起 20 无

法宏力取得年

2019年1月

逆导型超结 IGBT 器件 上海华虹 原始

159 发明 ZL201910056493.3 22 日起 20 无

及其制造方法宏力取得年

2015年10

上海华虹原始

160 发明 LDO 电路 ZL201510647956.5 月 9 日起 20 无

宏力取得年

2015年10

上海华虹原始

161 发明 静电保护电路 ZL201510706068.6 月 27 日起 无

宏力取得

20年

2016年1月

SRAM 的 IP 地址建立时 上海华虹 原始

162 发明 ZL201610024754.X 15 日起 20 无

间的测量电路和方法宏力取得年屏蔽栅沟槽功率2017年9月上海华虹原始

163 发明 MOSTET 器件及其制造 ZL201710903865.2 29 日起 20 无

宏力取得方法年

2018年2月上海华虹原始

164 发明 IGBT 器件 ZL201810120416.5 无

7日起20年宏力取得

2018年1月

上海华虹原始

165 发明 超级结器件的工艺方法 ZL201810025084.2 11 日起 20 无

宏力取得年

2017年11

沟槽型超级结及其制造上海华虹原始

166 发明 ZL201711234826.4 月 30 日起 无

方法宏力取得

20年

1-1-287华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2018年6月

沟槽栅超结器件及其制上海华虹原始

167 发明 ZL201810695756.0 29 日起 20 无

造方法宏力取得年

2019年1月

IGBT 复合元胞结构及其 上海华虹 原始

168 发明 ZL201910034227.0 15 日起 20 无

构成的可编程 IGBT 宏力 取得年

2019年1月

用于 OPC 验证的验证图 上海华虹 原始

169 发明 ZL201910098268.6 31 日起 20 无

形的量化分析方法宏力取得年

2019年3月

上海华虹原始

170 发明 SRAM 存储单元 ZL201910211428.3 20 日起 20 无

宏力取得年

2015年12

清洗单元的清洗效率侦上海华虹原始

171 发明 ZL201510971819.7 月 22 日起 无

测方法宏力取得

20年

2016年1月

上海华虹原始

172 发明 半导体器件的形成方法 ZL201610067374.4 29 日起 20 无

宏力取得年

2016年3月上海华虹原始

173 发明 二极管及其形成方法 ZL201610130584.3 无

8日起20年宏力取得

2016年3月

射频开关器件及其形成上海华虹原始

174 发明 ZL201610160489.8 21 日起 20 无

方法宏力取得年

2016年3月

存储器及其干扰检测和上海华虹原始

175 发明 ZL201610177344.9 25 日起 20 无

消除的方法、装置宏力取得年低噪声放大器及射频终2016年5月上海华虹原始

176 发明 ZL201610301970.4 无

端9日起20年宏力取得利用多晶锗硅通孔形成2016年7月上海华虹原始

177 发明 MEMS 晶圆电连接的方 ZL201610596473.1 27 日起 20 无

宏力取得法年改善栅极侧墙形貌的方2016年5月上海华虹原始

178 发明 法及半导体器件制造方 ZL201610307769.7 11 日起 20 无

宏力取得法年

2016年5月

光刻胶去除方法及半导上海华虹原始

179 发明 ZL201610307221.2 11 日起 20 无

体器件制作方法宏力取得年

2016年7月

闪存存储器及其形成方上海华虹原始

180 发明 ZL201610596401.7 27 日起 20 无

法宏力取得年

2016年5月

上海华虹原始

181 发明 闪存器件及其制造方法 ZL201610307728.8 11 日起 20 无

宏力取得年

2016年7月

上海华虹原始

182 发明 闪存器件制造方法 ZL201610596395.5 27 日起 20 无

宏力取得年

2016年7月

分栅式闪存器件制造方上海华虹原始

183 发明 ZL201610596382.8 27 日起 20 无

法宏力取得年

2016年7月

上海华虹原始

184 发明 半导体结构的形成方法 ZL201610599893.5 27 日起 20 无

宏力取得年

2016年7月

SOI 射频开关结构及集 上海华虹 原始

185 发明 ZL201610596479.9 27 日起 20 无

成电路宏力取得年

1-1-288华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2017年5月

存储器系统、存储器阵列上海华虹原始

186 发明 ZL201710340957.4 15 日起 20 无

及其读和编程操作方法宏力取得年

2016年10

CMOS 图像传感器及其 上海华虹 原始

187 发明 ZL201610884650.6 月 10 日起 无

制作方法宏力取得

20年

2016年9月

一种用于光刻版图 OPC 上海华虹 原始

188 发明 ZL201610843995.7 22 日起 20 无

的采样方法及装置宏力取得年

2016年10

嵌入式闪存的多晶硅干上海华虹原始

189 发明 ZL201610885898.4 月 10 日起 无

蚀刻工艺的选择方法宏力取得

20年

2017年2月

防止闪存单元控制栅极上海华虹原始

190 发明 ZL201710079389.7 14 日起 20 无

空洞的工艺制造方法宏力取得年

2017年2月

上海华虹原始

191 发明 半导体器件的刻蚀方法 ZL201710079125.1 14 日起 20 无

宏力取得年

2017年1月上海华虹原始

192 发明 MOS 器件的仿真方法 ZL201710011836.5 无

6日起20年宏力取得

芯片的钝化层及形成芯2017年7月上海华虹原始

193 发明 ZL201710551912.1 无

片的钝化层的方法7日起20年宏力取得

2017年7月上海华虹原始

194 发明 晶圆的平坦化方法 ZL201710552553.1 无

7日起20年宏力取得

闪存单元、闪存单元的编

2017年7月上海华虹原始

195 发明 程方法及闪存单元的擦 ZL201710553098.7 无

7日起20年宏力取得

除方法

2017年12

一种自对准曝光半导体上海华虹原始

196 发明 ZL201711334555.X 月 13 日起 无

结构的制作方法宏力取得

20年

2017年11

一种 EEPROM 及其擦 上海华虹 原始

197 发明 ZL201711120987.0 月 14 日起 无

除、编程和读方法宏力取得

20年

2017年11

一种检测掩膜版与掩膜上海华虹原始

198 发明 ZL201711127716.8 月 15 日起 无

台接触面污染的方法宏力取得

20年

2017年11

探针卡电路及其测试方上海华虹原始

199 发明 ZL201711132890.1 月 15 日起 无

法宏力取得

20年

2018年1月上海华虹原始

200 发明 晶圆键合方法 ZL201810005643.3 无

3日起20年宏力取得

2017年9月

上海华虹原始

201 发明 晶圆的测试方法 ZL201710884250.X 26 日起 20 无

宏力取得年

2019年5月

NORD 存储阵列及其制 上海华虹 原始

202 发明 ZL201910436286.0 23 日起 20 无

造方法、存储器宏力取得年

2019年1月

一种擦除增强型 NORD 上海华虹 原始

203 发明 ZL201910057318.6 22 日起 20 无

闪存及其制备方法宏力取得年

2019年1月

一种嵌入式闪存结构的上海华虹原始

204 发明 ZL201910059072.6 22 日起 20 无

形成方法宏力取得年

1-1-289华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2019年1月

超级结及其制造方法、超上海华虹原始

205 发明 ZL201910060771.2 22 日起 20 无

级结的深沟槽制造方法宏力取得年

EEPROM 结构及其制备 2019 年 9 月 上海华虹 原始

206 发明 ZL201910848806.9 无

方法9日起20年宏力取得

2019年3月

射频开关器件的形成方上海华虹原始

207 发明 ZL201910210572.5 20 日起 20 无

法及射频开关器件宏力取得年

2019年4月

上海华虹原始

208 发明 一种晶圆测试方法 ZL201910318905.6 19 日起 20 无

宏力取得年

2019年4月

分栅式存储器及其制作上海华虹原始

209 发明 ZL201910347413.X 28 日起 20 无

方法宏力取得年

2019年7月

上海华虹原始

210 发明 CMP 研磨方法 ZL201910698610.6 31 日起 20 无

宏力取得年

2008年12

OTP 器件结构及其制备 上海华虹 继受

211 发明 ZL200810044082.4 月 10 日起 无

方法宏力取得

20年

2013年11

功率 MOS 管的结构及其 上海华虹 原始

212 发明 ZL201310613289.X 月 27 日起 无

制造方法宏力取得

20年

2013年10

集成超势垒整流器的上海华虹原始

213 发明 ZL201310509003.3 月 24 日起 无

IGBT 器件及制造方法 宏力 取得

20年

2013年12

提高 IGBT 性能的背面 上海华虹 原始

214 发明 ZL201310684349.7 月 13 日起 无

工艺制作方法宏力取得

20年

2017年9月

上海华虹原始

215 发明 晶圆背面减薄工艺方法 ZL201710847318.7 19 日起 20 无

宏力取得年采用大马士革工艺制备2008年8月上海华虹继受

216 发明 金属栅极中接触孔的方 ZL200810043751.6 29 日起 20 无

宏力取得法年

2008年12

超深沟槽的多级刻蚀与上海华虹继受

217 发明 ZL200810044051.9 月 4 日起 20 无

填充方法宏力取得年

2009年5月

上海华虹继受

218 发明 深沟槽填充方法 ZL200910057251.2 13 日起 20 无

宏力取得年

2019年10

一种 NVM 中的负电荷 上海华虹 原始

219 发明 ZL201911042233.7 月 30 日起 无

泵宏力取得

20年

2019年9月

上海华虹原始

220 发明 温度补偿 POR 电路 ZL201910939800.2 30 日起 20 无

宏力取得年

2019年9月

上海华虹原始

221 发明 低电压射频前端结构 ZL201910939186.X 30 日起 20 无

宏力取得年

2019年9月

上海华虹原始

222 发明 一种闪存及其制备方法 ZL201910919833.0 26 日起 20 无

宏力取得年

1-1-290华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2019年9月

一种半导体器件以及形上海华虹原始

223 发明 ZL201910919825.6 26 日起 20 无

成方法宏力取得年

2020年1月

上海华虹原始

224 发明 一种 ESD 保护电路 ZL202010057738.7 19 日起 20 无

宏力取得年

2019年11

上海华虹原始

225 发明 半导体结构的形成方法 ZL201911131109.8 月 19 日起 无

宏力取得

20年

2019年9月上海华虹原始

226 发明 光刻工艺方法 ZL201910821876.5 无

2日起20年宏力取得

2019年8月

1.5TSONOS 闪存器件及 上海华虹 原始

227 发明 ZL201910742908.2 13 日起 20 无

工艺方法宏力取得年

2019年3月

上海华虹原始

228 发明 SONOS 器件的制造方法 ZL201910211373.6 20 日起 20 无

宏力取得年

2019年1月

一种绝缘体上硅射频开上海华虹原始

229 发明 ZL201910059096.1 22 日起 20 无

关器件及其制造方法宏力取得年

2020年7月

刻蚀方法及半导体器件上海华虹原始

230 发明 ZL202010723935.8 24 日起 20 无

的制造方法宏力取得年

2019年10

上海华虹原始

231 发明 超级结及其制造方法 ZL201911051619.4 月 31 日起 无

宏力取得

20年

2020年2月

上海华虹原始

232 发明 闪存器件的形成方法 ZL202010116390.4 25 日起 20 无

宏力取得年

2019年9月

上海华虹原始

233 发明 半导体器件的形成方法 ZL201910913688.5 25 日起 20 无

宏力取得年

2019年12

LDMOS 器件及其制作 原始

234 发明 ZL201911325026.2 月 20 日起 华虹无锡 无

方法取得

20年

2019年12

LDMOS 器件的制作方 原始

235 发明 ZL201911324379.0 月 20 日起 华虹无锡 无

法、LDMOS 器件 取得

20年

2019年12

WAT 设备的测试头及其 原始

236 发明 ZL201911363248.3 月 26 日起 华虹无锡 无

诊断修复方法取得

20年

2018年7月

上海华虹原始

237 发明 一种射频开关 ESD 系统 ZL201810800636.2 20 日起 20 无

宏力取得年

LDMOS 晶体管的场氧 2019 年 5 月上海华虹原始

238 发明 化层隔离结构及其制备 ZL201910435315.1 23 日起 20 无

宏力取得方法年

2018年4月

上海华虹原始

239 发明 版图数据检查分配方法 ZL201810319793.1 11 日起 20 无

宏力取得年

2019年8月

晶圆特性测试系统和方上海华虹原始

240 发明 ZL201910808257.2 29 日起 20 无

法宏力取得年

1-1-291华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式电荷泵电路的待机电压2020年9月上海华虹原始

241 发明 ZL202010931820.8 无

调节方法8日起20年宏力取得一种分栅快闪存储器的2019年10上海华虹原始

242 发明 版图、掩膜版及版图制作 ZL201911025730.6 月 25 日起 无

宏力取得方法20年

2020年8月

定位环及化学机械抛光上海华虹原始

243 发明 ZL202010872381.8 26 日起 20 无

机台宏力取得年

2019年1月

超级结器件的晶圆背面上海华虹原始

244 发明 ZL201910089981.4 30 日起 20 无

工艺方法宏力取得年

2019年7月

MIM 电容的测试结构及 上海华虹 原始

245 发明 ZL201910698627.1 31 日起 20 无

其制备方法宏力取得年

2020年9月

屏蔽栅沟槽型器件的工上海华虹原始

246 发明 ZL202011056835.0 29 日起 20 无

艺方法宏力取得年低频振荡电路及偏置电2018年3月上海华虹原始

247 发明 ZL201810178622.1 无

压和电流产生电路5日起20年宏力取得

2019年1月上海华虹原始

248 发明 IGBT 结构 ZL201910014517.9 无

8日起20年宏力取得

2019年1月

一种提高 OPC 初值预估 上海华虹 原始

249 发明 ZL201910078663.8 28 日起 20 无

精度的方法宏力取得年

2020年4月

上海华虹原始

250 发明 沟槽的外延填充方法 ZL202010326164.9 23 日起 20 无

宏力取得年非挥发性存储器冗余存2020年5月上海华虹原始

251 发明 储的控制测试电路和控 ZL202010475586.2 29 日起 20 无

宏力取得制测试方法年

2020年6月

离子注入机台的监控方上海华虹原始

252 发明 ZL202010530978.4 11 日起 20 无

法宏力取得年

2018年10

一种由射频开关控制的上海华虹原始

253 发明 ZL201811197876.4 月 15 日起 无

衰减器宏力取得

20年

2018年6月

改善 PMOS OTP 性能的 上海华虹 原始

254 发明 ZL201810696878.1 29 日起 20 无

方法宏力取得年

2019年4月

MEMS 感知器结构及其 上海华虹 原始

255 发明 ZL201910297077.2 15 日起 20 无

制造方法宏力取得年

2019年5月

上海华虹原始

256 发明 超结结构及超结器件 ZL201910418765.X 20 日起 20 无

宏力取得年

2019年12

上海华虹原始

257 发明 静电保护电路 ZL201911256096.7 月 10 日起 无

宏力取得

20年

2019年12

上海华虹原始

258 发明 SGT 器件的工艺方法 ZL201911291567.8 月 16 日起 无

宏力取得

20年

1-1-292华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2020年1月上海华虹原始

259 发明 晶圆背面监控方法 ZL202010004203.3 无

3日起20年宏力取得

2020年3月

上海华虹原始

260 发明 沟槽的刻蚀方法 ZL202010169846.3 12 日起 20 无

宏力取得年

2020年6月

电压控制电路及其控制上海华虹原始

261 发明 ZL202010541617.X 15 日起 20 无

方法宏力取得年

2020年7月上海华虹原始

262 发明 IGBT 晶圆的减薄方法 ZL202010618537.X 无

1日起20年宏力取得

2020年7月

一种一次可编程器件的上海华虹原始

263 发明 ZL202010693357.8 17 日起 20 无

制造方法宏力取得年

2019年12

原始

264 发明 NORD 闪存的制造方法 ZL201911373706.1 月 27 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2019年12

沟槽的集成结构及其制原始

265 发明 ZL201911373708.0 月 27 日起 华虹无锡 无

造方法取得

20年

2021年3月

原始

266 发明 隔离结构的制造方法 ZL202110268128.6 12 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2021年4月

原始

267 发明 存储器件的制作方法 ZL202110446864.6 25 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2019年10

超薄栅极 CMOS 器件的 原始

268 发明 ZL201911042424.3 月 30 日起 华虹无锡 无

制造方法取得

20年

2019年12

一种减少晶圆边缘聚焦原始

269 发明 ZL201911364438.7 月 26 日起 华虹无锡 无

不良的方法取得

20年

2019年12

OTP 存储器及其制造方 原始

270 发明 ZL201911364749.3 月 26 日起 华虹无锡 无

法取得

20年

2019年12

原始

271 发明 闪存器件的制造方法 ZL201911373600.1 月 27 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2019年12

对硅氧化物和多晶硅的原始

272 发明 ZL201911373845.4 月 27 日起 华虹无锡 无

刻蚀方法取得

20年

2020年9月

半导体器件的版图和器原始

273 发明 ZL202011019728.0 25 日起 20 华虹无锡 无

件沟槽深度的监控方法取得年

2020年10

原始

274 发明 NORD 闪存的制作方法 ZL202011095984.8 月 14 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2020年10

应用于图像传感器的接原始

275 发明 ZL202011139697.2 月 22 日起 华虹无锡 无

触孔形成方法取得

20年

2020年11

晶圆测试的自动化控制原始

276 发明 ZL202011354244.1 月 27 日起 华虹无锡 无

系统和方法取得

20年

1-1-293华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

NORD 闪存浮栅测试区 2020 年 12原始

277 发明 域接通方法、接通结构、 ZL202011415084.7 月 7 日起 20 华虹无锡 无

取得设备和存储介质年

2020年12

原始

278 发明 高压厚栅氧的制作方法 ZL202011462782.2 月 14 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2020年12

原始

279 发明 刻蚀方法 ZL202011540990.X 月 23 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2021年4月

半导体器件及其制造方原始

280 发明 ZL202110418016.4 19 日起 20 华虹无锡 无

法取得年

2021年4月

CMOS 图像传感器的制 原始

281 发明 ZL202110428528.9 21 日起 20 华虹无锡 无

造方法取得年

2020年12

原始

282 发明 晶圆背面减薄工艺方法 ZL202011508325.2 月 18 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2019年12

原始

283 发明 测量深沟槽深度的方法 ZL201911246450.8 月 5 日起 20 华虹无锡 无

取得年

一种改善 NORD flash 单 2019 年 12原始

284 发明 元边界字线多晶硅残留 ZL201911363060.9 月 26 日起 华虹无锡 无

取得的方法20年

2020年12华虹无锡

CIS 器件的隔离区形成 原始

285 发明 ZL202011536574.2 月 23 日起 上海华虹 无

方法取得

20年宏力

2020年12华虹无锡

半导体测试结构和包含原始

286 发明 ZL202011536772.9 月 23 日起 上海华虹 无

其的晶圆取得

20年宏力

2020年12

原始

287 发明 存储器件的形成方法 ZL202011536786.0 月 23 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2021年3月华虹无锡

浮栅型分栅闪存器件结原始

288 发明 ZL202110347041.8 31 日起 20 上海华虹 无

构及其制造方法取得年宏力

2021年4月

金属硅化物层的形成方原始

289 发明 ZL202110446856.1 25 日起 20 华虹无锡 无

法取得年

2021年4月

原始

290 发明 半导体器件的制作方法 ZL202110446880.5 25 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2021年4月华虹无锡

集成电路的仿真模型的原始

291 发明 ZL202110467089.2 28 日起 20 上海华虹 无

建立方法取得年宏力

2021年4月

屏蔽栅功率器件制造方原始

292 发明 ZL202110467590.9 28 日起 20 华虹无锡 无

法及其功率器件取得年铜铝互连结构的制作方2020年7月原始

293 发明 ZL202010630546.0 华虹无锡 无

法3日起20年取得

2020年7月

半导体器件及其制作方原始

294 发明 ZL202010764588.3 31 日起 20 华虹无锡 无

法取得年

1-1-294华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2020年9月华虹无锡

MIM 电容的形成方法和 原始

295 发明 ZL202010958494.X 14 日起 20 上海华虹 无

MIM 电容 取得年宏力

2020年9月

用于改善晶圆翘曲的原始

296 发明 ZL202011008913.X 23 日起 20 华虹无锡 无

SGT 器件及其制作方法 取得年

2020年10

静电贴合方法和静电贴原始

297 发明 ZL202011096820.7 月 14 日起 华虹无锡 无

合装置取得

20年

2020年10华虹无锡

原始

298 发明 铜互连结构制作方法 ZL202011145106.2 月 23 日起 上海华虹 无

取得

20年宏力

2020年10

MIM 电容的形成方法和 原始

299 发明 ZL202011169695.8 月 28 日起 华虹无锡 无

后端结构取得

20年

2020年11华虹无锡

原始

300 发明 对准工艺方法 ZL202011319110.6 月 23 日起 上海华虹 无

取得

20年宏力

2020年11

用于 CIS 的富硅氧化物 原始

301 发明 ZL202011334038.4 月 25 日起 华虹无锡 无

层制作方法取得

20年

2020年12

闪存的数据保持力测试原始

302 发明 ZL202011463234.1 月 14 日起 华虹无锡 无

方法取得

20年

2020年12华虹无锡

具有栅极保护二极管的原始

303 发明 ZL202011636002.1 月 31 日起 上海华虹 无

MOS 晶体管 取得

20年宏力

CIS 器件的深沟槽隔离 2021 年 1 月 华虹无锡原始

304 发明 形成方法、半导体器件结 ZL202110075783.X 20 日起 20 上海华虹 无

取得构年宏力

控制Taiko晶圆断差的方 2021 年 2 月 原始

305 发明 ZL202110169980.8 华虹无锡 无

法5日起20年取得

2021年3月

CMOS 图像传感器及其 原始

306 发明 ZL202110344986.4 31 日起 20 华虹无锡 无

制造方法取得年

2021年4月

原始

307 发明 存储器件的制作方法 ZL202110446879.2 25 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2021年4月

原始

308 发明 通孔的制造方法 ZL202110459179.7 27 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2019年12

原始

309 发明 闪存器件的制造方法 ZL201911255745.1 月 10 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2020年8月华虹无锡

原始

310 发明 IGBT 器件的制造方法 ZL202010897106.1 31 日起 20 上海华虹 无

取得年宏力

2020年9月原始

311 发明 MIM 电容的制造方法 ZL202010937668.4 华虹无锡 无

8日起20年取得

2020年10

MOS 器件的制作方法及 原始

312 发明 ZL202011096035.1 月 14 日起 华虹无锡 无

其版图取得

20年

针对特定图形旁波效应2020年12原始

313 发明 的 OPC 方法及通孔层 ZL202011422048.3 月 8 日起 20 华虹无锡 无

取得

OPC 处理方法 年

1-1-295华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式图像传感器的深沟槽隔2020年12华虹无锡原始

314 发明 离形成方法、半导体器件 ZL202011536612.4 月 23 日起 上海华虹 无

取得结构20年宏力

2021年3月华虹无锡

浮栅型分栅闪存器件结原始

315 发明 ZL202110347764.8 31 日起 20 上海华虹 无

构及其制作工艺取得年宏力

2021年4月

一种改善厚铝刻蚀工艺原始

316 发明 ZL202110447796.5 25 日起 20 华虹无锡 无

中聚合物的方法取得年

NOR Flash Cell 区域控 2021 年 4 月原始

317 发明 制栅回刻方法、存储介质 ZL202110466875.0 28 日起 20 华虹无锡 无

取得和控制模块年

2021年4月

功率器件制作方法和功原始

318 发明 ZL202110467209.9 28 日起 20 华虹无锡 无

率器件结构取得年

2021年4月

浮栅分栅闪存器件结构原始

319 发明 ZL202110467481.7 28 日起 20 华虹无锡 无

及其制造方法取得年

2020年7月

原始

320 发明 背封硅片的制作方法 ZL202010716648.4 23 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2020年11

原始

321 发明 后端结构的形成方法 ZL202011292924.5 月 18 日起 华虹无锡 无

取得

20年

2020年12

NORD flash 制造方法、 原始

322 发明 ZL202011504341.4 月 18 日起 华虹无锡 无

器件和存储介质取得

20年

2021年3月

CMOS 图像传感器及其 原始

323 发明 ZL202110346045.4 31 日起 20 华虹无锡 无

制造方法取得年

2020年3月

上海华虹原始

324 发明 浮栅层的形成方法 ZL202010178339.6 13 日起 20 无

宏力取得年

2020年5月

一种功率半导体器件及上海华虹原始

325 发明 ZL202010457560.5 26 日起 20 无

其制作方法宏力取得年

2020年6月

LDMOS 器件的制备方 上海华虹 原始

326 发明 ZL202010528014.6 11 日起 20 无

法和 LDMOS 器件 宏力 取得年

2020年9月

原始

327 发明 沟槽刻蚀的方法 ZL202011028815.2 25 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2020年12

提高闪存的数据保持力原始

328 发明 ZL202011463233.7 月 14 日起 华虹无锡 无

的制造方法取得

20年

2020年12

背面减薄晶圆的固定装原始

329 发明 ZL202011463307.7 月 14 日起 华虹无锡 无

置取得

20年

2019年12

MIM 电容的制造方法以 原始

330 发明 ZL201911325339.8 月 20 日起 华虹无锡 无

及包含 MIM 电容的器件 取得

20年

2020年7月

LDMOS 器件及其制造 原始

331 发明 ZL202010757219.1 31 日起 20 华虹无锡 无

方法取得年

1-1-296华虹半导体有限公司招股说明书

专利权权利序专利类他项权

专利名称专利号专利期限（申请）取得号别利人方式

2020年8月

用于光刻设备的曝光补原始

332 发明 ZL202010847479.8 21 日起 20 华虹无锡 无

偿方法及系统取得年

2020年9月

原始

333 发明 半导体器件的制造方法 ZL202011049295.3 29 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2020年11

半导体器件结构、闪存器原始

334 发明 ZL202011282736.4 月 17 日起 华虹无锡 无

件的制作方法取得

20年

2020年11

晶圆自制背封结构的制原始

335 发明 ZL202011319117.8 月 23 日起 华虹无锡 无

造方法取得

20年

2020年12

原始

336 发明 存储器件的制作方法 ZL202011387255.X 月 2 日起 20 华虹无锡 无

取得年图像传感器及其制作方2021年2月原始

337 发明 ZL202110152757.2 华虹无锡 无

法4日起20年取得

2021年4月

原始

338 发明 CIS 的刻蚀方法 ZL202110399489.4 14 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2020年12

一种 CIS 产品的微透镜 原始

339 发明 ZL202011414131.6 月 7 日起 20 华虹无锡 无

形成方法取得年

2020年6月

原始

340 发明 闪存器件的制造方法 ZL202010528276.2 11 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2020年7月

NORD 闪存及其制作方 原始

341 发明 ZL202010679957.9 15 日起 20 华虹无锡 无

法取得年

2020年9月

NORD 闪存器件的制作 原始

342 发明 ZL202011007241.0 23 日起 20 华虹无锡 无

方法取得年缩小嵌入式闪存控制栅2020年12原始

343 发明 多晶硅刻蚀关键尺寸的 ZL202011415076.2 月 7 日起 20 华虹无锡 无

取得

方法、终端和存储介质年

2020年12

原始

344 发明 NOR Flash 的工艺方法 ZL202011415083.2 月 7 日起 20 华虹无锡 无

取得年

2021年4月

CMOS 光学传感器的深 原始

345 发明 ZL202110467244.0 28 日起 20 华虹无锡 无

槽隔离结构形成方法取得年

1-1-297华虹半导体有限公司招股说明书

（二）境外专利情况

截至2022年12月31日，对发行人主营业务有重要影响的境外专利情况如下表所示。

序号权利人专利名称专利号专利期限国家/地区

Thyristor comprising a special

上海华虹 doped region characterized by 2008 年 12 月 22 日

1 US 8703547 美国

宏力 an LDD region and a halo 起 20 年又 466 天

implant

ELECTRICALLY

ERASABLE

上海华虹 PROGRAMMABLE 2008 年 10 月 13 日

2 US 8575673 美国

宏力 MEMORY AND ITS 起 20 年又 310 天

MANUFACTURING

METHOD上海华虹2011年10月5日起

3 MEMORY ARRAY US 8693243 美国

宏力20年又215天

WORD-LINE VOLTAGE

上海华虹 REGULATING CIRCUIT 2012 年 7 月 3 日起

4 US 8659971 美国

宏力 AND SINGLE POWER 20 年又 71 天

SUPPLY MEMORY

SUPERJUNCTION LDMOS上海华虹2012年9月28日起

5 AND MANUFACTURING US 8698237 美国

宏力20年又35天

METHOD OF THE SAME上海华虹2012年8月9日起

6 Flash Memory Device US 8942044 美国

宏力20年又404天

METHOD OF上海华虹2013年6月10日起

7 MANUFACTURING US 8778761 美国

宏力20年SEMICONDUCTOR DEVICE

SILICON-ON-INSULATOR

RADIO FREQUENCY上海华虹2013年12月19日

8 DEVICE AND US 9780164 美国

宏力起20年又41天

SILICON-ON-INSULATOR

SUBSTRATE上海华虹2013年8月12日起

9 CHARGE PUMP CIRCUIT US 9013230 美国

宏力20年又29天

RESISTOR STRUCTURE上海华虹2014年12月29日

10 AND METHOD FOR US 9318545 美国

宏力起20年FORMING THE SAME

EEPROM DEVICE AND

上海华虹 FOMRING METHOD AND 2014 年 12 月 31 日

11 US 9269717 美国

宏力 ERASING METHOD 起 20 年

THEREOF

上海华虹 MEMORY TESTING 2014 年 12 月 30 日

12 US 9257201 美国

宏力 METHOD AND APPARATUS 起 20 年

上海华虹 METHOD OF FORMING 2014 年 12 月 18 日

13 US 9296608 美国

宏力 MEMS DEVICE 起 20 年

HIGH VOLTAGE LDMOS

DEVICE WITH AN

上海华虹 INCREASED VOLTAGE AT 2015 年 12 月 29 日

14 US 9543432 美国

宏力 SOURCE （HIGH SIDE） 起 20 年

AND A FABRICATING

METHOD THEREOF

NLDMOS DEVICE AND

上海华虹 METHOD FOR 2015 年 12 月 29 日

15 US 9997626 美国

宏力 MANUFACTURING THE 起 20 年

SAME

上海华虹 MOSFET AND A METHOD 2019 年 8 月 2 日起

16 US 10784337 美国

宏力 FOR MANUFACTURING 20 年

1-1-298华虹半导体有限公司招股说明书

序号权利人专利名称专利号专利期限国家/地区

THE SAME

CAPACITOR-COUPLED

N-TYPE上海华虹2018年11月28日

17 TRANSISTOR-BASED US 10679999 美国

宏力起20年ONE-TIME

PROGRAMMABLE DEVICE

SONOS NONVOLATLE

上海华虹 MEMORY AND METHOD 2019 年 6 月 18 日起

18 US 10978467 美国

宏力 FOR MANUFACTURING 20 年又 8 天

SAME上海华虹2019年9月10日起

19 IGBT DEVICE US 11139391 美国

宏力20年MANUFACTURING上海华虹2019年12月6日起

20 METHOD FOR SHIELDED US 10943994 美国

宏力20年GATE TRENCH DEVICE

EEPROM MEMORY CELL上海华虹2015年12月21日

21 GATE CONTROL SIGNAL US 9530505 美国

宏力起20年GENERATING CIRCUIT

PATTERN SORTING上海华虹2017年12月21日

22 METHOD USED IN OPC US 10409153 美国

宏力起20年又71天

VERIFICATION

TRENCH GATE上海华虹2018年9月26日起

23 MANUFACTORING US 10680070 美国

宏力20年METHOD

SUCCESSIVE

APPROXIMATION

REGISTER上海华虹2018年11月28日

24 ANALOG-TO-DIGITAL US 10530382 美国

宏力起20年CONVERTER AND

CONVERSION METHOD

THEREFOR

SUPER-JUNCTION

上海华虹 STRUCTURE AND 2019 年 6 月 18 日起

25 US 10923564 美国

宏力 METHOD FOR 20 年

MANUFACTURING SAME

TRENCH-GATE MOSFET上海华虹2019年8月16日起

26 AND METHOD FOR US 10686070 美国

宏力20年MANUFACTURING SAME

SUPER-JUNCTION IGBT

上海华虹 DEVICE AND METHOD 2019 年 10 月 11 日

27 US 11133407 美国

宏力 FOR MANUFACTURING 起 20 年又 61 天

SAMR

SPLIT GATE MEMORY

DEVICE上海华虹2014年12月29日

28 SEMICONDUCTOR DEVICE US 9536889 美国

宏力起20年AND FORMING METHOD

THEREOF

MEMORY AND ERASING

上海华虹 METHOD PROGRAMMING 2015 年 12 月 14 日

29 US 9396801 美国

宏力 METHOD AND READING 起 20 年

METHOD THEREOF

Sampling Method and上海华虹2016年12月22日

30 Apparatus Applied to OPC of US 9978134 美国

宏力起20年又8天

Lithography Layout

EEPROMAND METHOD

FOR上海华虹2018年4月9日起

31 ERASINGPROGRAMMING US 10790021 美国

宏力20年AND READING THE

EEPROM

SPLIT-GATE FLASH上海华虹2018年12月26日

32 MEMORYMETHOD OF US 10700174 美国

宏力起20年FABRICATING SAME AND

1-1-299华虹半导体有限公司招股说明书

序号权利人专利名称专利号专利期限国家/地区

METHOD FOR CONTROL

THEREOF

ELECTRICALLY

PROGRAMMABLE FUSE

CIRCUIT PROGRAMMING

METHOD FOR

上海华虹 ELECTRICALLY 2019 年 5 月 28 日起

33 US 10811113 美国

宏力 PROGRAMMABLE FUSE 20 年

AND STATE DETECTION

METHOD FOR

ELECTRICALLY

PROGRAMMABLE FUSE

上海华虹 RADIO FREQUENCY 2019 年 5 月 31 日起

34 US 10763842 美国

宏力 SWITCHING CIRCUIT 20 年

POWER SEMICONDUCTOR上海华虹2020年10月13日

35 DEVICE AND METHOD OF US 11145511 美国

宏力起20年FABRICATING THE SAME

TERMINAL STRUCTURE

FOR SUPERJUNCTION上海华虹2011年3月30日起

36 DEVICE AND METHOD OF US 8546882 美国

宏力20年又352天

MANUFACTURING THE

SAME

上海华虹 HIGH-VOLTAGE ESD 2011 年 10 月 18 日

37 US 8803280 美国

宏力 PROTECTION DEVICE 起 20 年

上海华虹 MEMORY AND METHOD 2020 年 2 月 12 日起

38 US 11081557 美国

宏力 FOR FORMING THE SAME 20 年

LDMOS DEVICE AND上海华虹2019年10月18日

39 METHOD FOR US 11264497 美国

宏力起20年又78天

MANUFACTURING SAME

METHOD FOR MAKING

上海华虹 JFET DEVICEJFET DEVICE 2020 年 8 月 13 日起

40 US 11257936 美国

宏力 AND LAYOUT STRUCTURE 20 年

THEREOF

MIM CAPACITOR OF

EMBEDDED STRUCTURE 2020 年 12 月 15 日

41 华虹无锡 US 11239153 美国

AND METHOD FOR 起 20 年

MAKING THE SAME

METHOD OF

上海华虹 CONTROLLING INTERNAL 2021 年 3 月 24 日起

42 US 11450387 美国

宏力 ADDRESS FOR A SERIAL 20 年

NOR FLASH MEMORY

METHOD FOR MAKING上海华虹2020年9月16日起

43 LDMOS DEVICE AND US 11456371 美国

宏力20年LDOMS DEVICE

SHIELD GATE TRENCH

上海华虹 POWER DEVICE AND 2021 年 4 月 15 日起

44 US 11522063 美国

宏力 METHOD FOR MAKING 20 年

THE SAME

1-1-300华虹半导体有限公司招股说明书

附表五：主要商标情况

（一）境内商标情况序号商标图样注册人核定类别注册号专用权期限取得方式上海华虹宏2019年12月21日至2029

1第7类35885741原始取得

力年12月20日上海华虹宏2021年8月28日至2031

2第36类53583076原始取得

力年8月27日上海华虹宏2021年9月7日至2031

3第42类53583149原始取得

力年9月6日上海华虹宏2021年11月21日至2031

4第9类53587876原始取得

力年11月20日上海华虹宏2021年11月21日至2031

5第9类53589527原始取得

力年11月20日上海华虹宏2021年8月28日至2031

6第40类53589853原始取得

力年8月27日上海华虹宏2021年9月14日至2031

7第36类53590098原始取得

力年9月13日上海华虹宏2021年8月28日至2031

8第40类53594306原始取得

力年8月27日上海华虹宏2021年8月28日至2031

9第42类53594329原始取得

力年8月27日上海华虹宏2021年8月28日至2031

10第42类53594341原始取得

力年8月27日上海华虹宏2021年9月7日至2031

11第40类53596218原始取得

力年9月6日上海华虹宏2021年11月21日至2031

12第35类53598386原始取得

力年11月20日上海华虹宏2021年9月14日至2031

13第36类53599308原始取得

力年9月13日上海华虹宏2021年8月28日至2031

14第9类53602017原始取得

力年8月27日上海华虹宏2021年11月28日至2031

15第35类53603559原始取得

力年11月27日上海华虹宏2021年11月28日至2031

16第35类53603580原始取得

力年11月27日上海华虹宏2018年3月28日至2028

17第40类22479260原始取得

力年3月27日上海华虹宏2018年3月28日至2028

18第40类22479259原始取得

力年3月27日上海华虹宏2018年2月7日至2028

19第40类22479258原始取得

力年2月6日上海华虹宏2018年3月28日至2028

20第9类22454634原始取得

力年3月27日上海华虹宏2018年2月7日至2028

21第42类22454368原始取得

力年2月6日

1-1-301华虹半导体有限公司招股说明书

序号商标图样注册人核定类别注册号专用权期限取得方式上海华虹宏2018年2月7日至2028

22第42类22454336原始取得

力年2月6日上海华虹宏2018年2月7日至2028

23第9类22454095原始取得

力年2月6日上海华虹宏2018年2月7日至2028

24第42类22453959原始取得

力年2月6日上海华虹宏2018年3月28日至2028

25第9类22453857原始取得

力年3月27日上海华虹宏2015年7月7日至2025

26第42类14573670原始取得

力年7月6日上海华虹宏2015年7月7日至2025

27第9类14573669原始取得

力年7月6日上海华虹宏2015年7月7日至2025

28第42类14573668原始取得

力年7月6日上海华虹宏2015年7月7日至2025

29第9类14573667原始取得

力年7月6日上海华虹宏2015年7月7日至2025

30第42类14573666原始取得力年7月6日

上海华虹宏2016年2月14日至2026

31第9类14573665原始取得

力年2月13日上海华虹宏2015年7月7日至2025

32第42类14573664原始取得力年7月6日

上海华虹宏2015年7月7日至2025

33第9类14573663原始取得力年7月6日

上海华虹宏2015年6月14日至2025

34第16类14501665原始取得

力年6月13日上海华虹宏2015年6月14日至2025

35第35类14501664原始取得

力年6月13日上海华虹宏2015年6月14日至2025

36第37类14501663原始取得

力年6月13日上海华虹宏2015年6月14日至2025

37第40类14501662原始取得

力年6月13日上海华虹宏2015年6月14日至2025

38第42类14501660原始取得

力年6月13日上海华虹宏2018年4月7日至2028

39第9类14241227原始取得

力年4月6日

（二）境外商标情况

核定使用商注册国家/取得编号商标图形注册人注册号有效期限品类别地区方式

第9类、第2021年3

35类、第36月9日至原始

1发行人305556826中国香港

类、第40类、2031年3取得

第42类月8日

第9类、第2021年3原始

2发行人35类、第36305556817月9日至中国香港

取得

类、第40类、2031年3

1-1-302华虹半导体有限公司招股说明书

核定使用商注册国家/取得编号商标图形注册人注册号有效期限品类别地区方式

第42类月8日

第9类、第2021年3

35类、第36月9日至原始

3发行人305556808中国香港

类、第40类、2031年3取得

第42类月8日

2014年7

第9类、第月31日至原始

4发行人40类、第42303085920中国香港

2024年7取得

类月30日

2014年7

第9类、第月31日至原始

5发行人40类、第42303085911中国香港

2024年7取得

类月30日

2014年7

第9类、第月31日至原始

6发行人40类、第42303085894中国香港

2024年7取得

类月30日

2014年5月29日至原始

7发行人第9类303013532中国香港

2024年5取得

月28日

2014年5月29日至原始

8发行人第40类303013604中国香港

2024年5取得

月28日

2014年5月29日至原始

9发行人第42类303013596中国香港

2024年5取得

月28日

1-1-303华虹半导体有限公司招股说明书

附表六：集成电路布图设计专有权情况

截至2022年12月31日，发行人的境内集成电路布图设计专有权如下表所示，其中通过继受方式取得的专有权均因由合并重组继受自合并前主体而形成。

序布图设计他项权登记号专有权人申请日登记日取得方式号名称利

HKCOM BS.135006 上海华虹

12013年6月4日2013年9月13日继受取得无

RG10V1 082 宏力

HKEFLZ

BS.135006 上海华虹

2 T256K01 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

090宏力

V4

HKEEPC

BS.135006 上海华虹

3 M072K10 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

104宏力

V1

HGIOH2I BS.135006 上海华虹

42013年6月4日2013年9月13日继受取得无

NG01V1 112 宏力

HKCOM BS.135006 上海华虹

52013年6月4日2013年9月13日继受取得无

LD01V1 120 宏力

HKCOM

BS.135006 上海华虹

6 OS032M 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

139宏力

6V1

HKCOM BS.135006 上海华虹

72013年6月4日2013年9月13日继受取得无

RG17V1 147 宏力

HKCOM BS.135006 上海华虹

82013年6月4日2013年9月13日继受取得无

RG12V1 155 宏力

HKSPAD

BS.135006 上海华虹

9 2560X8C 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

163宏力

5V1

HKEFLS

BS.135006 上海华虹

10 F256K02 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

171宏力

V1

HKEFLL

BS.135006 上海华虹

11 P400K01 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

18X 宏力

V3

HKCMR

BS.135006 上海华虹

12 GCEP01 2013 年 6 月 4 日 2013 年 9 月 13 日 继受取得 无

198宏力

V1

HKCMR BS.135006 上海华虹

132013年6月4日2013年9月13日继受取得无

GI09V1 201 宏力

1-1-304华虹半导体有限公司招股说明书

附表七：承诺事项

（一）不主动放弃控股股东地位的承诺

1、发行人直接控股股东华虹国际出具承诺如下：

“1、本企业将长期持有公司股份，自公司股票在上海证券交易所上市之日起三十六个月内，本企业不主动放弃公司控股股东地位。

2、本次发行上市后，本企业在 A 股的相关减持安排将遵守法律法规、中国

证券监督管理委员会及上海证券交易所的相关规定。

3、如监管部门或相关的法律法规对本企业持有股份的流通限制、减持另有

规定或做出进一步规定的，本企业保证将遵守相应的要求。

本企业将忠实履行上述承诺，若未履行上述承诺，本企业将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”

2、发行人间接控股股东华虹集团出具承诺如下：

“1、本企业将长期持有公司股份，自公司股票在上海证券交易所上市之日起三十六个月内，本企业不主动放弃公司间接控股股东地位。

2、本次发行上市后，本企业在 A 股的相关减持安排将遵守法律法规、中国

证券监督管理委员会及上海证券交易所的相关规定。

3、如监管部门或相关的法律法规对本企业持有股份的流通限制、减持另有

规定或做出进一步规定的，本企业保证将遵守相应的要求。

本企业将忠实履行上述承诺，若未履行上述承诺，本企业将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”

（二）稳定股价的措施和承诺

1、上市后三年内稳定 A 股股价预案为保持上市后股价稳定，发行人制定了《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》如下：

1-1-305华虹半导体有限公司招股说明书“一、启动稳定股价预案的触发条件自公司股票在上海证券交易所科创板挂牌上市之日起三年内，若非因不可抗力因素所致，出现连续20个交易日股票收盘价低于公司最近一期经审计的每股净资产（因利润分配、资本公积金转增股本、增发、配股等情况导致公司净资产或股份总数出现变化的，每股净资产相应进行调整）情形时，公司将自行或促使本预案中涉及的其他主体依照本预案的规定启动股价稳定措施。

二、责任主体

采取稳定公司股价措施的责任主体包括公司、控股股东以及公司的领薪董事（独立非执行董事除外，下同）和高级管理人员。

应采取稳定股价措施的董事、高级管理人员既包括在公司上市时任职的董事、

高级管理人员，也包括公司上市后三年内新任职董事、高级管理人员。

三、公司稳定股价的主要措施

公司稳定股价措施包括：由公司向社会公众股东回购公司股票；由控股股东

增持公司股票；由公司领薪董事（独立非执行董事除外）、高级管理人员增持公司股票。上述措施可单独或合并采用。选用前述方式时应考虑：（1）不能导致公司不满足香港联合交易所有限公司主板和上海证券交易所科创板法定上市条

件；（2）不能迫使控股股东履行要约收购义务。

当预案的触发条件成就后，公司应依照法律、法规、规范性文件、《HUAHONG SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）组织章程细则》（以下简称“《公司章程》”）及公司相关制度的规定，采取以下全部或部分措施稳定公司股价：

（一）在不影响公司正常生产经营的情况下，经公司根据适用法律、法规及

规范性文件有权批准的内部机构审议同意，公司向社会公众股东回购股票；

（二）在下列情形之一出现时：1、公司无法实施回购股票或回购股票议案

未获得公司股东大会批准，或2、在上述（一）项措施实施完毕后公司股票的收盘价格仍低于最近一期经审计的每股净资产的，由控股股东增持公司股票；

1-1-306华虹半导体有限公司招股说明书

（三）当控股股东增持公司股票方案实施完毕后公司股票的收盘价格仍低于

最近一期经审计的每股净资产，且董事、高级管理人员增持公司股票不会导致公司不满足法定上市条件或触发董事、高级管理人员的要约收购义务的情况下，由公司董事、高级管理人员增持公司股票；

（四）其他法律、法规、规范性文件规定以及中国证券监督管理委员会或上海证券交易所认可的其他稳定股价的方式。

四、实施公司回购股票的程序

公司回购股票应当符合香港法律法规、香港证券监管机构、证券交易所监管

规则及《公司章程》等规定。公司董事会将在本公司股票价格触发本预案启动股价稳定措施条件之日起的合理时间内制订稳定公司股价具体方案，并提交董事会和/或股东大会批准。具体回购方案应在董事会和/或股东大会作出股份回购决议后公告。

在股东大会和/或董事会审议通过股份回购方案后，公司将依法通知债权人（如需），并向证券监督管理部门、证券交易所等主管部门报送相关材料，办理审批或备案手续（如需）。

公司回购人民币股份的价格不超过最近一期经审计的每股净资产（因利润分配、资本公积金转增股本、增发、配股等情况导致公司净资产或股份总数出现变化的，每股净资产相应进行调整），回购股份的方式为集中竞价、要约或证券监督管理部门认可的其他方式。如果股份回购方案实施前公司股票价格已经不满足预案触发条件的，则公司无须继续实施该方案。

公司为稳定股价进行股份回购的，还应遵循下列原则：单次用于回购股份的资金金额不高于上一个会计年度经审计的归属于母公司股东净利润的20%，单一会计年度用于稳定股价的回购资金合计不超过上一会计年度经审计的归属于母

公司净利润的40%；超过上述标准的，有关稳定股价措施在当年度不再继续实施。

若某一会计年度内公司股价多次出现触发本预案规定的股价稳定措施的情

形（不包括公司实施稳定股价措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并公告日后开始计算的连续20个交易日股票收盘价仍低于最近一期经审计的每股净资产的情形），公司将分别按照本预案执行股价稳定措施，除非公司出现股份回购方案

1-1-307华虹半导体有限公司招股说明书

约定的当年度可中止实施稳定股价措施的情形。在某一会计年度公司中止执行股价稳定措施的情况下，若下一年度继续出现触发本预案规定的稳定股价措施的情形时，公司将继续按照本预案执行。

五、实施控股股东增持公司股票的程序

（一）启动程序

1、在达到触发启动股价稳定措施条件的情况下，并且在公司无法实施回购

股票或回购股票议案未获得公司股东大会批准，且控股股东增持公司股票不会致使公司将不满足法定上市条件或触发控股股东的要约收购义务的前提下，公司控股股东将在达到触发启动股价稳定措施条件或公司股东大会作出不实施回购股

票计划的决议之日、并在履行完毕相关国有资产监管（如需）及控股股东内部审议程序后的合理期限内向公司提交增持公司股票的方案并由公司公告。

2、公司虽实施股票回购计划但公司股票的收盘价格仍低于最近一期经审计

的每股净资产的，公司控股股东将在公司股票回购计划实施完毕或终止之日、并在履行完毕相关国有资产监管（如需）及控股股东内部审议程序后的合理期限内向公司提交增持公司股票的方案并由公司公告。

（二）控股股东增持公司股票的计划

在履行相应的公告等义务后，控股股东将在满足法定条件下依照方案中所规定的价格区间、期限实施增持。

控股股东增持股票的金额不超过控股股东上年度从公司领取的分红，增持股票的金额不超过其上年度从控股股东领取的分红，增持股份的价格不超过最近一期经审计的每股净资产，且单次及/或连续十二个月增持数量不超过公司股份总数的2%。公司不得为控股股东实施增持公司股票提供资金支持。

若某一会计年度内公司股价多次出现触发本预案规定的股价稳定措施的情

形（不包括控股股东实施稳定股价措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并公告日后开始计算的连续20个交易日股票收盘价仍低于最近一期经审计的每股净资产的情形），控股股东将继续按照上述稳定股价预案执行。

六、公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员增持股票的程序

1-1-308华虹半导体有限公司招股说明书

当控股股东增持公司股票方案实施完毕后公司股票的收盘价格仍低于最近

一期经审计的每股净资产，且董事、高级管理人员增持公司股票不会导致公司不满足法定上市条件或触发董事、高级管理人员的要约收购义务的情况下，公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员应根据公司的要求在合理期间内增持股票。

公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员通过二级市场以竞价方式买入公司股份的，买入价格不高于公司最近一期经审计的每股净资产（因利润分配、资本公积金转增股本、增发、配股等情况导致公司净资产或股份总数出现变化的，每股净资产相应进行调整）。但如果在增持股票前公司股票价格已经不满足预案触发条件的，公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员可不再继续实施稳定股价的措施。

若某一会计年度内公司股价多次出现触发本预案规定的股价稳定措施的情

形（不包括公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员实施稳定股价措施期间及实施完毕当次稳定股价措施并由公司公告日后开始计算的连续20个交易日股票收盘价仍低于最近一期经审计的每股净资产的情形），公司可分别要求公司领薪董事（独立非执行董事除外）和高级管理人员按照预案执行稳定股价措施。但在任何情况下每一人单一年度用以稳定股价所动用的资金应不超过其上一年度从公司处领取的税后现金薪酬的10%，超过上述标准的，该人士在当年度可不再继续实施稳定股价措施。但如下一年度出现触发本预案规定的稳定股价措施的情形时，将继续按照上述原则执行稳定股价预案。”

2、发行人关于稳定公司股价的承诺

根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的要求，发行人作出如下承诺：

“一、公司将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议通过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》（以下简称《“ 稳定股价预案》”），按照《稳定股价预案》的相关规定履行稳定公司 A 股股价的义务。

1-1-309华虹半导体有限公司招股说明书

二、公司在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及其

他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公司组织章程细则等相关规定。

三、公司将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，公司将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”

3、直接控股股东关于稳定公司股价的承诺

依据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的要求，发行人直接控股股东华虹国际作出如下承诺：

“一、本企业将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议通过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》（以下简称“《稳定股价预案》”），按照《稳定股价预案》中关于控股股东的相关规定履行控股股东关于稳定公司 A 股股价的义务。

二、本企业在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及

其他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公司组织章程细则等相关规定。

三、本企业将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，本企业将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”

4、间接控股股东关于稳定公司股价的承诺

依据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的要求，发行人间接控股股东华虹集团作出如下承诺：

“一、本企业将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议通过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》（以下简称“《稳定股价预案》”），按照《稳定股价预案》中关于间接控股股东的相关规定履行间接控股股东关于稳定公司 A 股股价的义务。

1-1-310华虹半导体有限公司招股说明书

二、本企业在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及

其他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公司组织章程细则等相关规定。

三、本企业将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，本企业将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”

5、领薪董事（不含独立非执行董事）、高级管理人员关于稳定公司股价的

承诺

依据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定的要求，发行人领薪董事（不含独立非执行董事）、高级管理人员作出如下承诺：

“一、本人将在符合相关法律法规的前提下，严格遵守执行股东大会审议通过的《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》（以下简称《“ 稳定股价预案》”），按照《稳定股价预案》的相关规定履行稳定公司 A 股股价的义务。

二、本人在采取前述稳定股价措施时，将按照公司股票上市地上市规则及其

他适用的法律法规履行相应的信息披露义务，并需符合所适用的法律法规及公司组织章程细则等相关规定。

三、上述承诺为本人的真实意思表示，本人将严格履行承诺，若未能履行上述承诺，本人将按照相关法律法规的规定及监管部门的要求承担相应的责任。”

（三）股份回购和股份买回的措施和承诺

1、发行人关于股份回购和股份购回的承诺

发行人出具股份回购和股份购回的承诺如下：

“1、如证券监督管理部门或其他有权部门认定公司本次发行的招股说明书所载之内容存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏之情形，该等情形对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大且实质影响，且以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，则公司承诺将依法回购本次发行的全部新股。

1-1-311华虹半导体有限公司招股说明书2、当《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》中约定的启动稳定股

价的触发条件成就时，公司将按照前述预案的规定履行回购公司股份的义务。

如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

2、直接控股股东关于股份回购和股份购回的承诺

发行人直接控股股东华虹国际出具股份回购和股份购回的承诺如下：

“1、如证券监督管理部门或其他有权部门认定公司本次发行的招股说明书所载之内容存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏之情形，该等情形对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大且实质影响，且以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，则本企业承诺将督促公司依法回购本次发行的全部新股。

2、当《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》中约定的启动稳定股

价的触发条件成就时，本企业将督促公司按照前述预案的规定履行回购公司股份的义务。

如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

3、间接控股股东关于股份回购和股份购回的措施和承诺

发行人间接控股股东华虹集团出具股份回购和股份购回的承诺如下：

“1、如证券监督管理部门或其他有权部门认定公司本次发行的招股说明书所载之内容存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏之情形，该等情形对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大且实质影响，且以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，则本企业承诺将督促公司依法回购本次发行的全部新股。

2、当《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年内稳定公司 A 股股价预案》中约定的启动稳定股

价的触发条件成就时，本企业将督促公司按照前述预案的规定履行回购公司股份的义务。

1-1-312华虹半导体有限公司招股说明书如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

（四）对欺诈发行上市的股份回购和股份买回承诺

1、发行人关于对欺诈发行上市的股份购回和股份买回的承诺函

发行人承诺如下：

“1、保证公司本次发行不存在任何欺诈发行的情形；2、如公司不符合发行上市条件，以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，公司将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后的五个工作日内启动股份购回程序，依法回购本次发行的全部新股。”

2、直接控股股东关于对欺诈发行上市的股份购回和股份买回的承诺函

发行人直接控股股东华虹国际承诺如下：

“1、保证公司本次发行不存在任何欺诈发行的情形；2、如公司不符合发行上市条件，以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后的五个工作日内启动股份购回程序，依法回购本次发行的全部新股。

如本企业未能依照上述承诺履行义务的，将依照未能履行承诺时的约束措施承担相应责任。”

3、间接控股股东关于对欺诈发行上市的股份购回和股份买回的承诺函

发行人间接控股股东华虹集团承诺如下：

“1、保证公司本次发行不存在任何欺诈发行的情形；2、如公司不符合发行上市条件，以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后的五个工作日内启动股份购回程序，依法回购本次发行的全部新股。

如本企业未能依照上述承诺履行义务的，将依照未能履行承诺时的约束措施承担相应责任。”

1-1-313华虹半导体有限公司招股说明书

（五）填补被摊薄即期回报的措施及承诺

1、发行人关于填补公司首次公开发行人民币普通股被摊薄即期回报措施的

承诺函发行人就填补公司首次公开发行人民币普通股被摊薄即期回报措施作出如

下承诺：

“（一）公司将基于行业发展特征及规律，增大对主营业务的投入，努力开拓市场空间、提升销售收入，并持续重视研发投入，增加持续盈利能力，缓解即期回报被摊薄的风险；

（二）加强经营管理，优化决策程序，提升经营效率和盈利能力；同时公司

将加强公司治理结构建设，确保独立非执行董事认真履行职责，维护公司整体及公众股东的利益；

（三）推进募投项目的建设，提升公司产品的市场前景与经济效益。同时提

高资金使用效率，严格执行募集资金管理制度，确保项目顺利实施。本次募投项目的实施有利于更好地满足客户对公司产品的需要，增强公司可持续盈利能力，符合公司股东的长期利益；

（四）完善利润分配政策，结合公司经营情况和发展规划，积极推动对投资

人的利润分配及现金分红，努力提升股东回报。

如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任，同时向投资者提出补充承诺或替代承诺，以尽可能保护投资者的利益，并在公司股东大会审议通过后实施补充承诺或替代承诺。”

2、直接控股股东关于填补公司首次公开发行人民币普通股被摊薄即期回报

措施的承诺函发行人直接控股股东华虹国际就发行人申请首次公开发行人民币普通股（A股）并在上交所科创板上市被摊薄即期回报的填补措施能够得到切实履行作出以

下承诺：

“为维护公司和全体股东的合法权益，确保填补回报措施能够得到切实履行，本企业作为公司控股股东，本企业承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公

1-1-314华虹半导体有限公司招股说明书司利益，并承诺切实督促公司履行其制定的有关填补即期回报措施以及对此作出的有关填补即期回报措施的承诺，若本企业违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失的，本企业愿意依法承担对公司或者投资者的赔偿责任。”

3、间接控股股东关于填补公司首次公开发行人民币普通股被摊薄即期回报

措施的承诺函发行人间接控股股东华虹集团就发行人申请首次公开发行人民币普通股（A股）并在上交所科创板上市被摊薄即期回报的填补措施能够得到切实履行作出以

下承诺：

“为维护公司和全体股东的合法权益，确保填补回报措施能够得到切实履行，本企业作为公司间接控股股东，本企业承诺不越权干预公司经营管理活动，不侵占公司利益，并承诺切实督促公司履行其制定的有关填补即期回报措施以及对此作出的有关填补即期回报措施的承诺，若本企业违反该等承诺并给公司或者投资者造成损失的，本企业愿意依法承担对公司或者投资者的赔偿责任。”

4、董事、高级管理人员关于确保被摊薄即期回报的措施能够得到切实履行

的承诺函发行人全体董事及高级管理人员就发行人申请首次公开发行人民币普通股

（A 股）并在上交所科创板上市被摊薄即期回报的填补措施能够得到切实履行作

出以下承诺：

“1、不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益，也不采用其他方式损害公司利益。

2、对职务消费行为进行约束。

3、不动用公司资产从事与本人履行职责无关的投资、消费活动。

4、由董事会或薪酬委员会制定的薪酬制度与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。

5、拟公布的公司股权激励的行权条件与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。

1-1-315华虹半导体有限公司招股说明书

6、本人切实履行公司制定的有关填补被摊薄回报的措施以及对此作出的任

何有关填补被摊薄即期回报的措施的承诺，如违反该等措施对投资人或公司造成损失的，本人愿意依法承担对公司或投资者的补偿责任。

本人作出的承诺须符合适用法律、法规及规范性文件的规定及证券监督管理部门的要求。如本人违反上述承诺，将遵照另行出具的《关于未能履行相关承诺的约束措施的承诺函》承担责任。”

（六）利润分配政策的承诺

为充分保障公司股东的合法权益，为股东提供稳定持续的投资回报，促进股东投资收益最大化的实现，发行人就利润分配政策作出如下承诺：

“公司在本次发行后将严格依照中国证券监督管理委员会《关于进一步落实上市公司现金分红有关事项的通知》《HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED（华虹半导体有限公司）之组织章程细则》《华虹半导体有限公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市后三年股东分红回报规划》等规定执行利润分配政策。

如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

（七）依法承担赔偿责任的承诺

1、发行人关于依法承担赔偿或赔偿责任的承诺函

为维护公众投资者的利益，发行人作出如下承诺：

“1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，且公司对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。

2、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，且以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，公司将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后，依法回购首次公开发行的全部新股。

1-1-316华虹半导体有限公司招股说明书

3、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

致使投资者在证券交易中遭受损失的，公司将在证券监管部门依法对上述事实作出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。

如公司违反上述承诺，将遵照公司另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

2、直接控股股东关于依法承担赔偿或赔偿责任的承诺函

为维护公众投资者的利益，发行人直接控股股东华虹国际作出如下承诺：

“1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，且本企业对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。

2、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，且以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后，依法回购首次公开发行的全部新股。

3、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

致使投资者在证券交易中遭受损失的，本企业将在证券监管部门依法对上述事实作出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。

如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

3、间接控股股东关于依法承担赔偿或赔偿责任的承诺函

为维护公众投资者的利益，发行人间接控股股东华虹集团作出如下承诺：

“1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，且本企业对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。

2、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

对判断公司是否符合法律规定的发行条件构成重大、实质影响，且以欺诈手段骗取发行注册并已经发行上市的，本企业将在该等违法事实被证券监管部门作出认定或处罚决定后，依法回购首次公开发行的全部新股。

1-1-317华虹半导体有限公司招股说明书

3、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

致使投资者在证券交易中遭受损失的，本企业将在证券监管部门依法对上述事实作出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。

如本企业违反上述承诺，将遵照本企业另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

4、董事、高级管理人员关于依法承担赔偿或赔偿责任的承诺函

为维护公众投资者的利益，发行人全体董事及高级管理人员作出如下承诺：

“1、公司本次发行的招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，且本人对上市文件所载之内容真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。

2、若公司本次发行的招股说明书存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，

致使投资者在证券交易中遭受损失的，本人将在证券监管部门依法对上述事实作出认定或处罚决定后依法赔偿投资者损失。

如本人违反上述承诺，将遵照本人另行出具的《关于未履行承诺时的约束措施的承诺函》承担相应责任。”

（八）控股股东避免新增同业竞争的承诺

发行人间接控股股东华虹集团已出具《关于避免同业竞争的承诺函》，主要内容如下：

1、发行人与华虹集团控制的上海华力均从事晶圆代工业务，但定位及主要

工艺技术平台不同，发行人主要定位于特色工艺，上海华力主要定位于先进逻辑工艺，双方的产品服务在工艺技术的方向上存在本质不同，上海华力与发行人及其控股子公司间不存在构成重大不利影响的同业竞争。

2、截至本承诺函出具之日，除上海华力外华虹集团及华虹集团直接或间接

控制的除发行人及其控股子公司外的其他企业（以下简称“控制的其他企业”）均未从事或参与与发行人及其控股子公司主营业务构成重大不利影响的同业竞

争的业务，未来亦不会主动从事或参与任何与发行人及其控股子公司主营业务构成竞争或可能存在竞争的业务。

1-1-318华虹半导体有限公司招股说明书

3、自本承诺函出具之日起，如华虹集团及华虹集团控制的除发行人及其控

股子公司外的其他企业从任何第三方获得的商业机会与发行人经营的业务构成

重大不利影响的同业竞争，华虹集团将立即通知发行人，以适当方式将该等商业机会优先提供予发行人，或由发行人在相同条件下优先收购有关业务所涉及的资产或股权以避免与发行人构成重大不利影响的同业竞争的情况。

4、上述承诺在华虹集团作为发行人间接控股股东期间有效。

5、自本承诺函出具之日起，若因华虹集团违反本承诺函任何条款而致使发

行人遭受或产生的任何损失或开支，华虹集团将予以全额赔偿。

发行人间接控股股东华虹集团就《关于避免同业竞争的承诺函》补充承诺如

下：

1、自本承诺函出具之日起，华虹集团及华虹集团控制的除发行人及其控股

子公司外的其他企业未来不会在 65/55nm 工艺节点上扩充产能。

2、上述承诺在华虹集团作为发行人间接控股股东期间有效。

3、自本承诺函出具之日起，若因华虹集团违反本承诺函任何条款而致使发

行人遭受或产生的任何损失或开支，华虹集团将予以全额赔偿。

发行人间接控股股东华虹集团就《关于避免同业竞争的补充承诺函》进一步

补充承诺如下：

“1、自本承诺函出具之日起，对于华虹半导体与华力微在 65/55nm 工艺节点存在部分业务重合的三个工艺平台业务，进行如下分割：65/55nm 独立式非易失性存储器和嵌入式非易失性存储器工艺平台相关业务，由华虹半导体承接；

65/55nm 逻辑与射频工艺平台相关业务，由华力微承接。前述分割完成后，本公

司将确保未来华力微在 65/55nm 重合工艺平台的营业收入和毛利占发行人主营

业务收入和毛利的比例始终保持在30%以下。具体如下：

（1）独立式/嵌入式非易失性存储器平台

自本承诺函出具之日起，该平台新增客户由华虹半导体承接；华力微将继续服务现有客户，且不在该平台承接新增客户以及现有客户的新产品。

（2）逻辑与射频平台

1-1-319华虹半导体有限公司招股说明书

自本承诺函出具之日起，该平台新增客户由华力微承接；华虹半导体将继续服务现有客户，且不在该平台承接新增客户以及现有客户的新产品。

2、本次发行募投项目投产后，华虹半导体与华力微在 40nm 工艺节点各工

艺平台上的业务，也将按照上述划分标准执行，即独立式非易失性存储器和嵌入式非易失性存储器工艺平台相关业务由华虹半导体承接，逻辑与射频工艺平台相关业务由华力微承接。

3、华虹集团将确保华力微同类业务的收入和毛利占华虹半导体主营业务收

入和毛利的比例不超过30%，具体措施包括但不限于：（1）自本承诺函出具日起，本公司将监督华虹半导体及华力微严格按照上述方式开展业务；（2）本公司每季度末将对华虹半导体及华力微 65/55nm 重合工艺平台的客户结构、已执行

订单、在手订单、产能安排、收入及毛利情况进行动态监测；（3）若在监测中

发现上述比例接近临界值，将及时对双方的生产经营计划作出调整；（4）督促华虹半导体在其年度报告中披露相关承诺的履行情况。

4、自发行人首次公开发行人民币普通股股票并于科创板上市之日起三年内，

按照国家战略部署安排，在履行政府主管部门审批程序后，华虹集团将华力微注入发行人。

5、上述承诺及本公司此前出具的《关于避免同业竞争的承诺函》在本公司

作为发行人间接控股股东期间有效；如上述承诺与本公司此前出具的承诺任何不一致，均以此承诺函为准；自本承诺函出具之日起，若因本公司违反本承诺函任何条款而致使发行人遭受或产生的任何损失或开支，本公司将予以全额赔偿。”发行人直接控股股东华虹国际已出具《关于避免同业竞争的承诺函》，主要内容如下：

1、截至本承诺函出具之日，华虹国际及华虹国际直接或间接控制的除发行

人及其控股子公司外的其他企业（以下简称“控制的其他企业”）均未从事或参

与与发行人及其控股子公司主营业务构成竞争的业务，未来亦不会从事或参与任何与发行人及其控股子公司主营业务构成竞争或可能存在竞争的业务。

2、自本承诺函出具之日起，如华虹国际及华虹国际控制的除发行人及其控

股子公司外的其他企业从任何第三方获得的商业机会与发行人经营的业务构成

1-1-320华虹半导体有限公司招股说明书

竞争或可能构成竞争，华虹国际将立即通知发行人，以适当方式将该等商业机会优先提供予发行人，或由发行人在相同条件下优先收购有关业务所涉及的资产或股权以避免与发行人形成同业竞争的情况。

3、上述承诺在华虹国际作为发行人控股股东期间有效。

4、自本承诺函出具之日起，若因华虹国际违反本承诺函任何条款而致使发

行人遭受或产生的任何损失或开支，华虹国际将予以全额赔偿。

（九）关于规范和减少关联交易的承诺函公司直接控股股东、间接控股股东出具了《关于规范和减少关联交易的承诺函》并承诺如下：

“1、本企业以及本企业直接或间接控制的企业（如有，为本承诺函之目的，不包括公司及其直接或者间接控制企业）将尽最大努力减少或避免与公司之间的关联交易。在进行确属必要且无法规避的关联交易时，保证按市场化原则和公允定价原则进行公平操作，签署关联交易协议，并按相关法律法规、规范性文件、公司章程和其他公司内部治理文件规定履行审批程序及信息披露义务。

2、本企业保证将按照法律法规、规范性文件、公司章程和其他公司内部治

理文件的规定，在审议与本企业有关的关联交易事项时，切实遵守公司董事会、股东大会进行关联交易表决时的回避程序；严格遵守公司关联交易的决策制度，确保不损害公司和其他股东的合法利益；保证不利用在公司的地位和影响，通过关联交易损害公司以及其他股东的合法权益。

3、本企业将促使本企业直接或间接控制的企业（如有）遵守上述承诺，如

本企业或本企业直接或间接控制的企业（如有）违反上述承诺而导致公司或其他

股东的权益受到损害，本企业将依法赔偿由此给公司或其他股东造成的实际经济损失。”

（十）其他承诺

1、未履行承诺的约束措施的承诺

1-1-321华虹半导体有限公司招股说明书

（1）发行人关于未履行承诺时的约束措施的承诺函

根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，发行人将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公开承诺事项，并作出承诺如下：

“1、公司在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均为公

司的真实意思表示，并对公司具有约束力，公司自愿接受监管机构及社会公众的监督。公司将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。

2、如公司非因不可抗力原因导致未能完全且有效地履行承诺事项，公司承

诺将采取以下措施予以约束：

（1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及规范性文件、公司章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议和信息披露程序）；

（2）在证券监管部门或其他有权部门认定公司违反或者未实际履行承诺事

项之日起30日内，或认定因公司违反或未实际履行承诺事项而致使投资者在证券交易中遭受损失之日起30日内，公司将依法向投资者赔偿相应损失，补偿金额依据公司与投资者协商确定的金额，或者证券监管部门或其他有权部门认定的方式或金额确定。

3、对未履行其已作出承诺，或因该等人士的自身原因导致公司未履行已作

出承诺的公司股东、董事、高级管理人员，公司将立即停止对其进行现金分红，并停发其应在公司领取的薪酬、津贴，直至该等人士履行相关承诺。”

（2）直接控股股东关于未履行承诺时的约束措施的承诺函

根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，发行人控股股东华虹国际将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公开承诺事项，并作出承诺如下：

1-1-322华虹半导体有限公司招股说明书

“1、本企业在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均为

本企业的真实意思表示，并对本企业具有约束力，本企业自愿接受监管机构及社会公众的监督。本企业将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。

2、如本企业非因不可抗力原因导致未能完全且有效地履行承诺事项，本企

业承诺将采取以下措施予以约束：

（1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及规范性文件、本企业章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议等程序）；

（2）在证券监管部门或司法机关最终认定本企业违反或者未实际履行承诺

事项且应承担赔偿责任的，本企业将依法承担相应赔偿责任；

（3）因违反承诺所产生的收益全部归公司所有，公司有权暂扣本企业应得的现金分红（如有），直至本企业将违规收益足额交付公司为止。”

（3）间接控股股东关于未履行承诺时的约束措施的承诺函

根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，发行人间接控股股东华虹集团将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公开

承诺事项，并作出承诺如下：

“1、本企业在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均

为本企业的真实意思表示，并对本企业具有约束力，本企业自愿接受监管机构及社会公众的监督。本企业将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。

2、如本企业非因不可抗力原因导致未能完全且有效地履行承诺事项，本企

业承诺将采取以下措施予以约束：

（1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及规范性文件、本企业章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议等程序）；

（2）在证券监管部门或司法机关最终认定本企业违反或者未实际履行承诺

事项且应承担赔偿责任的，本企业将依法承担相应赔偿责任；

1-1-323华虹半导体有限公司招股说明书

（3）因违反承诺所产生的收益全部归公司所有。”

（4）董事、高级管理人员关于未履行承诺时的约束措施的承诺函

根据中国证监会《关于进一步推进新股发行体制改革的意见》等相关规定，发行人全体董事、高级管理人员将严格履行就本次 A 股发行上市所作的所有公

开承诺事项，并作出承诺如下：

“1、本人在本次发行中作出的全部公开承诺（以下简称“承诺事项”）均为本

人的真实意思表示，并对本人具有约束力，本人自愿接受监管机构及社会公众的监督。本人将严格履行承诺事项中的各项义务和责任。

2、如本人非因不可抗力原因导致未能完全且有效地履行承诺事项，本人承

诺将采取以下措施予以约束：

（1）可以采取相应补救措施或提出新的承诺（相关承诺需按法律、法规及规范性文件、公司章程及相关内控制度的规定履行相关审批、审议等程序）；

（2）在证券监管部门或其他有权部门认定本人违反或者未实际履行承诺事

项之日起30日内，或认定因本人违反或未实际履行承诺事项而致使投资者在证券交易中遭受损失之日起30日内，本人自愿将从公司领取的全部薪酬和/或津贴、现金分红（如有）对投资者先行进行赔偿；

（3）若本人未履行承诺，公司可以视情节轻重对本人采取扣减绩效薪酬、降薪、降职、停职、撤职等处罚措施。”

2、关于适用法律和管辖法院的承诺

（1）发行人关于适用法律和管辖法院的承诺函为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提

起民事诉讼，发行人就适用法律和管辖法院作出如下承诺：

1-1-324华虹半导体有限公司招股说明书“1、若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市以及公司在科创板上市期间所发生的纠纷，将适用中华人民共和国（仅为本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区及中国台湾地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民法院管辖。公司不会对上述法律适用及法院管辖提出异议。

2、前述第1条约定的“纠纷”应包括：（1）董事、高级管理人员执行公司职

务时违反法律法规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合法权益给公司造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一以上人民币普通股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披露信息，或者公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券交易中遭受损失的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提起的民事赔偿诉讼。”

（2）直接控股股东关于适用法律和管辖法院的承诺函为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提

起民事诉讼，发行人直接控股股东华虹国际就适用法律和管辖法院作出如下承诺：

“公司已承诺，若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市以及公司在科创板上市期间所发生的相关纠纷，将适用中华人民共和国（仅为本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区及中国台湾地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民法院管辖。

上述“纠纷”应包括：（1）董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律法

规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合法权益给公司造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一以上人民币普通

股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披露信息，或者公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存在虚假记载、误

导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券交易中遭受损失

1-1-325华虹半导体有限公司招股说明书的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提起的民事赔偿诉讼。

本企业作为公司的控股股东，承诺不会对上述法律适用及法院管辖提出异议（如涉及）。”

（3）间接控股股东关于适用法律和管辖法院的承诺函为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提

起民事诉讼，发行人间接控股股东华虹集团就适用法律和管辖法院作出如下承诺：

“公司已承诺，若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市以及公司在科创板上市期间所发生的相关纠纷，将适用中华人民共和国（仅为本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区及中国台湾地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民法院管辖。

上述“纠纷”应包括：（1）董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律

法规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合法权益给公司造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一以上人民币普

通股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披露信息，或者公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存在虚假记载、

误导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券交易中遭受损失的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提起的民事赔偿诉讼。

本企业作为公司的间接控股股东，承诺不会对上述法律适用及法院管辖提出异议（如涉及）。”

（4）董事、高级管理人员关于适用法律和管辖法院的承诺函

1-1-326华虹半导体有限公司招股说明书

为保障境内投资者可依据相关法律规定在中国境内有管辖权的人民法院提

起民事诉讼，发行人全体董事、高级管理人员就适用法律和管辖法院作出如下承诺：

“1、若因公司首次公开发行人民币普通股（A 股）并在上海证券交易所科创板上市以及公司在科创板上市期间所发生的纠纷，将适用中华人民共和国（仅为本承诺函之目的，不包含中国香港特别行政区、中国澳门特别行政区及中国台湾地区）（以下简称“中国”）法律，并由中国境内有管辖权的人民法院管辖。本人不会对上述法律适用及法院管辖提出异议。

2、前述第一条约定的“纠纷”应包括：（1）董事、高级管理人员执行公司职

务时违反法律法规或者公司章程的规定给公司造成损失的，或者他人侵犯公司合法权益给公司造成损失的，连续一百八十日以上单独或者合计持有公司百分之一以上人民币普通股（A 股）的股东提起的派生诉讼；（2）因公司未按照规定披露信息，或者公告的证券发行文件、定期报告、临时报告及其他信息披露资料存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使人民币普通股（A 股）股东在证券交易中遭受损失的，人民币普通股（A 股）的股东针对公司及其他相关责任人提起的民事赔偿诉讼。”

3、股东信息披露的承诺

发行人针对股东信息披露事宜出具承诺如下：

“1、直接或间接持有公司股份的股东及其出资人中不存在法律法规规定禁止持股的主体。

2、截至2022年12月31日，除国泰君安证券股份有限公司持有公司10000

股股份外，本次发行上市的中介机构或其负责人、高级管理人员、经办人员不存在直接或间接持有公司股份的情形。

3、公司股东不存在以公司股份进行不当利益输送的情形。

4、若公司违反上述承诺，将承担由此产生的一切法律后果。

1-1-327华虹半导体有限公司招股说明书

5、上述承诺不适用于公司在香港联合交易所有限公司上市交易期间通过集合竞价、连续竞价交易方式增加的股东。”

4、证券服务机构的相关承诺

（1）保荐人承诺

联席保荐人（联席主承销商）国泰君安承诺如下：

“1、因发行人招股说明书及其他信息披露材料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，将依法赔偿投资者损失。

2、如因本公司为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记录、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。”联席保荐人（联席主承销商）海通证券承诺如下：

“海通证券承诺因本公司为发行人首次公开发行股票制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，本公司将依法赔偿投资者损失”。

（2）发行人律师承诺

发行人律师通力律师承诺如下：

“若因本所未能勤勉尽责地履行法定职责而导致本所为发行人出具的公开法律文件中存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏并因此给投资者造成损失的本所将依法赔偿投资者由此遭受的损失。如果投资者依据本承诺函起诉本所赔偿责任及赔偿金额由被告所在地或发行人本次发行的上市交易地有管辖权的法院确定。”

（3）发行人会计师承诺

发行人会计师安永承诺如下：

1-1-328华虹半导体有限公司招股说明书“本所承诺，因本所为华虹半导体有限公司首次公开发行科创板股票出具的以下文件有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，从而给投资者造成损失的，本所将依法赔偿投资者损失：（1）于2023年3月24日出具的审计报告（报告编号：安永华明（2023）审字第 60985153_B01 号）。（2）于 2023 年 3 月 24 日出具的内部控制审核报告（报告编号：安永华明（2023）专字第 60985153_B01号）。（3）于2023年3月24日出具的非经常性损益的专项说明（专项说明编号：安永华明（2023）专字第 60985153_B02 号）。”附表八：落实投资者关系管理相关规定的安排、股利分配决策程序、股东投票机制建立情况

（一）落实投资者关系管理相关规定的安排为切实保护投资者的合法权益，根据适用法律法规的规定，公司制定了《组织章程细则》《信息披露境内代表工作细则》等制度，能有效保障公司与投资者之间的良好沟通，增加投资者对公司的了解，进一步提升公司治理水平，从而更好地实现公司整体利益的最大化，并保护投资者的合法权益。公司未来将采用多种方式与投资者进行及时、有效和深入的沟通，提高沟通效率，降低沟通成本。

（二）股利分配决策程序

公司董事会在制定利润分配方案时，应当认真研究和论证现金分红的时机、条件和最低比例、调整的条件及其决策程序要求等事项，独立非执行董事应当发表明确意见。股东大会对利润分配方案进行审议前，公司应当通过多种渠道主动与股东（尤其是中小股东）进行沟通和交流，充分听取中小股东的意见。

（三）股东投票机制建立情况

1、董事选举安排根据《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护工作的意见》《上市公司治理准则（2018修订）》的相关规定，单一股东及其一致行动人拥有权益的股份比例在30%及以上的上市公司应当采用累积投票制。截至报告期末，公司不存在单一股东及其一致行动人拥有权益的股份比例在30%及以上的情况，因此，公司股东大会就选举董事进行表决时可以不采用累积投票制。

1-1-329华虹半导体有限公司招股说明书

2、中小投资者单独计票机制公司作为香港上市公司，港股股份存管于中央结算及交收系统（CCASS，即 The Central Clearing and Settlement System）。该系统由香港中央结算有限公司（HKSCC，即 The Hong Kong Securities Clearing Company Limited）拥有及运营。

存管于 CCASS 系统的港股股份由香港中央结算有限公司的全资附属公司香港中

央结算（代理人）有限公司（即 HKSCC Nominees Limited）持有，公司股东名册上显示香港中央结算（代理人）有限公司持有所有存管于 CCASS 系统的股份。

公司股东大会前，各港股实益股东须向其聘请的 CCASS 系统参与者（即经纪人）给出投票指示，香港中央结算（代理人）有限公司会统计所有 CCASS 系统参与者的投票指示，并在合并的基础上，就已收到投票指示的所有存管于 CCASS 系统的股份进行投票，因此公司无法穿透到港股实益股东层面计票，亦无从判断港股实益股东是否为中小股东，无法为其单独计票。

公司独立非执行董事的主要职责包括参与董事会会议并提供独立意见，如会议拟决议事项涉及主要股东或有利益冲突（且董事会认为所涉利益属重大）董事，则与所涉事项无重大利益的独立非执行董事将出席董事会及其辖下委员会会议并带领讨论。因此，独立非执行董事在股东大会审议影响中小投资者利益的重大事项前，能够发挥其专长，对影响或可能影响中小投资者利益的事项提出相应意见与建议，从而保护中小投资者利益。

3、网络投票制度

根据《组织章程细则》，董事可全权酌情指定股东大会以实体大会、混合大会或电子大会形式举行。董事会应当按照适用法律法规、上市规则、章程细则的规定，采用安全、经济、便捷的网络或其他方式为股东参加股东大会提供便利。

附表九：股东大会、董事会、独立董事、董事会秘书制度的建立健全及运行情况说明

1、股东大会机制及运行情况

《组织章程细则》和《股东大会议事规则》对股东大会的职权、召开、通知、提案等事项作出了明确的规定。

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（1）股东大会的职权

根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，公司股东大会可行使下列职权：

*审议批准本公司增加已发行在外股份总数（包括发行股票（含优先股）、可转换为股份的证券、认股权证等影响本公司股本的证券）；

*注销于有关决议案通过当日仍未被任何人士认购或同意认购的任何股份；

*任命及罢免董事（在适用法律法规及《组织章程细则》中允许董事会任命或罢免的情况除外）；

*批准在合同规定权益外，因免职或退休而向任何董事或前任董事支付任何补偿；

*审议批准本公司的股息分派方案；

*审议批准董事会的年度报告；

*决定本公司业务的根本变化；

*对本公司聘用、解聘负责年审的核数师作出决议；

*审议批准适用法律法规、上市规则规定应当由股东大会批准的对外担保；

*审议批准本公司的股权激励计划和员工持股计划；

*审议批准适用法律法规及上市规则规定的应当由股东大会批准的重大交易；

*审议批准适用法律法规及上市规则规定的应当由股东大会批准的关连或关联交易；

在遵守适用法律法规、《组织章程细则》及《公司条例》其他要求的基础下，减少本公司已发行在外股份总数（包括股东在股东大会上授予的一般授权未涵盖的任何股票赎回或回购）；

批准修改《组织章程细则》，或者通过本公司新《组织章程细则》；

审议批准本公司在一年内购买或出售重大资产超过本公司最近一期经审

计总资产30%的事项；

1-1-331华虹半导体有限公司招股说明书

审议批准适用法律法规及规范性文件、上市规则规定的须由股东大会批准的变更募集资金用途事项；

批准本公司合并、分立、分拆、解散、清算或者变更公司形式；

批准任何主动撤回股票在现有证券交易所的交易，并决定不再在现有证券交易所交易，或转而申请在其他股份交易平台买卖或转让；

审议批准适用法律法规、上市规则、《组织章程细则》及其他规定订明由股东大会审议批准的其他事项。

（2）股东大会的召集及召开

根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，本公司须根据法律法规的规定于本公司各财政年度举行一次股东大会作为股东周年大会，并须在召开大会之通告中指明召开周年大会。周年股东大会应于每个财政年度结束后的六个月内召开。股东周年大会以外的所有股东大会均称作股东特别大会。

董事会可在其认为适当时，召开股东大会。单独或者合计持有本公司发行在外有表决权股份总数的5%或以上股份的股东有权向董事会请求召开股东大会。

（3）股东大会的提案

根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，股东大会会议通知发出之后，以不影响公司股东大会按期召开为前提，达到以下要求的股东根据《组织章程细则》适当提交股东大会处理的事务：

本章程细则或其他本公司制度规定的由该名股东向公司提出临时提案的日

期以及确定有权于有关股东大会投票的记录日期，均为记录在股东名册的公司股东，且单独或合并持有公司发行在外有表决权股份总数的3%以上（含3%），以及相关股东在股东大会召开10日前提出临时提案并书面提交董事会。

（4）股东大会的通知

根据《组织章程细则》和《股东大会议事规则》的规定，股东周年大会须最少发出二十一个足日（或上市规则所规定的更长期间）之书面通告，而举行股东特别大会则最少须发出十四个足日（或上市规则所规定的更长期间）之书面通告。

通告必须注明举行会议的地点、日期、时间（倘会议于两个或两个以上地点举行，

1-1-332华虹半导体有限公司招股说明书则须注明会议主要地点及其他地点）、议程及决议案详情，倘会处理特别事项，则必须注明有关事项的一般性质，倘召开股东周年大会，则须指明其为股东周年大会。

（5）股东大会的运行情况

报告期内，公司共召开过6次股东大会。公司严格按照有关法律、法规、规范性文件和《公司章程》的规定规范运作，严格执行股东大会制度，股东依法行使股东权利。

2、董事会机制及运行情况

《组织章程细则》和《董事会议事规则》对董事会的职权、召开、决议等事项作出了明确的规定。

（1）董事会的构成及职权

《组织章程细则》和《董事会议事规则》公司董事会行使的职权如下：

*召集股东大会，并向股东大会报告工作；

*执行股东大会的决议；

*制订本公司的利润分配方案和弥补亏损方案；

*制订本公司增加或减少已发行股份的方案；

*制订本公司重大收购、合并、清盘或者更改公司地位（包括公众公司变更为私人公司等）的方案；

*在适用法律法规、上市规则及本章程细则规限下，决定公司的对外投资、收购出售资产、资产抵押、对外担保、委托理财、关联（连）交易、对外捐赠等事项；

*决定委任或罢免本公司总裁、其他高级管理人员及公司秘书，并决定有关其薪酬和奖惩事项；

*向股东大会提请委任或更换负责本公司审计的核数师；

*制订修订章程细则的方案；

1-1-333华虹半导体有限公司招股说明书*在适用法律法规、上市规则允许的范围内，就本公司发行一般债券（须取得股东批准的可换股债券发行除外）作出决定；

*适用法律法规、上市规则及章程细则等规定的其他职权。

（2）董事会的召开

根据《组织章程细则》和《董事会议事规则》的规定，董事会每年至少召开四次会议，约每季度一次。董事如认为合适，可召开会议以处理公司事务、将会议延期及以其他方式规管会议。

（3）董事会的议事程序

根据《组织章程细则》的规定，任何董事会议上提出的问题须以大多数投票作出决定。任何会议处理事项需经出席有关会议的董事的过半数表决通过，适用法律法规、上市规则、章程细则另有规定的除外。董事会决议的表决，实行一人一票制。如果票数相等，则主席将有权投第二票或决定票。董事，及秘书（在董事之要求下），可召集董事会会议。同时担任替任董事之董事有权于其委任人缺席之情况下代其委任人作出自身投票以外之独立投票；获两名或以上董事委任之替任董事有权于委任人缺席之情况下代其委任人分别作出独立投票。

（4）董事会的通知

根据《组织章程细则》的规定，会议通知于亲自以书面形式或以口头方式或发送予董事之最新地址或任何其他其告知本公司之地址时已视为妥为送达。董事可豁免收取任何会议之通告，有关豁免可具前瞻效力或追溯效力。

（5）董事会的运行情况

报告期内，公司共召开过30次董事会。公司严格按照有关法律、法规、规范性文件和《公司章程》的规定规范运作，董事依照有关法律、法规、规范性文件和《公司章程》的规定行使职权、勤勉尽职地履行职责和义务。

3、独立非执行董事机制及运行情况

截至本招股说明书签署日，公司聘任了3名独立非执行董事。公司独立非执行董事的主要职责包括参与董事会会议并在涉及公司策略、政策、公司表现及操

守准则等方面提供独立的意见，以及在出现潜在利益冲突时发挥牵头引导作用并

1-1-334华虹半导体有限公司招股说明书

及时监察汇报公司表现。公司独立非执行董事发挥其在业务方面的专长，对公司的经营管理、战略发展、内部控制及募集资金投资项目等方面提出了相应意见与建议，对完善公司治理结构和规范公司运作发挥了积极作用，有利于完善法人治理结构，保护公司及公司中小股东的利益，提高科学决策能力。

4、信息披露事务管理机制

公司设公司秘书，负责公司股东大会和董事会会议的筹备、文件的保管事宜。

确保董事会成员之间信息交流以及遵循董事会政策及程序。

信息披露境内代表为境内信息披露事务的负责人，负责办理公司人民币普通股股票上市期间的人民币普通股相关的信息披露和监管联络事宜。

报告期内，公司秘书依照相关规定履行职责，确保公司股东大会和董事会依法召开会议、依法行使职权，及时向公司股东、董事通报公司的有关信息，建立与股东的良好关系，对公司治理结构的完善和股东大会、董事会正常行使职权发挥了重要的作用。

附表十：审核委员会及其他专门委员会的设置情况说明

公司董事会下设审核委员会、薪酬委员会及提名委员会三个专门委员会，各专门委员会对董事会负责，专门委员会成员全部由董事组成。

1、审核委员会

审核委员会由本公司董事会委任的不少于三名成员组成，全部须为非执行董事且均应符合法律、香港联交所、上交所以及任何其他适用的主管监管机构的独

立性、财务素养及其他要求。

审核委员会主席须由董事会委任，且必须为一名具备会计或相关财务管理专长的独立非执行董事。

公司制定的《审核委员会的职权范围》明确了审核委员会的成员、主席、法

定人数、会议次数、责任与职权相关事项。

2、薪酬委员会

1-1-335华虹半导体有限公司招股说明书

薪酬委员的大部分成员均需由独立非执行董事组成。其中一名独立非执行董事成员经董事会提名为委员会主席。

公司制定的《薪酬委员会的职权范围》明确了薪酬委员会的成员、主席、法

定人数、会议次数、责任与职权相关事项。

3、提名委员会

提名委员会的大部分成员均需由独立非执行董事组成。其中一名独立非执行董事成员或董事长经董事会提名为委员会主席。

公司制定的《提名委员会的职权范围》明确了提名委员会的成员、主席、法

定人数、会议次数、责任与职权相关事项。

附表十一：募集资金具体运用情况募集资金具体运用情况详见本招股说明书“第七节募集资金运用与未来发展规划”之“二、募集资金运用情况”。

附表十二：子公司、参股公司简要情况公司子公司、参股公司简要情况详见本招股说明书“第四节发行人基本情况”之“六、发行人子公司、分公司及参股公司情况”。

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